1.一种具有石墨烯层的氮化镓基光电器件外延结构，包括衬底，其特征在于：
所述衬底自下至上依次层状叠加的设置氮化物缓冲层、非故意掺杂氮化镓层和第一N型氮化镓层；
再在第一N型氮化镓层的基础上，在第一N型氮化镓层一侧表面上再次自下至上依次层状叠加的设置有源层、P型氮化镓层、ITO导电层和P电极；
在第一N型氮化镓层另一侧表面上设置与P电极绝缘的N电极；
所述非故意掺杂氮化镓层与第一N型氮化镓层之间还设有便于电子横向传导的石墨烯层。
2.根据权利要求1所述的一种具有石墨烯层的氮化镓基光电器件的外延结构，其特征在于，所述石墨烯层与所述非故意掺杂氮化镓层之间还设有便于电子在下层横向传导的第二N型氮化镓层。
3.根据权利要求1所述的一种具有石墨烯层的氮化镓基光电器件的外延结构，其特征在于，所述衬底为蓝宝石基板。
4.根据权利要求3所述的一种具有石墨烯层的氮化镓基光电器件的外延结构，其特征在于，所述蓝宝石基板为图样化基板。
5.根据权利要求1或2所述的一种具有石墨烯层的氮化镓基光电器件的外延结构，其特征在于，所述石墨烯层厚度为0.3～10奈米。