1.一种霍尔元件，其特征在于，包括依次层叠设置的基板、P型锑化铟层、非掺杂锑化铟层；所述P型锑化铟层的厚度为20nm～1000nm；所述锑化铟层厚度为100nm-2000nm；还包括形成在所述非掺杂锑化铟层上的电极。
2.根据权利要求1所述的霍尔元件，其特征在于，还包括形成在所述非掺杂锑化铟层上的磁芯。