一种用于穿透PCB板的射频传输结构的制作方法

本实用新型涉及一种射频传输结构，尤其是一种用于印制电路板（PCB板）信号传输的射频传输结构，属于电接触互联技术领域。

背景技术：

印制电路板（PCB板）的信号传输有多种接触形式，通常在PCB板上设有若干个电镀通孔，通过外部通孔与外部电路接触进行信号传输。一般这种连接结构适合于连接器直接插拔，即由连接器的接触引脚直接与电镀通孔配合，实现系统互联与信号传输。

而对于射频连接器来说，比如现有的SMA、BNC、TNC等系列射频连接器来说，且结构形式为射频同轴结构，在现有的PCB板上无法进行插合，无法与PCB板上的电镀通孔直接进行匹配插合。

因此，现有的解决方案是：再设置一个转接头，其一端可以与PCB板上的电镀通孔配合，另一端与射频连接器同轴结构进行匹配。这种结构显然增加了使用成本，更重要的是，现有安装空间已经非常狭小，无法再安装转接头；此外，当多个连接器同时配合使用时，不仅可能会带来尺寸干涉，而且插拔力非常大，无法满足实际使用需求。

技术实现要素：

本实用新型正是针对现有技术存在的不足，提供一种用于穿透PCB板的射频传输结构。

为解决上述问题，本实用新型所采取的技术方案如下：

一种用于穿透PCB板的射频传输结构，所述射频传输结构用来与PCB板进行插合匹配，

所述PCB板上设置电镀通孔，在电镀通孔的上下两端设置有沉孔；

所述射频传输结构包括：外导体一、外导体二、内导体和介质体，所述内导体通过过盈配合压入介质体中，在介质体外部设置外导体一和外导体二，所述介质体通过过盈配合压入外导体一中，且外导体一、介质体、内导体端面平整，所述外导体二通过过盈配合压入远离外导体一的另一端，且外导体二、介质体、内导体端面平整；

所述外导体一和外导体二通过过盈配合压入电镀通孔和沉孔中。

作为上述技术方案的改进，所述外导体一上设置有用来与沉孔配合的第一台阶，以及用来与外导体二配合的第二台阶。

作为上述技术方案的改进，所述外导体一上设置有用来容纳介质体的第一内孔。

作为上述技术方案的改进，所述外导体二上设置有用来与沉孔配合的第三台阶，以及用来容纳介质体的第二内孔，且所述外导体二具有平整的下端面，所述下端面直接与第二台阶配合。

作为上述技术方案的改进，所述射频传输结构安装过程如下：

首先，通过过盈配合将内导体压入介质体中，形成一个整体；

其次，通过过盈配合再将介质体压入外导体一中，并使外导体一、介质体、内导体端面平整，形成一个整体；

第三，将上述步骤形成的整体结构，再通过过盈配合压入PCB板中，迫使第一台阶与沉孔配合平整；

最后，在另一端通过过盈配合压入外导体二，迫使第三台阶与沉孔配合在一起，并使其外端面平整。

本实用新型与现有技术相比较，本实用新型的实施效果如下：

本实用新型所述用于穿透PCB板的射频传输结构，将现有射频同轴结构直接安装在PCB板上，不再需要进行转接，不仅减轻重量，且不占用多余的安装空间；该结构通过过盈配合压入PCB板，可以实现多次无损安装与拆卸，装卸方便，便于后续维护与更换；所述射频传输结构设置有多个台阶，增大信号传输时的爬电距离，进一步提高射频同轴结构的电性能，该结构还可以实现小型化、轻质化，满足行业和技术发展趋势。

附图说明

图1为本实用新型所述一种用于穿透PCB板的射频传输结构示意图；

图2为本实用新型所述PCB板剖面主视图；

图3为图2的俯视图；

图4为图1中外导体一结构示意图；

图5为图1中外导体二结构示意图。

具体实施方式

下面将结合具体的实施例来说明本实用新型的内容。

如图1所示，为本实用新型所述一种用于穿透PCB板的射频传输结构示意图，图2为本实用新型所述PCB板剖面主视图，图3为图2的俯视图。本实用新型所述射频传输结构用来与PCB板50进行插合匹配，所述PCB板50上设置电镀通孔51，在电镀通孔51的上下两端还设置有沉孔52，电镀通孔51用来容纳本实用新型所述的射频传输结构，沉孔52用来与本实用新型所述的射频传输结构配合并锁紧。

如图1所示，所述射频传输结构包括：外导体一10、外导体二20、内导体30和介质体40。所述内导体30和介质体40为现有射频同轴连接器结构相同，内导体30为金属导电介质，一般采用铜基合金材料制成，介质体40为绝缘介质制成，内导体30通过过盈配合压入介质体40中。在介质体40外部设置外导体一10和外导体二20。

如图4所示，为图1中外导体一10结构示意图。外导体一10中空筒状结构，外侧设置有多个台阶，所述外导体一10上设置有第一台阶11和第二台阶12，所述第一台阶11用来与沉孔52配合，所述第二台阶12用来与外导体二20配合。外导体一10上还设置第一内孔13，第一内孔13用来容纳介质体40，第一台阶11和第二台阶12可以进一步提高其爬电距离，提高其电性能。

如图5所示，为图1中外导体二20结构示意图，外导体二20上设置有第三台阶21和第二内孔23，且外导体二20具有非常平整的下端面22，所述第三台阶21用来与沉孔52配合，所述第二内孔23用来容纳介质体40，所述下端面22直接与第二台阶12配合。第三台阶21可以进一步提高其爬电距离，提高其电性能。

本实用新型所述的射频传输结构，其安装过程如下：

首先，通过过盈配合将内导体30压入介质体40中，形成一个整体；

其次，通过过盈配合再将介质体40压入外导体一10中，并使外导体一10、介质体40、内导体30端面平整，形成一个整体；

第三，将上述步骤形成的整体结构，再通过过盈配合压入PCB板50中，迫使第一台阶11与沉孔52配合平整；

最后，在另一端通过过盈配合压入外导体二20，迫使第三台阶21与沉孔52配合在一起，并使其外端面平整。

以上内容是结合具体的实施例对本实用新型所作的详细说明，不能认定本实用新型具体实施仅限于这些说明。对于本实用新型所属技术领域的技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本实用新型保护的范围。