技术特征：
技术总结
本发明实施例公开了一种半导体器件，半导体器件包含隔离层、第一和第二鳍结构、栅极结构和源极/漏极结构。隔离绝缘层设置于衬底的上方。第一和第二鳍结构均设置于衬底的上方，并且沿平面图中的第一方向延伸。第一和第二鳍结构的上部暴露于隔离层。栅极结构设置于部分第一和第二鳍结构的上方，并且沿与第一方向交叉的第二方向延伸。源极/漏极结构形成于第一和第二鳍结构的上部上，其没有被第一栅极结构覆盖且暴露于隔离层，且包裹每个露出的第一和第二鳍结构的侧面和顶面。孔洞形成于源极/栅极结构和隔离层之间。本发明实施例涉及半导体器件及其制造方法。
技术研发人员：冯家馨
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2016.12.26
技术公布日：2017.09.12