铁电体存储元件、其制造方法、以及使用其的存储单元及使用其的无线通信装置与流程

技术特征：

技术总结
提供驱动电压低、可通过涂布而形成的铁电体存储元件。至少具备第一导电膜、第二导电膜、和设置于所述第一导电膜与所述第二导电膜之间的铁电体层的铁电体存储元件，其中，所述铁电体层含有铁电体粒子及有机成分，并且，所述铁电体粒子的平均粒径为30～500nm。

技术研发人员：胁田润史;清水浩二;河井翔太;村濑清一郎
受保护的技术使用者：东丽株式会社
技术研发日：2016.11.21
技术公布日：2018.07.17