发光二极管晶粒的制造方法
【专利摘要】一种发光二极管晶粒的制造方法，其包括以下步骤：提供一基板；在该基板表面形成缓冲层；在该缓冲层表面形成过渡层，该过渡层为InGaN材质；继续在该过渡层上生长磊晶层，该磊晶层包括依次生长的第一半导体层、发光层及第二半导体层；对该过渡层进行活化处理，即对该过渡层进行激光照射，该激光的波长大于420nm，且活化温度为1000-1400℃以及将该基板和缓冲层自该磊晶层上分离。
【专利说明】发光二极管晶粒的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种半导体元件的制造方法，特别涉及一种发光二极管晶粒的制造方 法。
【背景技术】
[0002] 发光二极管（Li曲t血itting Diode, LED)是一种可将电流转换成特定波长范围 的光的半导体元件。发光二极管W其亮度高、工作电压低、功耗小、易与集成电路匹配、驱动 简单、寿命长等优点，从而可作为光源而广泛应用于照明领域。
[0003] 现有的发光二极管晶粒通常包括蓝宝石基板、缓冲层W及在该缓冲层表面生长的 半导体发光结构。然而上述结构存在W下问题：蓝宝石基板的导热系数较差，使得发光二极 管晶粒的散热性能较差；半导体发光结构所发出的朝向蓝宝石基板一侧的光线在进入蓝宝 石基板后，会被蓝宝石基板所吸收，从而降低发光二极管晶粒的出光效率。因此该蓝宝石基 板需要剥离。
[0004] 传统的发光二极管晶粒的基板被移除后，磊晶层的表面还具有一缓冲层，常需用 电感式禪合电浆干蚀刻系统（in化ctively coupled plasma, ICP)去除。然而对于垂直结 构的发光二极管晶粒，可能因蚀刻强度控制不当，导致均匀度不佳无法有效地将缓冲层去 除完整，或不小也去除到磊晶层，如此造成后续制造时出现问题，如电性偏高等；另外，蚀刻 过程所需的时间也相对兀长。
【发明内容】
[0005] 鉴于此，有必要提供一种基板较易剥离的发光二极管晶粒的制造方法。
[0006] 一种发光二极管晶粒的制造方法，其包括W下步骤：提供一基板，该基板为蓝宝石 基板；在该基板表面形成缓冲层；在该缓冲层表面形成过渡层，该过渡层为InGaN材质；继 续在该过渡层上生长磊晶层，该磊晶层包括依次生长的第一半导体层、发光层及第二半导 体层；对该过渡层进行活化处理，即对该过渡层进行激光照射，该激光的波长大于420nm， 且活化温度为1000-140(TC ;将该基板和缓冲层自该磊晶层上分离。
[0007] 与现有技术相比，本发明的发光二极管晶粒的制造方法中，在缓冲层与磊晶层之间 设置一过渡层，且过渡层为InGaN薄膜，通过将温度加热到1000-140(TC，且对其进行激光照 射，该激光的波长大于420nm，导致过渡层被固化分离。如此能够得到单独地磊晶层，避免了 蚀刻不均匀的问题，同时降低了后续制造工序出现问题的风险，且耗时较短，生产效率高。
【专利附图】
【附图说明】
[0008] 图1是本发明的发光二极管晶粒的制造方法中所提供的基板、缓冲层、过渡层和 磊晶层的W意图。
[0009] 图2是本发明的发光二极管晶粒的制造方法中将基板、缓冲层和过渡层剥离的示 意图。
[0010] 主要元件符号说明
【权利要求】
1. 一种发光二极管晶粒的制造方法，包括w下步骤： 提供一基板； 在所述基板表面形成缓冲层； 在所述缓冲层表面形成过渡层，该过渡层为InGaN材质； 继续在所述过渡层上生长磊晶层，该磊晶层包括依次生长的第一半导体层、发光层及 第二半导体层； 对所述过渡层进行活化处理，其中对该过渡层进行激光照射，该激光的波长大于 420nm，且活化温度为1000-140(TC ;及 将该基板和缓冲层自该磊晶层上分离。
2. 如权利要求1所述的发光二极管晶粒的制造方法，其特征在于，该第一半导体层为N 型半导体层，第二半导体层为P型半导体层。
3. 如权利要求1所述的发光二极管晶粒的制造方法，其特征在于，该过渡层的厚度为 100A 至 200A。
4. 如权利要求1所述的发光二极管晶粒的制造方法，其特征在于，该激光的波长为 420-520nm。
5. 如权利要求1所述的发光二极管晶粒的制造方法，其特征在于，该缓冲层为未惨杂 的氮化嫁材料制成。
6. 如权利要求1所述的发光二极管晶粒的制造方法，其特征在于，该缓冲层、过渡层和 磊晶层均是通过有机金属化学气相沉积法、分子束磊晶法或团化物化学气相磊晶法生长而 成的。
7. 如权利要求1所述的发光二极管晶粒的制造方法，其特征在于，该基板为蓝宝石基 板。
【文档编号】H01L33/00GK104465897SQ201310440192
【公开日】2015年3月25日 申请日期:2013年9月25日 优先权日:2013年9月25日
【发明者】杨顺贵, 洪梓健 申请人:展晶科技(深圳)有限公司, 荣创能源科技股份有限公司