1.一种背结背接触太阳能电池，其特征在于，包括：
基片；
复合在所述基片前表面的复合层；
复合在所述基片背表面的隧穿氧化物层；
复合在所述隧穿氧化物层上的P型掺杂半导体层和N型掺杂半导体层；
设置在所述P型掺杂半导体层上的正电极；
设置在所述N型掺杂半导体层上的负电极。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述基片前表面的复合层包括：
复合在所述基片前表面上的前场区；
复合在所述前场区上的前表面钝化层；
复合在所述前表面钝化层上的减反射层。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述P型掺杂半导体层和N型掺杂半导体层相邻交替复合在所述隧穿氧化物层上，和/或所述P型掺杂半导体层和N型掺杂半导体层相隔交替复合在所述隧穿氧化物层上；
所述P型掺杂半导体层的宽度与所述N型掺杂半导体层的宽度比为(2～10)：1。
4.根据权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于，所述P型掺杂半导体层和N型掺杂半导体层相邻交替复合在所述隧穿氧化物层上时，所述正电极的宽度小于所述P型掺杂半导体层的宽度，所述负电极的宽度小于所述N型掺杂半导体层的宽度，且所述正电极不与所述N型掺杂半导体层相接触，所述负电极不与所述P型掺杂半导体层相接触。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述基片前表面的复合层具有绒面陷光结构。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述基片前表面具有绒面陷光结构。
7.根据权利要求1～6任意一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述基片的材质包括轻掺杂的硅材料，所述轻掺杂的掺杂浓度为1013～1017cm-3；所述掺杂的类型为N型；
所述硅材料包括单晶硅、多晶硅和硅薄膜中的一种或多种；
所述掺杂的材质包括硼、磷、镓和砷中的一种或多种；
所述基片的少子寿命大于等于500μs；所述基片的电阻率为1～50Ω·cm；
所述基片的厚度为50～300μm。
8.根据权利要求1～6任意一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述隧穿氧化物层的材质为绝缘材料；
所述绝缘材料包括二氧化硅、二氧化钛、氧化铝和氮化硅中的一种或多种；
所述隧穿氧化物层的厚度为0.3～2nm。
9.根据权利要求1～6任意一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述P型掺杂半导体层和N型掺杂半导体层的半导体材质各自包括微晶硅、多晶硅和非晶硅中的一种或多种；所述掺杂的材质各自包括硼、磷、镓和砷中的一种或多种；
所述掺杂的浓度各自为1018～1021cm-3；
所述P型掺杂半导体层和N型掺杂半导体层的厚度各自选自5nm～500nm。
10.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述前场区为在基片前表面上，通过扩散磷形成的高掺杂区域；
所述前场区的厚度为0.5～2μm；
所述前表面钝化层包括氧化硅层、氮化硅层、氧化硅和氮化硅叠层或碳化硅层；
所述前表面钝化层的厚度为50～100nm；
所述减反射层的材质包括氮化硅、ITO、氧化硅和氧化钛中的一种或多种；
所述减反射层的厚度为40～100nm。