晶粒检测装置及其导电元件的制作方法

本实用新型涉及一种检测装置，特别是涉及一种用于垂直式晶粒的检测装置及用于检测的导电元件。

背景技术：

晶圆制造过程可概分为晶圆处理制程、针测制程、构装、测试制程等几个步骤，在经过晶圆处理制程后，晶圆上即形成晶粒，而晶粒须通过针测仪器以测试其电气特性，检查其是否为不良品，而不合格的晶粒将标上记号，并将合格晶粒依其电气特性分类，再进行下个制程步骤。

其中，晶粒结构又分为横向结构与垂直结构，横向结构晶粒的两个电极在晶粒的同一侧，电流在n和p类型限制层中横向流动不等的距离，而垂直结构的晶粒的两个电极分别在外延层的两侧。

当横向结构晶粒排列整齐后，在作晶圆针测时，将针测仪器接于两个电极即可测试其电气特性。但是，垂直结构晶粒的两个电极在外延层的两侧，因此，需要将排列整齐后的垂直结构晶粒，先移动至量测区将晶粒摆为横向作测试后，再将测试完成后的晶粒摆回待构装制程位置。如此一来，在作垂直结构晶粒测试时，容易在移动过程中损伤晶粒，导致成本消耗，而且须耗费更多时间作针测步骤，且每次检测仅能单一检测，导致制造过程时间增加及减少产能效率。

另外，为解决相关问题，有相关业者将晶圆以半切方式先作针测制程，当测试完成后，再将晶圆作切割，但是采用半切方式，容易在针测制程后，因再次切割而导致电性改变，导致不良率提升，造成制造成本的增加。

技术实现要素：

基于此，有必要提供一种晶粒检测装置，来改善垂直结构晶粒的测试方式，以缩短针测制程时间，提高制程效率。所述晶粒检测装置藉由具导电性的导电元件连接垂直式晶粒的第一电极，并将探测组件分别电连接导电元件与垂直式晶粒的第二电极，藉此，即可直接批量测试垂直式晶粒的电气特性，减少量测流程与时间，提高制造过程效率。

一种晶粒检测装置，其用于检测垂直式晶粒，垂直式晶粒具有第一电极与第二电极，所述晶粒检测装置包括：导电元件，其与所述垂直式晶粒的所述第一电极连接，其中，所述导电元件具有导电性；以及探测组件，其具有第一探针件及第二探针件，所述第一探针件与所述第二探针件电连接相反极性电压，其中，该第一探针件电连接所述导电元件，所述第二探针件电连接所述垂直式晶粒的所述第二电极。

较佳地，还包括平台，用于放置该导电元件。

较佳地，所述导电元件与所述垂直式晶粒的所述第一电极以黏接方式连接。

较佳地，所述导电元件为导电胶带。

一种导电元件，包括：连接层，其与所述垂直式晶粒的所述第一电极连接；以及支撑层，其连接连接层，且用以与所述第一探针件电连接，其中，所述支撑层具有导电性。

较佳地，所述连接层与所述垂直式晶粒的所述第一电极以黏接方式连接。

较佳地，所述连接层具有第一面及与第一面相反设置的第二面，所述第一面与所述垂直式晶粒的所述第一电极连接，所述第二面与所述支撑层连接。

较佳地，所述第一面具有黏性。

本实用新型通过将垂直式晶粒的第一电极黏接于导电元件上，将第一探针件与第二探针件分别电连接于导电元件与垂直式晶粒的第二电极上，并给予第一探针件与第二探针件通以不同电压极性，即可进行电气特性测试，藉此，节省习知针测垂直式晶粒所需的流程与时间，以提高制造过程效率。

另外，于本实用新型中，可将多个垂直式晶粒黏接于导电元件上，即可一次性作批量检测，藉此，提高制造过程效率及产量。

再者，能够以全切的垂直式晶粒作测试，避免因二次切割导致电气改变，进而影响良率问题，藉此，提升垂直式晶粒的合格率及质量。

附图说明

图1为本实用新型一个实施例提供的晶粒检测装置的示意图。

图2为本实用新型提供的导电元件示意图。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下通过实施例，并结合附图，对本实用新型进行进一步详细说明。

请参阅图1至图2所示，本实用新型提供一种晶粒检测装置，其用于检测垂直式晶粒1的电气特性，垂直式晶粒1具有第一电极2与第二电极3，其中，第一电极2为P极或N极，第二电极3为N极或P极，垂直式晶粒1的第一电极2与第二电极3极性不同，晶粒检测装置包括：

平台10，其具有一表面11，而表面11用以提供物品放置。

导电元件20，其放置于平台10且与垂直式晶粒1的第一电极2连接，其中，导电元件20具有导电性。导电元件20具有连接层21及支撑层22，连接层21用以与垂直式晶粒1的第一电极2连接，而支撑层22与连接层21连接且放置于平台10的表面11上，其中，连接层21具有第一面211及与第一面211相反设置的第二面212，第一面211与垂直式晶粒1的第一电极2连接，第二面212与支撑层22连接，而支撑层22具有导电性，于本实用新型中，导电元件20为导电胶带，第一面211具有黏性，而第一面211与垂直式晶粒1的第一电极2以黏接方式连接；另外，导电元件20的连接层21可供多个垂直式晶粒1设置。

探测组件30，其具有第一探针件31及第二探针件32，第一探针件31与第二探针件32电连接相反极性电压(正负电压)，其中，第一探针件31电连接导电元件20的支撑层22，第二探针件32电连接垂直式晶粒1的第二电极3，在晶粒电气针测时，依照电气测试需求，通给第一探针件31与第二探针件32相反极性电压，以检测垂直式晶粒1是否正常。

如图1及图2所示，在晶圆制造之制程中，当晶圆处理后形成多个垂直式晶粒1，为确保垂直式晶粒1皆为合格品，须进行针测制程，检测垂直式晶粒1的电气特性，在针测制程前，需将导电元件20放置于平台10上，借助机械手臂将多个垂直式晶粒1的第一电极2依序排列并黏接于连接层21的第一面211，接着，将第一探针件31点接触于支撑层22，第二探针件32分别点接触于垂直式晶粒1的第二电极3，并依照垂直式晶粒1的电气测试需求，通给第一探针件31与第二探针件32不同极性电极，以检测垂直式晶粒1是否正常，由此，可批量作垂直式晶粒1的检测，以提升检测效率、提高制造过程效率及产量。

进一步地，本实用新型可直接利用全切的垂直式晶粒1作测试，避免二次切割导致电气改变问题，以确保垂直式晶粒1的合格率及质量，进而提高制造过程良率。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。