用于热退火的方法以及通过该方法形成的半导体器件与流程

技术特征：

技术总结
公开了一种用于热退火的方法和通过该方法形成的半导体器件。根据多个不同的实施方案，一种方法可以包括：对半导体区域进行结构化以形成半导体区域的结构化的表面；在半导体区域中布置掺杂剂；以及通过用具有至少一个离散波长的电磁辐射至少部分辐照结构化的表面，从而至少部分地加热半导体区域从而至少部分地活化掺杂剂。

技术研发人员：亚历山大·布里梅塞尔;斯特凡·沃斯
受保护的技术使用者：英飞凌科技股份有限公司
技术研发日：2016.12.23
技术公布日：2017.08.11