USB端口ESD保护结构及其PCB电路结构的制作方法

本实用新型涉及微电子技术领域，具体涉及一种USB端口ESD保护结构及其PCB电路结构。

背景技术：

现在芯片集成化程度越来越高，芯片生产工艺水平不段的进步，芯片封装尺寸逐渐微型化，从而使得芯片变得更敏感，自身抗外界干扰的能力变弱，这对工程师设计产品时提出一定的挑战，工程师需要在产品设计阶段，从电路设计和PCB布局上加已特别关注和处理。

静电放电(Electrostatic Discharge，ESD)给电子器件会带来破坏性的后果。ESD以极高的强度很迅速地发生，通常将产生足够的热量熔化半导体芯片的内部电路，是造成集成电路失效的主要原因之一。

因此，需要提供一种新的USB端口ESD保护结构。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于提供一种解决产品ESD问题，降低ESD防护成本的USB端口ESD保护结构。

本实用新型的技术方案如下：所述USB端口ESD电路系统保护结构，包括具有外壳的USB端口、电阻、电源适配器及磁珠，所述USB端口的所述外壳通过所述电阻电连接于所述电源适配器的GND；所述电源适配器的GND通过所述磁珠电连接于所述电路系统的GND，所述电阻为用于形成ESD放电通路的注入电阻。

优选的，所述电阻的阻值为0Ω。

本实用新型提供了一种PCB电路结构，包括PCB板体和设置于所述PCB板体的如上述实施例中任意一项所述的USB端口ESD电路系统保护结构。

优选的，所述PCB电路结构还包括集成于所述PCB板体表面的芯片。

优选的，所述芯片为FPGA芯片。

优选的，位于所述PCB板体上的USB端口的GND的Trace线路做禁止铺铜处理。

本实用新型所提供的USB端口ESD保护结构USB进行接触放电时，因为USB外壳接接到电源适配器座GND上，而电源适配器座的GND与系统CND之间接了磁珠L600，磁珠对脉冲阻抗很大，所以脉冲干扰会往阻抗低的路径走，这样就不会对电路系统GND产生冲击，从而提高产品ESD防护能力。

【附图说明】

图1为本实用新型PCB电路结构的结构框图；

图2为本实用新型USB端口ESD保护结构的电路图。

【具体实施方式】

下面结合附图和实施方式对本实用新型作进一步说明。

请参阅图1和图2，其中，图1为本实用新型PCB电路结构的结构框图；图2为本实用新型USB端口ESD保护结构的电路图。所述PCB电路结构包括PCB板体1、集成于其表面的芯片2和USB端口ESD电路系统保护结构3。

所述USB端口ESD电路系统保护结构3包括具有外壳的USB端口31、电阻32、电源适配器33及磁珠34，所述USB端口31的所述外壳通过所述电阻32电连接于所述电源适配器33的GND；所述电源适配器33的GND通过所述磁珠34电连接于所述电路系统GND10，所述电阻32为用于形成ESD放电通路的注入电阻。

在本实施例中，所述电阻32的阻值为0Ω；所述芯片2为FPGA芯片。

位于所述PCB本体1上USB端口的GND的Trace线路做禁止铺铜处理；该设置是为了防止打ESD测试时，耦合到电路系统GND10上去，影响系统稳定。

ESD测试时，当我们对USB外壳进行接触放电时，因为USB外壳接接到电源适配器33的GND上，而电源适配器33的GND与电路系统GND10之间接了磁珠L600，所述磁珠34对脉冲阻抗很大，所以脉冲干扰会往阻抗低的路径走，即往适配器端释放，这样就不会对电路系统GND10产生冲击，从而提高产品ESD防护能力。

本实用新型所提供的USB端口ESD保护结构USB进行接触放电时，因为USB外壳接接到电源适配器的GND上，而电源适配器座的GND与系统CND之间接了磁珠L600，磁珠对脉冲阻抗很大，所以脉冲干扰会往阻抗低的路径走，这样就不会对电路系统GND产生冲击，从而提高产品ESD防护能力。

以上所述的仅是本实用新型的实施方式，在此应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型创造构思的前提下，还可以做出改进，但这些均属于本实用新型的保护范围。