技术总结
本发明公开了一种双脉冲频率激光分离复合SiC的方法，通过激光对复合SiC圆片进行焦点校准，首先使用第一脉冲频率激光扫描SiC外延片正面内部靠近表面处，形成第一个V槽；然后使用第二脉冲频率激光扫描SiC外延片正面内部若干不同深度，形成若干V槽；最后对扫描后的复合SiC圆片进行裂片，形成复合SiC芯片。本发明采用双脉冲频率激光分离复合SiC，降低了激光对划片槽的要求，提高了SiC芯片的良品率；第一脉冲频率激光扫描解决了划片槽有金属、介质或复合图形带来的激光进不去的问题，同时加深了第二脉冲频率激光进入的深度，且第一脉冲频率激光产生的能量小，可以实现表面低损伤处理，不会破坏表面的金属、介质或复合图形层。
技术研发人员：刘昊
受保护的技术使用者：中国电子科技集团公司第五十五研究所
文档号码：201611214695
技术研发日：2016.12.26
技术公布日：2017.05.10