技术总结
本发明涉及一种具有复合金属势垒层的氮化镓器件肖特基接触系统，该氮化镓器件的结构自下而上依次包括衬底11、GaN缓冲层12、AlGaN势垒层13；所述AlGaN势垒层13上方的一端设有源电极14和另一端设有漏电极15，还包括位于所述源电极14和漏电极15之间的AlGaN势垒层13的上方设有AlGaN/GaN HEMT栅电极16，所述AlGaN/GaN HEMT栅电极16为设有肖特基接触结构的栅电极，所述肖特基接触结构包括设有Ni金属层/Mo金属层/Ti金属层/Pt金属层/Y金属层的复合金属层。本发明的氮化镓器件肖特基栅的多层金属体系与其外延层之间有很好的热配性，能够大大提高氮化镓器件的可靠性。
技术研发人员：任春江;陈堂胜
受保护的技术使用者：中国电子科技集团公司第五十五研究所
文档号码：201611217074
技术研发日：2016.12.26
技术公布日：2017.05.17