发光二极管晶粒及其制造方法
【专利摘要】一种发光二极管晶粒，包括：基板；形成在基板上的第一导电层，所述第一导电层为交替层叠的P型氮化铝铟镓层以及石墨烯层；依次形成在第一导电层上的P型氮化铝铟镓层、发光结构层、N型氮化铝铟镓层；以及第二导电层，形成在N型氮化铝铟镓层上。由于石墨烯层的电阻率较低，其将会降低发光二极管晶粒的内阻及改善其发光效率。本发明还提供了一种发光二极管晶粒的制造方法。
【专利说明】发光二极管晶粒及其制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种发光二极管晶粒及其制造方法。
【背景技术】
[0002] 发光二极管（Light Emitting Diode, LED)是一种可将电流转换成特定波长范围 的光的半导体元件。发光二极管以其亮度高、工作电压低、功耗小、易与集成电路匹配、驱动 简单、寿命长等优点，从而可作为光源而广泛应用于照明领域。
[0003] 为了提升发光二极管的发光效率，除了改进磊晶技术外，在结构上如何降低启动 电压，降低发光二极管的内阻以减少散热，是人们研究的一个重要的课题。
【发明内容】
[0004] 有鉴于此，有必要提供一种内阻较低的发光二极管晶粒及其制造方法。
[0005] 一种发光二极管晶粒，包括： 基板； 形成在基板上的第一导电层，所述第一导电层为交替层叠的P型氮化铝铟镓层以及石 墨烯层； 依次形成在第一导电层上的P型氮化铝铟镓层、发光结构层、N型氮化铝铟镓层；以及 第二导电层，形成在N型氮化铝铟镓层上。
[0006] 一种发光二极管晶粒制造方法，包括： 提供一临时基板； 在临时基板上形成低温氮化铝铟镓牺牲层、第二导电层、N型氮化铝铟镓层、发光结构 层、P型氮化铝铟镓层以及第一导电层，所述第一导电层为交替层叠的P型氮化铝铟镓层以 及石墨烯层； 去除低温氮化铝铟镓牺牲层以将第二导电层与临时基板分离； 将一导电基板粘结至第一导电层；以及 在导电基板与第一导电层相反的表面制作第一电极，在第二导电层的表面制作第二电 极。
[0007] -种发光二极管晶粒制造方法，包括： 提供一临时基板； 在临时基板上形成低温氮化铝铟镓牺牲层、第二导电层、N型氮化铝铟镓层、发光结构 层、P型氮化铝铟镓层以及第一导电层，所述第一导电层为交替层叠的P型氮化铝铟镓层以 及石墨烯层； 去除低温氮化铝铟镓牺牲层以将第二导电层与临时基板分离； 制作一蚀刻平台，该蚀刻平台从第二导电层延伸至第一导电层以暴露出第一导电层的 部分表面；以及 在暴露的第一导电层的表面制作第一电极，在第二导电层的表面制作第二电极。
[0008] 在上述发光二极管晶粒及其制造方法中，第一导电层为交替层叠的P型氮化铝铟 镓层以及石墨烯层，由于石墨烯材料具有电阻率较低的特点，所述石墨烯材料将会降低发 光-极管晶粒的内阻，从而提1?其发光效率。
【专利附图】
【附图说明】
[0009] 图1是本发明第一实施例所提供的发光二极管晶粒的结构示意图。
[0010] 图2是图1中的第一导电层的结构示意图。
[0011] 图3是图1中的第二导电层的结构示意图。
[0012] 图4-图8是图1中的发光二极管晶粒的制造方法。
[0013] 图9是本发明第二实施例所提供的发光二极管晶粒的结构示意图。
[0014] 图10-图15是图9中的发光二极管晶粒的制造方法。
[0015] 主要元件符号说明
【权利要求】
1. 一种发光二极管晶粒，包括： 基板； 形成在基板上的第一导电层，所述第一导电层为交替层叠的P型氮化铝铟镓层以及石 墨烯层； 依次形成在第一导电层上的P型氮化铝铟镓层、发光结构层、N型氮化铝铟镓层；以及 第二导电层，形成在N型氮化铝铟镓层上。
2. 如权利要求1所述的发光二极管晶粒，其特征在于，所述第二导电层为交替层叠的N 型氮化铝铟镓层以及石墨烯层。
3. 如权利要求1或2所述的发光二极管晶粒，其特征在于，所述石墨烯层为单原子层堆 叠结构或者多原子层堆叠结构。
4. 如权利要求1所述的发光二极管晶粒，其特征在于，所述发光二极管晶粒包括第一 电极和第二电极，第一电极与第一导电层电连接，第二电极与第二导电层电连接。
5. 如权利要求4所述的发光二极管晶粒，其特征在于，所述基板为导电基板，第一电极 形成在导电基板的与第一导电层相反的表面，第二电极直接形成在第二导电层的表面。
6. 如权利要求4所述的发光二极管晶粒，其特征在于，所述发光二极管晶粒形成有蚀 刻平台，所述蚀刻平台从第二导电层延伸至第一导电层以暴露出第一导电层的部分表面， 所述第一电极设置在蚀刻平台上且与第一导电层相接触，第二电极设置在第二导电层的表 面。
7. -种发光二极管晶粒制造方法，包括： 提供一临时基板； 在临时基板上形成低温氮化铝铟镓牺牲层、第二导电层、N型氮化铝铟镓层、发光结构 层、P型氮化铝铟镓层以及第一导电层，所述第一导电层为交替层叠的P型氮化铝铟镓层以 及石墨烯层； 去除低温氮化铝铟镓牺牲层以将第二导电层与临时基板分离； 将一导电基板粘结至第一导电层；以及 在导电基板与第一导电层相反的表面制作第一电极，在第二导电层的表面制作第二电 极。
8. 如权利要求7所述的发光二极管晶粒制造方法，其特征在于，所述第二导电层为交 替层叠的N型氮化铝铟镓层以及石墨烯层。
9. 一种发光二极管晶粒制造方法，包括： 提供一临时基板； 在临时基板上形成低温氮化铝铟镓牺牲层、第二导电层、N型氮化铝铟镓层、发光结构 层、P型氮化铝铟镓层以及第一导电层，所述第一导电层为交替层叠的P型氮化铝铟镓层以 及石墨烯层； 去除低温氮化铝铟镓牺牲层以将第二导电层与临时基板分离； 制作一蚀刻平台，该蚀刻平台从第二导电层延伸至第一导电层以暴露出第一导电层的 部分表面；以及 在暴露的第一导电层的表面制作第一电极，在第二导电层的表面制作第二电极。
10. 如权利要求9所述的发光二极管晶粒制造方法，其特征在于，所述第二导电层为交 替层叠的N型氮化铝铟镓层以及石墨烯层。
【文档编号】H01L33/00GK104253186SQ201310259080
【公开日】2014年12月31日 申请日期:2013年6月26日 优先权日:2013年6月26日
【发明者】曾坚信 申请人:鸿富锦精密工业（深圳）有限公司, 鸿海精密工业股份有限公司