一种适用于LTE&WWAN移动用户终端的九频段可重构天线的制作方法

文档序号:11304026阅读:471来源:国知局
一种适用于LTE&WWAN移动用户终端的九频段可重构天线的制造方法与工艺

涉及无线电设备领域,特别是一种九频段可重构天线。



背景技术:

无线电系统中发射或接收电磁波的设备,称为天线(antenna)。天线的功能是能量转换:将射频导波能量变换成无线电能量向空间辐射;或反之,将入射的空间电磁波能量变换成射频导波能量传输给接收机。即天线是导行电磁波与空间电磁波之间的转换器。

可重构天线(Reconfigurable Antenna),一般指的是天线结构可重构。或是通过其电流或者口径场的再分布,来求得天线电性能的改变。随着多功能无线终端,多输入多输出(MIMO)和超宽带系统以及抗干扰与安全通信的需求,可重构天线成为了新的研究热点之一。

PIN二极管(PIN Diode),在P和N半导体材料之间加入一薄层低掺杂的本征(Intrinsic)半导体层,组成的这种P-I-N结构的二极管就是PIN二极管。PIN二极管常作为可变阻抗元件使用,或是作为微波射频开关用于可重构天线设计之中。

现在市场上急需通过使用PIN二极管,来改变天线电流分布,使天线电性能参数发生改变,从而实现覆盖LTE/WWAN九频段移动通信系统;现有技术还未解决这样的问题。



技术实现要素:

为解决现有技术的不足,本实用新型的目的在于提供一种适用于LTE&WWAN移动用户终端的九频段可重构天线,本实用新型通过4个PIN二极管分布在天线辐射单元不同枝条上,通过改变4个PIN二极管的偏置状态,使其辐射单元的各个枝条电流重分布,使天线电性能参数发生改变,从而实现 覆盖LTE700(698-787MHz),GSM850(824-894MHz),GSM900(880-960MHz),GSM1800(1710-1880MHz),GSM1900(1850-1990MHz),UMTS(1920-2170MHz),LTE2300(2300-2400MHz),LTE2500(2500-2690MHz),WLAN(2400-2480MHz)频段,这九频段移动通信系统,实现全球漫游。

为了实现上述目标,本实用新型采用如下的技术方案:

一种适用于LTE&WWAN移动用户终端的九频段可重构天线,辐射单元,嵌入辐射单元内的PIN二极管组件,固定辐射单元和PIN二极管组件的固定件,固定固定件的手机基板;辐射单元组成有:第一辐射枝条,第二辐射弯折枝条,第三辐射弯折枝条;PIN二极管组件组成有:位于第二辐射弯折枝条中的第一PIN二极管,嵌入第三辐射弯折纸条中的第二PIN二极管、第三PIN二极管,第四PIN二极管。

前述的一种适用于LTE&WWAN移动用户终端的九频段可重构天线,固定件为FR4材质的立方体。

前述的一种适用于LTE&WWAN移动用户终端的九频段可重构天线,固定件的体积为:40mm×8mm×5mm。

前述的一种适用于LTE&WWAN移动用户终端的九频段可重构天线,手机基板为FR4材质的基板。

前述的一种适用于LTE&WWAN移动用户终端的九频段可重构天线,手机基板的体积为:136mm×68.8mm×1mm。

前述的一种适用于LTE&WWAN移动用户终端的九频段可重构天线,第一辐射枝条位于正面左侧位置,第二辐射弯折枝条位于顶部位置,第三辐射弯折枝条位于正面折叠至背面的位置。

前述的一种适用于LTE&WWAN移动用户终端的九频段可重构天线,还包括:附于手机基板的下表面的一层金属地板,附于手机基板的下表面并用于阻抗匹配的梯形净空区域。

前述的一种适用于LTE&WWAN移动用户终端的九频段可重构天线,第一PIN二极管、第二PIN二极管、第三PIN二极管,第四PIN二极管为HSMP-3860PIN二极管。

前述的一种适用于LTE&WWAN移动用户终端的九频段可重构天线,HSMP-3860PIN二极管在正向导通时等效为一个1.5ohm电阻,在加反向偏置电压时相当于一个0.2pf的电容。

本实用新型的有益之处在于:本实用新型提供一种适用于LTE&WWAN移动用户终端的九频段可重构天线,本实用新型通过4个PIN二极管分布在天线辐射单元不同枝条上,通过改变4个PIN二极管的偏置状态,使其辐射单元的各个枝条电流重分布,使天线电性能参数发生改变,相比于以往结构较为复杂而覆盖频段较少的天线,本天线结构设计简单同时满足全球覆盖的要求,实现覆盖LTE700/2300/2500,GSM850/900/1800/1900,UMTS以及WLAN的九频段覆盖。该实用新型覆盖频段内,各覆盖频段具有较好的增益以及辐射效率,满足了如今无线通信系统的性能要求。该天线的尺寸仅为40mm×8mm×5mm,尺寸较小,解决了手机内部预留给天线设计空间不足的问题。

附图说明

图1是本实用新型的一种实施例的结构示意图;

图2是本实用新型的辐射单元一种实施例的展开示意图;

图3是本实用新型手机基板下表面一种实施例的结构示意图;

图4是天线在表1中状态1和2下的S参数;

图5是天线在表1中状态3和4下的S参数;

图6是天线在xoz平面内测试的0.77GHz、1.75GHz以及2.45GHz频点处的 方向图;

图7是天线在yoz平面内测试的0.77GHz、1.75GHz以及2.45GHz频点处的方向图;

图8是天线增益及辐射效率图;

图中附图标记的含义:

1第一辐射枝条,2第二辐射弯折枝条,3第三辐射弯折枝条,4第一PIN二极管,5第二PIN二极管,6第三PIN二极管,7第四PIN二极管,8梯形净空区域,9金属地板。

具体实施方式

以下结合附图和具体实施例对本实用新型作具体的介绍。

一种适用于LTE&WWAN移动用户终端的九频段可重构天线,辐射单元,嵌入辐射单元内的PIN二极管组件,固定辐射单元和PIN二极管组件的固定件,固定固定件的手机基板;辐射单元组成有:第一辐射枝条1,第二辐射弯折枝条2,第三辐射弯折枝条3;PIN二极管组件组成有:位于第二辐射弯折枝条2中的第一PIN二极管4,嵌入第三辐射弯折纸条中的第二PIN二极管5、第三PIN二极管6,第四PIN二极管7。作为一种优选,第一辐射枝条1位于正面左侧位置,第二辐射弯折枝条2位于顶部位置,第三辐射弯折枝条3位于正面折叠至背面的位置。

作为一种优选,固定件为FR4材质的立方体;固定件的体积为:40mm×8mm×5mm。手机基板为FR4材质的基板;手机基板的体积为:136mm×68.8mm×1mm。辐射单元和4个PIN二极管紧贴在立方体上,手机基板设置为136mm×68.8mm×1mm的体积符合主流尺寸的5英寸手机基板上;选用FR4材质是因为FR4材质的相对介电常数为4.4,损耗正切为0.02。

九频段可重构天线,还包括:附于手机基板的下表面的一层金属地板9,附 于手机基板的下表面并用于阻抗匹配的梯形净空区域8。作为一种优选,金属地板9为薄层铜皮,梯形净空区域8为不附着薄层铜皮的区域,为了在整个LTE/WWAN有较好的阻抗带宽,所以该梯形净空区域8具有阻抗匹配的作用。

第一PIN二极管4、第二PIN二极管5、第三PIN二极管6,第四PIN二极管7为HSMP-3860PIN二极管。HSMP-3860PIN二极管在正向导通时等效为一个1.5ohm电阻,在加反向偏置电压时相当于一个0.2pf的电容。如下表1所示是PIN二极管工作在不同工作状态下天线所覆盖的工作频段,通过组合4个PIN二极管的偏置状态,改变天线电流的分布,从而得到可适用于全球漫游通信的LTE/WWAN九频段可重构天线。

表1

为了更进一步的说明本实用新型带来的效果,结合图4-8与表1进行说明;

如图4、5为本实用新型天线PIN二极管工作在1、2状态下和3、4状态下的S参数曲线图,从图中看出本实用新型能很好的覆盖LTE700/2300/2500,GSM850/900/1800/1900,UMTS以及WLAN频段,满足了全球移动通信系统覆盖的要求。

如图6、7为本实用新型天线在xoz以及yoz平面内测试的0.77GHz、1.75GHz以及2.45GHz频点处的方向图,测试表明本天线具有良好的方向性性能。

如图8为天线增益及辐射效率图,在低频段处(698-960MHz),天线测试增益从-1.2dBi上升至1.9dBi辐射效率超过37%,在高频段处(1710-2690MHz),天线测试增益从-0.83dBi变化至2.66dBi同时辐射效率超过50%,满足现代通信的要求。

本实用新型提供一种适用于LTE&WWAN移动用户终端的九频段可重构天线,本实用新型通过4个PIN二极管分布在天线辐射单元不同枝条上,通过改变4个PIN二极管的偏置状态,使其辐射单元的各个枝条电流重分布,使天线电性能参数发生改变,相比于以往结构较为复杂而覆盖频段较少的天线,本天线结构设计简单同时满足全球覆盖的要求,实现覆盖LTE700/2300/2500,GSM850/900/1800/1900,UMTS以及WLAN的九频段覆盖。该实用新型覆盖频段内,各覆盖频段具有较好的增益以及辐射效率,满足了如今无线通信系统的性能要求。该天线的尺寸仅为40mm×8mm×5mm,尺寸较小,解决了手机内部预留给天线设计空间不足的问题。

以上显示和描述了本实用新型的基本原理、主要特征和优点。本行业的技术人员应该了解,上述实施例不以任何形式限制本实用新型,凡采用等同替换或等效变换的方式所获得的技术方案,均落在本实用新型的保护范围内。

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