1.一种烧结钕铁硼薄片磁体的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
①根据设计要求配置烧结钕铁硼薄片磁体的原材料，并将原材料制备成粉料；
②将粉料装入成型压机的模腔中，在取向磁场作用下将粉料压制成型，得到烧结钕铁硼生坯；
③将烧结钕铁硼生坯进行烧结处理，得到烧结钕铁硼坯料；
④将烧结钕铁硼坯料通过机械加工工艺制成厚度为0.4～1.0mm的薄片黑片；
⑤将薄片黑片的表面清洗干净后烘干；
⑥采用金属袋将薄片黑片装好或采用金属箔纸将薄片坯料包裹好，放进真空烧结炉中在真空状态下进行热处理；
⑦在热处理结束后，向真空烧结炉中通入惰性气体冷却至室温，得到烧结钕铁硼薄片磁体半成品；
⑧将烧结钕铁硼薄片磁体半成品进行振磨倒角处理；
⑨将烧结钕铁硼薄片磁体半成品先经过酸洗表面活化处理，然后进行表面防护处理，得到烧结钕铁硼薄片磁体。
2.根据权利要求1所述的一种烧结钕铁硼薄片磁体的制备方法，其特征在于所述的步骤⑥中的金属袋或金属箔的材料为至少一种金属，所述的金属的熔点为500～900℃。
3.根据权利要求2所述的一种烧结钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于所述的金属为纯铝或铝与钕、铜和镨中的至少一种组成的合金。
4.根据权利要求1所述的一种烧结钕铁硼薄片磁体的制备方法，其特征在于所述的步骤⑥中的热处理具体过程为：先在温度为700～920℃的条件下保温2～5小时，再在温度为400～600℃的条件下保温3～6小时。
5.根据权利要求1所述的一种烧结钕铁硼薄片磁体的制备方法，其特征在于所述的步骤①中粉料的制备过程是：将原材料放在真空电磁感应炉熔炼，在1420℃～1520℃温度下浇注成厚度为0.2～0.6mm的速凝片，然后在氢碎炉中对速凝片进行氢碎处理得到颗粒大小为0.1～3mm的粗粉，再将所述的粗粉在气流磨制粉设备中经过0.4～0.6Mpa的高压气体加速，使其相互之间碰撞形成比表面积平均粒径为2.0～4.0μm的粉料。
6.根据权利要求1所述的一种烧结钕铁硼薄片磁体的制备方法，其特征在于所述的步骤④中的机械加工工艺为内外圆切片、多线切割、双端面磨和研磨加工中的一种或几种的组合。
7.根据权利要求1所述的一种烧结钕铁硼薄片磁体的制备方法，其特征在于所述的步骤⑨中的表面防护处理为电镀镍处理、电镀镍铜镍处理、电镀锌处理、电镀金处理、电镀锡处理、电泳环氧漆处理和喷涂环氧漆处理中的一种或者几种组合。
8.根据权利要求1所述的一种烧结钕铁硼薄片磁体的制备方法，其特征在于所述的步骤⑦中的惰性气体为氩气或氮气。