1.一种高频率选择性基片集成波导平衡式双通带滤波器，其特征在于，该滤波器基于基片集成波导，包括上层介质基片(5)和下层介质基片(11)，所述上层介质基片(5)的上表面设置上金属层(1)，下层介质基片(11)的下表面设置下金属层(12)，上层介质基片(5)、下层介质基片(11)之间设置中间金属层(10)；所述上层介质基片(5)设置有一圈上层金属化通孔(2)，下层介质基片(11)设置有一圈下层金属化通孔(13)；第一微带线(3)和第二微带线(4)，以及第三微带线(14)和第四微带线(15)分别组成一对差分馈电端口；所述中间金属层(10)设置四个矩形的第一孔隙(6)、第二孔隙(7)、第三孔隙(8)和第四孔隙(9)。
2.根据权利要求1所述的高频率选择性基片集成波导平衡式双通带滤波器，其特征在于，所述上金属层(1)、上层介质基片(5)、中间金属层(10)以及上层介质基片中的上层金属化通孔(2)构成上谐振腔；下金属层(12)、下层介质基片(11)、中间金属层(10)以及下层介质基片中的下层金属化通孔(13)构成下谐振腔；上谐振腔通过关于谐振腔中心对称的第一微带线(3)、第二微带线(4)进行差分馈电，下谐振腔通过关于谐振腔中心对称的第三微带线(14)、第四微带线(15)进行差分馈电。
3.根据权利要求2所述的高频率选择性基片集成波导平衡式双通带滤波器，其特征在于，所述中间金属层(10)设置四个矩形的第一孔隙(6)、第二孔隙(7)、第三孔隙(8)和第四孔隙(9)，其中第一孔隙(6)和第四孔隙(9)关于中间金属层(10)的中心点对称分布，第二孔隙(7)和第三孔隙(8)同样关于中间金属层(10)的中心点对称分布。