本发明属于WLP封装结构的技术领域，具体涉及一种新型WLP封装结构及其制作方法。
背景技术：
目前，电子产品在高密度、高性能、高可靠性、低成本的发展趋势下，不断向微型化、密间距发展，封装采用元器件尺寸和可靠性也提出越来越高的要求。目前常规小尺寸器件(如0201、01005产品)大都采用传统的leadframe工艺，其生产成本较高、效率低，产品价格和尺寸难以进一步压缩。
技术实现要素：
本发明克服现有技术存在的不足，所要解决的技术问题为：提供一种产品结构和制作工艺更简单、产品尺寸更小、成本更低的新型WLP封装结构及其制作方法。
为了解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为：一种新型WLP封装结构，包括：硅衬底，所述硅衬底包括位于底部的无线路层和位于无线路层上的蚀刻电路层，所述蚀刻电路层上设有焊盘，所述无线路层的底部设有保护层，所述硅衬底的外表面设有绝缘层，所述绝缘层上设有凹槽，所述焊盘分别位于所述凹槽内，所述焊盘均与所述硅衬底的表面相接触。
相应地，一种新型WLP封装结构的制作方法，包括以下步骤：S101、提供未封装的晶圆结构，所述晶圆结构由多个一体成型的单元晶圆构成，所述单元晶圆包括硅衬底，所述硅衬底包括位于底部的无线路层和位于无线路层上的蚀刻电路层，所述蚀刻电路层上设有焊盘；S102、在两两相邻的单元晶圆之间的硅衬底上形成沟槽；S103、在所述沟槽内填充绝缘物，在裸露的硅衬底上形成绝缘层；S104、从硅衬底的背面对无线路层进行减薄；S105、在减薄后的无线路层的底部形成保护层；S106、以所述沟槽为分界线，将两两相邻的单元晶圆进行分离。
优选地，步骤S102中，所述在两两相邻的单元晶圆之间的硅衬底上形成沟槽，具体包括：用切割工具从所述晶圆结构的正面垂直切入硅衬底中，在两两相邻的单元晶圆之间的硅衬底上形成沟槽。
优选地，步骤S103中，所述在所述沟槽内填充绝缘物，在裸露的硅衬底上形成绝缘层，具体包括：在所述沟槽内和所述硅衬底上填充绝缘物，然后对硅衬底上的绝缘物进行打磨，露出焊盘。
优选地，步骤S104中，所述从硅衬底的背面对无线路层进行减薄，具体包括：从硅衬底的背面对无线路层进行磨划，减薄至需要的厚度。
优选地，步骤S106中，所述以所述沟槽为分界线，将两两相邻的单元晶圆进行分离，具体包括：沿着竖直方向，采用切割工具，以所述沟槽为分界线，将两两相邻的单元晶圆进行分离。
本发明与现有技术相比具有以下有益效果：首先，本发明简化掉了传统工艺的复杂的贴片或引线键合等流程，提高了效率和良品率，节省了成本损耗；其次，在较低成本和设备投入下，提升了器件的加工尺寸能力，能生产更小的器件(如01005)，更好满足市场需求；最后，本发明的结构相比于传统工艺结构更为简单，具有更优异可靠性；
附图说明
下面结合附图对本发明做进一步详细的说明；
图1为本发明实施例一提供的一种新型WLP封装结构的结构示意图；
图2至图7为本发明实施例一提供的一种新型WLP封装结构的制作方法的示意图；
图中：10为硅衬底，101为无线路层，102为蚀刻电路层，20为焊盘，30为保护层，40为绝缘层，50为沟槽，60为绝缘物。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例；基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
图1为本发明实施例一提供的一种新型WLP封装结构的结构示意图，如图1所示，一种新型WLP封装结构，包括：硅衬底10，所述硅衬底包括位于底部的无线路层101和位于无线路层101上的蚀刻电路层102，所述蚀刻电路层102上设有焊盘20，其特征在于：所述无线路层101的底部设有保护层30，所述硅衬底10的外表面设有绝缘层40，所述绝缘层40上设有凹槽，所述焊盘20分别位于所述凹槽内，所述焊盘20均与所述硅衬底10的表面相接触。
具体地，所述焊盘20可为铜柱焊盘，也可为镀锡银焊盘，或为其他焊盘。
具体地，所述保护层30可为喷胶镀膜层，也可为塑封树脂层等。
具体地，所述绝缘层40可为树脂绝缘层，也可为其他绝缘层。
具体地，所述凹槽和所述焊盘20均可为两个，或均可为多个。本实施例中的所述凹槽和所述焊盘20均为两个，但不限于此。
相应地，图2至图7为本发明实施例一提供的一种新型WLP封装结构的制作方法的示意图，一种新型WLP封装结构的制作方法，包括以下步骤：
如图2所示，S101、提供未封装的晶圆结构，所述晶圆结构由多个一体成型的单元晶圆构成，所述单元晶圆包括硅衬底10，所述硅衬底10包括位于底部的无线路层101和位于无线路层101上的蚀刻电路层102，所述蚀刻电路层102上设有焊盘20。
具体地，所述焊盘20可为铜柱焊盘，也可为镀锡银焊盘，或为其他焊盘。
如图3所示，S102、在两两相邻的单元晶圆之间的硅衬底10上形成沟槽50。
具体地，所述沟槽50的深度大于所述蚀刻电路层102的厚度。
更具体地，步骤S102中，所述在两两相邻的单元晶圆之间的硅衬底10上形成沟槽50，具体可包括：用切割工具从所述晶圆结构的正面垂直切入硅衬底10中，在两两相邻的单元晶圆之间的硅衬底10上形成沟槽50。
具体地，所述切割工具可为刀厚较厚的切割刀片，也可为激光切割工具。
如图4所示，S103、在所述沟槽50内填充绝缘物60，在裸露的硅衬底10上形成绝缘层40。
具体地，所述绝缘物60可为树脂或其他绝缘材料，所述绝缘层40可为树脂绝缘层，也可为其他绝缘层。
更具体地，步骤S103中，所述在所述沟槽50内填充绝缘物60，在裸露的硅衬底10上形成绝缘层40，具体可包括：在所述沟槽50内和所述硅衬底10上填充绝缘物60，然后对硅衬底10上的绝缘物60进行打磨，露出焊盘20。
如图5所示，S104、从硅衬底10的背面对无线路层101进行减薄。
具体地，步骤S104中，所述从硅衬底10的背面对无线路层101进行减薄，具体可包括：从硅衬底10的背面对无线路层101进行磨划，减薄至需要的厚度。
如图6所示，S105、在减薄后的无线路层101的底部形成保护层30。
具体地，所述保护层30可为喷胶镀膜层，也可为塑封树脂层等。
更具体地，步骤S105中，所述在减薄后的无线路层101的底部形成保护层30，具体可包括：采用喷胶镀膜工艺，在减薄后的无线路层101的底部形成保护层30。
如图7所示，S106、以所述沟槽50为分界线，将两两相邻的单元晶圆进行分离。
具体地，步骤S106中，所述以所述沟槽50为分界线，将两两相邻的单元晶圆进行分离，具体可包括：沿着竖直方向，采用切割工具，以所述沟槽50为分界线，将两两相邻的单元晶圆进行分离。
具体地，所述切割工具可为刀厚较薄的切割刀，也可为激光切割工具。
本实施例采用的此种WLP晶圆级封装，相比较传统工艺，能生产更小尺寸器件，同时还可以降低成本，简化生产流程，提升效率，符合未来市场发展需求。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。