有机发光二极管器件的制作方法

技术特征：

1.有机发光二极管器件，包括阴极、阳极和有机层，所述有机层为空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层中的一层或多层，所述有机层具有化学式(I)结构的化合物：

Ar为下列N-芳基咔唑基团中的一个：

其中，R、R²独立选自氢，C1-C4烷基取代或未取代的C1-C4烷基，C1-C4烷基取代或者未取代的C2-C4烯烷基，C1-C4烷基取代或者未取代的C2-C4炔烷基，C6-C10的含有一个或者多个取代基R¹取代或未取代的芳基，C6-C10的含有一个或者多个取代基R¹取代或未取代的芳烃基，C5-C8的含有一个或者多个取代基R¹取代或未取代的含有一个或者多个杂原子的杂芳基；

R¹独立选自氟F，氯Cl，溴Br，碘I，氰基CN，C1-C4的烷基。

2.根据权利要求1所述的有机发光二极管器件，R、R²独立选自氢，C1-C4烷基，C6-C10的含有一个或者多个取代基R¹取代或未取代的芳基、芳烃基；

R¹独立选自氟F，氯Cl，溴Br，碘I，C1-C4的烷基。

3.根据权利要求2所述的有机发光二极管器件，R独立选自氢，甲基，叔丁基，苯基，甲苯基，萘基；

R²独立选自氢H，C1-C4烷基，C6-C10的含有一个或者多个取代基R¹取代或未取代的芳基、芳烃基；

R¹独立选自氟F，氯Cl，溴Br，C1-C4的烷基。

4.根据权利要求3所述的有机发光二极管器件，其中R、R²独立选自氢，叔丁基，苯基，甲苯基，R¹选自氢、甲基。

5.根据权利要求4所述的有机发光二极管器件，其中R、R²独立选自氢，叔丁基，苯基，R¹为氢。

6.根据权利要求5所述的有机发光二极管器件，化学式(I)结构的化合物中的一个：

7.根据权利要求6所述的有机发光二极管器件，化学式(I)结构的化合物为：

8.根据权利要求1-7任述的有机发光二极管器件，所述化学式(I)结构的化合物为发光层中的主体材料。

9.根据权利要求1-7任述的有机发光二极管器件，所述的有机层的总厚度为1-1000nm。

10.根据权利要求1-7任述的有机发光二极管器件，所述有机层通过蒸渡或溶液法形成薄膜。