1.一种抗PID效应的太阳能电池片，包括衬底，所述衬底的表面具有扩散发射结，其特征在于，所述扩散发射结的表面设置有第一金属离子阻挡层，所述第一金属离子阻挡层的表面设置有减反射层，所述减反射层的表面设置有第二金属离子阻挡层。
2.根据权利要求1所述的抗PID效应的太阳能电池片，其特征在于，所述第一金属离子阻挡层为二氧化硅层。
3.根据权利要求2所述的抗PID效应的太阳能电池片，其特征在于，所述第二金属离子阻挡层为二氧化硅和碳氧化硅层。
4.根据权利要求3所述的抗PID效应的太阳能电池片，其特征在于，所述减反射层为氮化硅层。
5.根据权利要求4所述的抗PID效应的太阳能电池片，其特征在于，所述第一金属离子阻挡层的厚度范围为3纳米至8纳米。
6.根据权利要求5所述的抗PID效应的太阳能电池片，其特征在于，所述第二金属离子阻挡层的厚度范围为5纳米至10纳米。
7.根据权利要求6所述的抗PID效应的太阳能电池片，其特征在于，所述减反射层的厚度范围为50纳米至70纳米。
8.根据权利要求1-7任一项所述的抗PID效应的太阳能电池片，其特征在于，所述衬底为多晶硅衬底或单晶硅衬底。