双面OLED显示器及其制造方法与流程

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种双面OLED显示器及其制造方法。

背景技术：

电子产品的形式渐趋多样化，双面显示功能成为新世代电子产品的一种特色。例如，手机内部的双面显示器可以一面显示手机主功能窗口，另一面显示时间；又如在公共场合使用双面显示器让显示器两侧的人员都能看到展示的各种内容。目前的双面显示器通常是两个单面显示面板对贴而成，例如一液晶显示面板与一有机电激发光面板背靠背设置，或者是两有机电激发光面板靠背设置，或者两块液晶显示器靠背设置。此种背对设置的显示面板需要分别设置印刷电路板及集成电路来进行信号控制，同时进行双面显示时需要两个信号输入端，这不利于成本的降低和使用的便捷。背对设置的显示面板为具有较厚厚度的双层结构，这不利于电子产品的轻薄化。

技术实现要素：

本发明主要解决的技术问题是提供一种双面OLED显示器及其制造方法，以降低成本、提升产品的轻薄化及提升面积利用率。

为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种双面有机发光二极管(OLED)显示器，包括第一显示面及与所述第一显示面背向设置的第二显示面，所述第一显示面包括第一基底、依次层叠设置在所述第一基底上方的第一TFT层、第一发光层及第一封装层，所述第二显示面包括第二基底、设置在所述第二基底上方且位于所述第一基底与所述第二基底之间的第二TFT层、依次层叠设置在所述第二基底下方的第二发光层及第二封装层，其中，所述第二基底上设置若干过孔，所述若干过孔将所述第二TFT层与所述第二发光层电性连接。

其中，所述第一及第二TFT层均包括平坦层、设置于所述平坦层表面且彼此间隔的源极图案和漏极图案、电性连接于所述源极图案和漏极图案之间的半导体层、覆盖于所述半导体层上的栅极绝缘层、设置于所述栅极绝缘层表面的栅极图案及设置于所述栅极绝缘层下的缓冲层。

其中，所述第一发光层及所述第二发光层上均设有多个发光器件，所述第一发光层上的发光器件与所述第二发光层上的发光器件错位设置。

其中，所述发光器件包括第一电极、发光层和第二电极，所述发光层设置在所述第一电极与所述第二电极之间，其中，所述第一电极为阳极，所述第二电极为阴极，相邻的两个所述发光器件的第一电极和发光层之间设有像素限定层，以限定所述第一电极和所述发光层的形状。

其中，所述发光器件为顶发光型OLED器件或底发光型OLED器件。

其中，所述第一基底和/或所述第二基底上设有一个或多个焊盘区，其中，所述第一基底上的焊盘区和第二基底上的焊盘区未被覆盖，所述第一基底上的焊盘区电连接所述第一发光层，用于连接柔性电路板，所述第二基底上的焊盘区电连接所述第二发光层，用于连接柔性电路板；所述第一基底和所述第二基底共用焊盘区时，所述焊盘区设置在所述第一基底上或者所述焊盘区设置在所述第二基底上；所述第一基底和所述第二基底分别具有各自的焊盘区时，所述第一基底的焊盘区及所述第二基底的焊盘区设置在同侧或者异侧。

其中，所述第一基底的厚度大于所述第二基底的厚度，所述第一基底及所述第二基底是薄的玻璃、金属或塑料中的一种或几种的组合；或者所述第一基底及所述第二基底是聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、聚醚砜(PES)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、多芳基化合物(PAR)或玻璃纤维增强塑料(FRP)中的一种或几种的组合；所述第一封装层及所述第二封装层是薄膜封装、外盖封装或者薄膜和外盖封装的组合。

其中，所述第一显示面的长度与所述第二显示面的长度相同或相异；所述第一显示面的面积与所述第二显示面的面积相同或相异；所述第一显示面的分辨率与所述第二显示面的分辨率相同或相异。

为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是：提供一种双面有机发光二极管(OLED)显示器的制造方法，所述方法包括：

在承载基底上制作第二基底；

在所述第二基底表面制作第二TFT层；

在所述第二TFT层表面制作第一基底，且所述第一基底的厚度大于所述第二基底的厚度；

在所述第一基底的表面依次层叠制作第一TFT层、第一发光层及第一封装层；

在所述第二基底上制作若干过孔；及

在所述第二基底的表面依次层叠制作第二发光层及第二封装层，其中，所述第二发光层通过所述第二基底上的若干过孔电性连接所述第二TFT层。

为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是：提供一种双面有机发光二极管(OLED)显示器的制造方法，所述方法包括：

在承载基底上制作第一基底；

在所述第一基底表面制作第二TFT层；

在所述第二TFT层表面制作第二基底，且所述第一基底的厚度大于所述第二基底的厚度；

在所述第一基底的表面依次层叠制作第一TFT层、第一发光层及第一封装层；

在所述第二基底上制作若干过孔；及

在所述第二基底的表面依次层叠制作第二发光层及第二封装层，其中，所述第二发光层通过所述第二基底上的若干过孔电性连接所述第二TFT层。

本发明的有益效果是：区别于现有技术的情况，本发明的所述双面OLED显示器及其制造方法的所述第一及第二显示面的发光层都是在TFT层制作完毕后进行制作，因此可以避免TFT层制作过程中高温对发光材料的破坏；所述双面OLED显示器共用焊盘区、集成电路、控制系统及信号输入装置，利于成本降低，同时提升了显示器的轻薄化；在所述第一及第二基底上同时制作了第一及第二显示面的TFT层，相较于现有技术中通过将两显示面板贴合成双面显示器提升了显示器面积利用率；并且所述双面OLED显示器的第一及第二显示面共用第一基底作为支撑基底，利于显示器的轻薄化。

附图说明

图1a及图1b本发明的双面OLED显示器的第一实施例的结构示意图；

图2是图1中的TFT层及发光层的结构示意图；

图3a至图3c图1的双面OLED显示器连接控制系统的结构示意图；

图4a及图4b是图1的像素分布示意图；

图5是本发明的双面OLED显示器的第一实施例的制造流程图；

图6a及图6b是本发明的双面OLED显示器的第二实施例的结构示意图；

图7a至图7c是图6的双面OLED显示器连接控制系统的结构示意图；

图8a及图8b是图6的像素分布示意图；

图9是本发明的双面OLED显示器的第二实施例的制造流程图。

具体实施方式

请参阅图1a及图1b，是本发明的双面OLED显示器的第一实施例的结构示意图。所述双面有机发光二极管(OLED)显示器包括第一显示面10及与所述第一显示面10背向设置的第二显示面20，所述第一显示面10包括第一基底11、依次层叠设置在所述第一基底11上方的第一TFT层12、第一发光层13(其中，所述第一发光层13包含阳极、发光材料层及阴极)及第一封装层14，所述第二显示面20包括第二基底21、设置在所述第二基底21上方且位于所述第一基底11与所述第二基底21之间的第二TFT层22、依次层叠设置在所述第二基底21下方的第二发光层23(其中，所述第二发光层23包含阳极、发光材料层及阴极)及第二封装层24，其中，所述第二基底21上设置若干过孔25，所述若干过孔25将所述第二TFT层22与所述第二发光层23电性连接，所述第一基底11的厚度大于所述第二基底21的厚度。所述第一TFT层12及所述第二TFT层22上均设置若干TFT器件，用于与所述第一发光层13及所述第二发光层23上设置的发光器件电性连接。其中，所述第二基底21的厚度可以为1μm至20μm。所述第二基底21起到保护所述第二显示面20的TFT层22的作用；所述第一基底11起到承载所述双面OLED显示器的作用。本发明中虽然将所述双面OLED显示器简化为基底、发光层、封装层三结构，然而这三结构可以包含了显示器需求的各个部件，其中，所述第一及第二TFT层均包含控制发光层发光的开关电路及走线；所述正面显示面10中的第一发光层13为图案化示意，反面显示面20中的第二发光层23没有给出图案化示意，但其并不妨碍本领域一般技术人员了解正反显示面的发光层都为像素阵列。虽然本发明便于发明点描述只简述了所述双面OLED显示器的部分结构及构件，但并不限于此，所述双面OLED显示器的其他器件及功能与现有技术相同，在此不再赘述。其中，所述第一显示面为正面，所述第二显示面为反面。其中，图1a表示所述第一与第二显示面的分辨率相同。图1b表示所述第一与第二显示面的分辨率不相同。

请参阅图2，是本发明的双面OLED显示器的TFT层及发光层的结构示意图。如图2所示，所述第一及第二TFT层12、22均包括平坦层35、设置于所述平坦层35上且彼此间隔的源极图案36和漏极图案37、电性连接于所述源极图案36和漏极图案37之间的半导体层38、覆盖于所述半导体层38上的栅极绝缘层和层间绝缘层39、设置于所述栅极绝缘层和层间绝缘层39上的栅极图案40及设置于所述栅极绝缘层下的缓冲层41。本发明便于发明点描述只简述了所述双面OLED显示器的TFT层及发光层的部分结构及构件，但并不限于此，所述TFT层及发光层的具体结构并不限于本发明。

所述第一发光层13及所述第二发光层23上均设有多个发光器件，所述发光器件包括第一电极31、发光层33和第二电极32，所述发光层33设置在所述第一电极31与所述第二电极之间32，其中，所述第一电极31为阳极，所述第二电极32为阴极，相邻的两个所述发光器件的第一电极31和发光层33之间设有像素限定层34，以限定所述第一电极31和所述发光层33的形状。在本实施例中，所述发光器件为顶发光型OLED器件。

请参阅图3a至图3c，是本发明的双面OLED显示器连接控制系统的结构示意图。所述第一基底11和/或所述第二基底21上设有一个或多个焊盘区50，其中，所述第一基底11上的焊盘区和第二基底21上的焊盘区未被覆盖，所述第一基底11上的焊盘区50电连接所述第一发光层13，用于连接柔性电路板和集成电路，所述第二基底21上的焊盘区50电连接所述第二发光层23，用于连接柔性电路板和集成电路。

其中，图3a中，所述第一基底11与所述第二基底21上分别设置一个焊盘区50，且所述第一基底11上的焊盘区50位于右侧，所述第二基底21上的焊盘区50位于左侧。图3b中，所述第一基底11与所述第二基底21上分别设置一个焊盘区50，且所述第一基底11及所述第二基底21上的焊盘区50位于相同侧，如右侧。图3c中，所述第一基底11和所述第二基底21共用焊盘区50，所述焊盘区50设置在所述第一基底11上或者所述焊盘区50设置在所述第二基底21上；在本实施例中，所述共用焊盘区50设置在所述第一基底11的右侧，所述第二基底21为柔性基底，其通过弯折方式及异方性导电胶与所述第一基底11上的焊盘区50电性连接。所述第一基底11和所述第二基底21分别具有各自的焊盘区50时(如图3a及图3b所示)，所述第一基底11的焊盘区50及所述第二基底21的焊盘区50设置在同侧或者异侧。其中，当所述第一显示面10与所述第二显示面20的分辨率、像素大小、显示画面等相同时，所述第一及第二显示面10、20共用焊盘区50，以达到所述双面OLED显示器共用焊盘区、集成电路、控制系统及信号输入装置的目的，利于成本降低，同时便于提升显示器的轻薄化。当然，所述第一及第二显示面10、20也可以通过设置各自的焊盘区50以进行分开控制。

所述第一基底11及所述第二基底21可以是薄的玻璃、金属、塑料等，所述第一及第二基底11、21也可以是完全柔性的基底(PI等有机物以及有机物和无机物组成的混合结构)；例如TFT层包括TFT器件，发光层包括发光材料等，其中TFT器件可以是非晶硅或低温单晶硅工艺制成，TFT器件的结构可以是底栅型或顶栅型等结构，发光材料可以是各种适用的有机材料或无机材料；封装层可以是薄膜封装也可以是外盖封装，甚至是薄膜和外盖封装的组合封装结构；所述双面OLED显示器还包含了各个其他显示部件，例如外盖封装的双面OLED显示器还包含了封装胶层，封装胶层连接基底和封装外盖阻挡水汽进入；焊盘区50包含了扫描线、数据线、公共线等信号线的输入端，本发明中以数据线分布示意了焊盘区的位置、走线方式，焊盘区可以包含多个不同类型的信号输入端。

图4a及图4b示意了第一及第二显示面分辨率、像素大小相同，且第一及第二显示面10、20各层结构一一对应。如图4a及图4b所示，第一及第二显示面10、20可以具有相同的TFT开关结构、类型，所述第二显示面20的发光层23通过过孔25中金属、焊锡、Ag胶等连接所述第二TFT层22上设置的TFT器件，图4a示意了此连接方式可以是金属、导电材料一步连接，也就是说所述第二显示面20的发光层23直接通过过孔25连接所述第二TFT层22上设置的TFT器件；图4b示意了此连接方式也可以是分步连接，先在远离第二基底21上形成连接电极42，再通过过孔25与连接电极42的电性连接从而将所述第二显示面20的发光层23与所述第二TFT层22上设置的TFT器件电性连接。

具体地，所述第一显示面10的长度与所述第二显示面20的长度相同或相异；所述第一显示面10的面积与所述第二显示面20的面积相同或相异；所述第一显示面10的分辨率与所述第二显示面20的分辨率相同或相异。所述焊盘区50可以不是一个而是一列的多个。在本实施例中，为了保证第一及第二基底11、21与TFT层12、22的粘着性，优选所述第一及第二基底11、21为聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、聚醚砜(PES)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、多芳基化合物(PAR)或玻璃纤维增强塑料(FRP)等聚合物材料形成柔性基底，或者这些有机柔性材料与SiNx、SiOx等无机物组成的多层堆叠结构。

请参阅图5，是本发明的双面OLED显示器的第一实施例的制造方法的流程图。如图5所示，所述方法包括：

步骤S1：在承载基底上制作第二基底21；

步骤S2：在所述第二基底21表面制作第二TFT层22；

步骤S3：在所述第二TFT层22表面制作第一基底11，且所述第一基底11的厚度大于所述第二基底21的厚度；

步骤S4：在所述第一基底11的表面依次层叠制作第一TFT层12、第一发光层13及第一封装层14；

步骤S5：在所述第二基底21上制作若干过孔25；步骤S6：在所述第二基底21的表面依次层叠制作第二发光层23及第二封装层24，其中，所述第二发光层23通过所述第二基底21上的若干过孔25电性连接所述第二TFT层22。其中，在步骤S5中，先将所述步骤S4中已经完成的产品翻转，再在所述第二基底21上制作若干过孔25。

请参阅图6a及图6b，是本发明的双面OLED显示器的第二实施例的结构示意图。所述双面OLED显示器的第二实施例与所述双面OLED显示器的第一实施例的区别之处在于：所述第一发光层13及所述第二发光层23上均设有多个发光器件，所述第一发光层13上的发光器件与所述第二发光层23上的发光器件错位设置，以便底发光型OLED器件发出的光线都能通过所述第一基底11或者及其相反显示面上的像素限定层上透出。在本实施例中，优选地所述第一显示面10的单个发光器件与所述第二显示面20的单个发光器件交替排布(如图6a)，也可以是所述第一显示面10的多个(在本实施例中如为3个)发光器件与所述第二显示面20的多个(在本实施例中如为3个)发光器件交替排布(如图6b)，并且在图6b中可以是当第一显示面与第二显示面的显示位置不在同一竖直位置，如所述第一显示面是左侧显示，而所述第二显示面是右侧显示。在本实施例中，所述发光器件为底发光型OLED器件。

请参阅图7a至图7c，是本发明的双面OLED显示器连接控制系统的结构示意图。所述第一基底11和/或所述第二基底21上设有一个或多个焊盘区50，其中，所述第一基底11上的焊盘区50和第二基底21上的焊盘区50未被覆盖，所述第一基底11上的焊盘区50电连接所述第一发光层13，用于连接柔性电路板和集成电路，所述第二基底21上的焊盘区50电连接所述第二发光层23，用于连接柔性电路板和集成电路。

其中，图7a中，所述第一基底11与所述第二基底21上分别设置一个焊盘区50，且所述第一基底11上的焊盘区50位于右侧，所述第二基底21上的焊盘区50位于左侧。图7b中，所述第一基底11与所述第二基底21上分别设置一个焊盘区50，且所述第一基底11及所述第二基底21上的焊盘区50位于相同侧，如右侧。图7c中，所述第一基底11和所述第二基底21共用焊盘区50，所述焊盘区50设置在所述第一基底11上或者所述焊盘区50设置在所述第二基底21上；在本实施例中，所述共用焊盘区50设置在所述第一基底11的右侧，所述第二基底21为柔性基底，其通过弯折方式及异方性导电胶与所述第一基底11上的焊盘区50电性连接。所述第一基底11和所述第二基底21分别具有各自的焊盘区50时(如图7a及图7b)，所述第一基底11的焊盘区50及所述第二基底21的焊盘区50设置在同侧或者异侧。其中，当所述第一显示面10与所述第二显示面20的分辨率、像素大小、显示画面等相同时，所述第一及第二显示面10、20共用焊盘区，以达到所述双面OLED显示器共用焊盘区、集成电路、控制系统及信号输入装置的目的，利于成本降低，同时便于提升显示器的轻薄化。当然，所述第一及第二显示面10、20也可以通过设置各自的焊盘区以进行分开控制。

图8a及图8b示意了第一及第二显示10、20面分辨率、像素大小相同，且第一及第二显示面10、20各层结构一一交错对应。如图8a及图8b所示，第一及第二显示面10、20可以具有相同的TFT开关结构、类型，所述第二显示面20的发光层23通过过孔25中金属、焊锡、Ag胶等连接所述第二TFT层22上设置的TFT器件，图8a示意了此连接方式可以是金属、导电材料一步连接，也就是说所述第二显示面20的发光层23直接通过过孔25连接所述第二TFT层22上设置的TFT器件；图8b示意了此连接方式也可以是分步连接，先在远离第二基底21上形成连接电极42，再通过过孔25与连接电极42的电性连接从而将所述第二显示面20的发光层23电极与所述第二TFT层22上设置的TFT器件电性连接。

请参阅图9，是本发明的双面OLED显示器的第二实施例的制造方法的流程图。如图9所示，所述方法包括：

步骤S1：在承载基底上制作第一基底11；

步骤S2：在所述第一基底11表面制作第二TFT层22；

步骤S3：在所述第二TFT层22表面制作第二基底21，且所述第一基底11的厚度大于所述第二基底21的厚度；

步骤S4：在所述第一基底11的表面依次层叠制作第一TFT层12、第一发光层13及第一封装层14；

步骤S5：在所述第二基底21上制作若干过孔25；步骤S6：在所述第二基底21的表面依次层叠制作第二发光层23及第二封装层24，其中，所述第二发光层23通过所述第二基底21上的若干过孔25电性连接所述第二TFT层22。

其中，在步骤S4中，先将所述步骤S3已经完成的产品翻转，再在所述第一基底11的上方依次层叠制作第一TFT层12、第一发光层13及第一封装层14。其中，在步骤S5中，先将所述步骤S4已经完成的产品翻转，再在所述第二基底21上制作若干过孔25。其中，所述第一及第二实施例中所述的OLED显示器的制造方法可以根据需要选择所述第一实施例或第二实施例的制造方法，而不限定于本发明的描述。

所述双面OLED显示器及其制造方法的所述第一及第二显示面的发光层都是在TFT层制作完毕后进行制作，因此可以避免TFT层制作过程中高温对发光材料的破坏；所述双面OLED显示器共用焊盘区、集成电路、控制系统及信号输入装置，利于成本降低，同时提升了显示器的轻薄化；在所述第一及第二基底上同时制作了第一及第二显示面的TFT层，相较于现有技术中通过将两显示面板贴合成双面显示器提升了显示器面积利用率；并且所述双面OLED显示器的第一及第二显示面共用第一基底作为支撑基底，利于显示器的轻薄化。

以上所述仅为本发明的实施方式，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。