一种高频率选择性基片集成波导平衡式双通带滤波器的制作方法

文档序号:12481296阅读:来源:国知局
技术总结
本发明公开了一种高频率选择性基片集成波导平衡式双通带滤波器,包括上层介质基片和下层介质基片,上层介质基片设置一个上金属层,下层介质基片设置一个下金属层,上、下层介质基片之间设置中间金属层;所述上、下层介质基片各设置一圈金属化通孔;上金属层、上层介质基片、中间金属层以及上层介质基片中的金属化通孔构成上谐振腔;下金属层、下层介质基片、中间金属层以及下层介质基片中的金属化通孔构成下谐振腔;上、下谐振腔各通过另两条关于谐振腔中心对称的微带线进行差分馈电;所述中间金属层设置四个矩形的孔隙。本发明具有很好的频率选择性能,缩减了体积,兼具低损耗、高功率容量的特点。

技术研发人员:李鹏;季佳恺;芮义斌;谢仁宏;郭山红
受保护的技术使用者:南京理工大学
文档号码:201611244210
技术研发日:2016.12.29
技术公布日:2017.05.31

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