技术特征：
技术总结
绝缘栅功率半导体装置(1)具有发射极侧(22)与集电极侧(27)之间的(n‑)掺杂漂移层(5)。沟槽栅电极(7)具有沟槽底部(76)和沟槽横向侧(75)，并且延伸到沟槽深度(77)。p掺杂第一保护枕(8)覆盖沟槽底部(76)。n掺杂第二保护枕(9)在其沟槽横向侧(75)处环绕沟槽栅电极(7)。第二保护枕(9)在第一深度(90)(其是沟槽深度(77)的至少一半)中具有最大掺杂浓度，其中第二保护枕的掺杂浓度朝发射极侧(22)从最大掺杂浓度降低到不超过最大掺杂浓度的一半的值。n掺杂增强层(95)在第二深度(97)(其比第一深度(90)低)中具有最大掺杂浓度，其中掺杂浓度在第二深度(97)与第一深度(90)之间具有局部掺杂浓度最小数。
技术研发人员：L.德-米奇伊里斯;C.科瓦斯塞
受保护的技术使用者：ABB瑞士股份有限公司
技术研发日：2016.01.12
技术公布日：2017.10.13