本公开内容的实施方式涉及用于保持基板的载体、用于在基板上沉积材料的沉积系统以及用于控制基板的温度的方法。本公开内容的实施方式特别涉及用于在真空处理腔室中保持基板的载体、包括真空处理腔室的真空处理系统以及用于在真空处理腔室中的基板处理期间控制基板的温度的方法。
背景技术：
在基板上的层沉积技术包括例如热蒸发、化学气相沉积(cvd)及物理气相沉积(pvd)，物理气相沉积诸如溅射沉积。溅射沉积工艺可用于在基板上沉积材料层，诸如绝缘材料层或金属层。在溅射沉积工艺期间，用产生于等离子体区域中的离子轰击具有待沉积于基板上的靶材料的靶，以从靶的表面逐出(dislodge)靶材料的原子。被逐出的原子可在基板上形成材料层。在反应溅射沉积工艺中，被逐出的原子可与等离子体区域中的气体反应，气体例如为氮或氧，以在基板上形成靶材料的氧化物、氮化物或氮氧化物。
涂布的材料可使用于数种应用中及数种技术领域中。举例来说，涂布的材料可使用于微电子领域中，比如用于产生半导体装置。另外，用于显示器的基板可使用pvd工艺涂布。其他应用包括绝缘面板、有机发光二极管(oled)面板、具有薄膜晶体管(tft)的基板、滤色片或类似应用。
趋于较大且亦较薄的基板的趋势可能因例如在沉积工艺期间施加至基板的应力而导致基板的凸出(bulging)。在沉积工艺期间保持基板的支撑系统例如因将基板边缘推向基板的中心而在基板上引致凸出。凸出可能因破裂的可能性增加而接着导致问题产生。因此，对减少凸出及支撑较大且较薄的基板而没有损害或破裂存在需求。此外，对于一些应用来说，需要基板处理期间(例如材料沉积期间)的基板的热控制，以最佳化基板上沉积的层的特性。
鉴于前述情况，对提供克服本领域中的至少一些问题的在基板处理期间保持基板的载体、处理系统及用于控制处理参数的方法存在需求，所述处理参数诸如层沉积期间的基板的温度。
技术实现要素：
鉴于上述情况，提供一种用于保持基板的载体、一种处理系统以及一种用于控制基板的温度的方法。本公开内容的其他方面、优点及特征从权利要求书、说明书及附图而显而易见。
根据本公开内容的一方面，提供一种用于保持基板的载体。载体包括：载体主体，具有第一表面；以及粘附布置，设置于第一表面上，其中载体主体包括一或多个管道，一或多个管道被配置为用于提供气体至粘附布置中。
根据本公开内容的另一方面，提供根据本文描述的任何实施方式的载体在处理系统中的使用，特别是在用于沉积材料于基板上的真空沉积系统中的使用。
根据本公开内容的再另一方面，提供一种处理系统。处理系统包括处理腔室；处理装置；以及根据本文描述的任何实施方式的载体。
根据本公开内容的另一方面，提供一种用于控制基板的温度的方法。所述方法包括提供根据本文描述的任何实施方式的载体；通过一或多个管道供应气体至粘附布置中；以及提供气体至贴附于粘附布置的基板的背侧。
实施方式还针对用于执行所公开的方法的设备，所述设备包括用于执行描述的各方法方面的设备部件。这些方法方面可通过硬件部件、由合适软件编程的计算机、两者的任何结合或任何其他方式执行。此外，根据本公开内容的实施方式还针对用于操作所描述的设备的方法。用于操作所描述的设备的方法包括用于执行设备的各功能的方法方面。
附图说明
为了能详细地了解本公开内容的上述特征，可通过参照实施方式获得以上简要概述的本公开内容的更特定描述。附图有关于本公开内容的实施方式，且说明于下：
图1绘示根据本文描述的实施方式的用于保持基板的载体的示意截面图；
图2绘示根据本文描述的实施方式的用于保持基板的载体的示意透视图；
图3绘示图2所示的根据本文描述的实施方式的载体的部分的详细示意图；
图4a绘示沿着图2所示的载体的线a-a的示意截面图；
图4b绘示根据本文描述的另外的实施方式的用于保持基板的载体的示意截面图；
图5a绘示根据本文描述的另外的实施方式的用于保持两个或更多个基板的载体的示意图；
图5b绘示没有基板的情况下图5a中所示的载体的示意图；
图6绘示根据本文描述的实施方式的处理系统的示意图；以及
图7绘示示出根据本文描述的实施方式的用于控制基板的温度的方法的流程图。
具体实施方式
现将详细地参照多种实施方式，多种实施方式的一或多个示例绘示于各图中。每个示例通过说明的方式提供且不意为限制。举例来说，绘示或描述为一实施方式的部分的特征可用于任何其他实施方式或与任何其他实施方式结合，以产生又进一步实施方式。旨在使本公开内容包括这些调整及变化。
在下面的附图描述中，相同参考编号意指相同或相似的部件。一般来说，仅描述关于各别实施方式的不同之处。除非另有说明，一实施方式中的一部分或方面的描述亦应用于另一实施方式中的对应部分或方面。
在详细描述本公开内容的多种实施方式之前，解释关于本文使用的一些术语的一些方面。
在本公开内容中，“用于保持基板的载体”将理解为被配置为用于保持本文所描述的基板的载体，特别是本文所描述的大面积基板。一般来说，由本文描述的载体保持或支撑的基板包括前表面和后表面，其中前表面是进行处理的基板表面，例如待沉积材料层的表面。一般来说，载体被配置为使得基板的后表面能贴附于载体，特别是贴附于本文所描述的载体的粘附布置。
本文所使用的术语“基板”应特别包含非柔性基板，例如玻璃板和金属板。然而，本公开内容并不以此为限，且术语“基板”亦可包含柔性基板，诸如幅材(web)或箔。根据一些实施方式，基板可由适合材料沉积的任何材料制成。举例来说，基板可由选自由以下材料组成的组的材料制成：玻璃(例如钠钙玻璃(soda-limeglass)、硼硅酸盐玻璃(borosilicateglass)等)、金属、聚合物、陶瓷、复合材料、碳纤维材料、云母或任何其他材料或可由沉积工艺涂布的材料的组合。举例来说，基板可具有0.1mm至1.8mm的厚度，诸如0.7mm、0.5mm或0.3mm。在一些应用中，基板的厚度可为50μm或更大及/或700μm或更小。处理具有仅数微米厚度的薄基板可能具有挑战性，数微米厚度例如8μm或更大及50μm或更小。
根据一些实施方式，基板可为“大面积基板”且可用于显示器制造。举例来说，基板可为玻璃或塑料基板。举例来说，本文所描述的基板应包含一般用于lcd(液晶显示器)、pdp(等离子体显示面板)及类似物的基板。举例来说，“大面积基板”可具有主表面，具有0.5m2或更大的面积，特别是1m2或更大的面积。在一些实施方式中，大面积基板可为第4.5代、第5代、第7.5代、第8.5代或甚至第10代，第4.5代对应于约0.67m2的基板(0.73x0.92m)、第5代对应于约1.4m2的基板(1.1mx1.3m)、第7.5代对应于约4.29m2的基板(1.95mx2.2m)、第8.5代对应于约5.7m2的基板(2.2mx2.5m)、第10代对应于约8.7m2的基板(2.85m×3.05m)。甚至诸如第11代和第12代的更高代及对应的基板面积可被类似地应用。
在本公开内容中，“载体主体”将理解为被配置为用于保持基板的载体的主体。举例来说，载体主体可为刚性主体，诸如被配置为用于保持本文所描述的基板的框架或板材。特别地，本文描述的载体主体可被配置为支撑基板的表面，诸如基板的后表面。
在本公开内容中，“粘附布置”将理解为被配置为用于提供粘附力以用于贴附本文所描述的基板的布置。特定地，粘附布置可设置于载体主体上或贴附于载体主体，使得本文所描述的基板可经由粘附布置而被载体主体保持。更特别地，本文所描述的粘附布置可包括本文描述的干粘附材料，干粘附材料可被配置为用于通过范德瓦耳斯(vanderwaals)力提供粘附力。
在本公开内容中，表达“被配置为用于提供气体至粘附布置中的一或多个管道”将理解为设置于载体主体中以提供气流至本文所描述的粘附布置中的至少一个管道。特别地，一或多个管道可布置于载体主体中，使得一或多个管道提供从载体主体的第二侧(例如载体主体的背侧)至载体主体的第一侧(例如载体主体的前侧)的通道。一般来说，粘附布置提供于载体主体的前侧上。因此，气体可经由一或多个管道提供至粘附布置中。举例来说，通过一或多个管道提供至粘附布置中的气体可为在处理系统中处理基板期间使用的处理气体。一般来说，提供至粘附布置中的气体的温度t大约为室温，例如t≤30℃、特别地t≤25℃、更特别地t≤20℃。
图1绘示根据本文描述的实施方式的用于保持基板101的载体100的示意侧视图。用于保持基板101的载体100包括载体主体110和粘附布置120，载体主体110具有第一表面111，粘附布置120设置于第一表面111上。此外，载体主体110包括一或多个管道115，配置为用于提供气体至粘附布置120中。
因此，根据本文描述的实施方式的载体有利地提供载体，利用所述载体，由所述载体保持的基板的温度可被控制。特别地，通过提供载体，所述载体被配置而使得气体可提供至由载体的粘附布置保持的基板的背侧，可实现载体的简单及紧凑设计，载体的简单及紧凑设计可用于在基板处理期间控制基板的温度。
举例来说，如图1中示例性所示，本文描述的载体100的实施方式提供在基板101的背侧表面101a之上提供气流的可能性，使得基板的温度可被控制，即基板的温度可限制于特定的预选值。换言之，本文所描述的载体的实施方式有利地配置为用于提供基板的热控制，特别是通过在由载体的粘附布置保持的基板的背侧上提供气体对流而提供基板的热控制。这可有利于最佳化沉积于基板上的层的特性，特别是由本文所描述的载体保持的大面积基板，因为基板可被冷却。换言之，本文所描述的载体的实施方式有利地提供渠化(canalized)气流，使得可在真空条件下(例如在本文描述的处理系统的真空处理腔室中)在由载体保持的基板的背侧表面之上提供适当对流气流。
示例性参照图1，根据可与本文描述的任何其他实施方式结合的实施方式，粘附布置120可直接布置于载体主体110的第一表面111上或贴附于载体主体110的第一表面111。一般来说，粘附布置120被配置为用于提供保持基板101的粘附力。特别地，由粘附布置提供的粘附力一般作用于基板101的背侧表面101a上。一般来说，基板101的背侧表面101a是不进行处理的基板表面。因此，可有利地提供本文描述的用于保持基板的载体的紧凑设计，同时载体被配置而使得基板的温度可被控制。
如图1中的粘附布置120中的箭头所示例性指示，根据可与本文描述的任何其他实施方式结合的实施方式，粘附布置120被配置为透气的。因此，气流可有利地提供于基板101的背侧表面101a之上，使得基板的温度可通过对流而控制，从而达成从基板至流动于基板的背侧表面之上的气体的热传递。举例来说，提供于粘附布置中且流动于基板的背侧表面之上的气体可大约具有室温。更特别地，提供于粘附布置中的气体的温度t可为t≤30℃，特别地t≤25℃，更特别地t≤20℃。
在图2中绘示根据本文描述的实施方式的用于保持基板的载体的示意透视图。示例性参照图2，根据可与本文描述的任何其他实施方式结合的实施方式，一或多个管道115可包括布置于载体100的载体主体110中的多个管道。特别地，多个管道可分布于载体主体中，特别是以规则的方式分布于载体主体中。在图2中，一或多个管道115绘示成虚线圆。举例来说，多个管道可分布而遍布载体主体110。特别地，如图2中所示例性绘示，多个管道可以规则的方式分布而遍布载体主体。更特别地，多个管道可以矩阵状方式分布而遍布载体主体，如图2中虚直线示例性所示。虽然图2中绘示的示例性实施方式中显示出九个管道，但应理解的是，载体主体中可提供任何数量的管道，例如两个或更多个管道，特别是四个或更多个管道，更特别是十个或更多个管道。此外，多个管道可替代地以随机的方式分布而遍布载体主体。
特别地，根据可与本文描述的任何其他实施方式结合的实施方式，多个管道的数量可选择，以在基板的背侧表面之上可提供足够的气流。更特别地，多个管道可分布于载体主体中，使得可实现由粘附布置保持的基板的实质上均质的热控制，特别是实质上均匀的冷却。因此，应理解的是，多个管道的数量可适用于将由本文描述的载体保持的基板的尺寸。
根据可与本文描述的任何其他实施方式结合的实施方式，多个管道的相邻管道之间的横向距离可为2.5cm或更大，特别是5.0cm或更大，更特别是7.5cm或更大，例如10cm或更大。根据可与描述的任何其他实施方式结合的实施方式，一或多个管道的直径d可从一范围选择，所述范围在下限与上限之间，下限为d＝5mm，特别地下限为d＝10mm，更特别地下限为d＝15mm，上限为d＝20mm，更特别地上限为d＝25mm，更特别地上限为d＝30mm。
为了说明的目的，沿着如图2中所示的载体的线a-a的示意截面图绘示于图4中。特别地，图4绘示相邻的管道，气体通过相邻的管道提供至粘附布置120中，以提供贴附于粘附布置的基板的热控制。由位于图4中所示的粘附布置120中的箭头所示，管道被配置为用于沿着贴附于粘附布置120的基板101的背侧表面101a提供气体对流。
在图3中绘示本文描述的载体的图2中所示的部分的详细示意图。特别地，
图2绘示载体的粘附布置120的俯视部分。图3中绘示的部分包括本文描述的管道115。如从管道115延伸至粘附布置120中的箭头所示，粘附布置120被配置为透气的。特别地，在本公开内容中，术语“透气的”可理解为在粘附布置中提供有气体的自由路径。更特别地，在粘附布置中的气体的自由路径可被提供而使得可沿着贴附于粘附布置的基板的背侧表面提供对流。举例来说，粘附布置可包括具有本文描述的粘附性质的多孔材料。更特别地，粘附布置120可包括多个丝状体(filament)121，丝状体121被布置以提供粘附布置的渗透性或多孔配置。换句话说，粘附布置的结构可以气体可到达基板且沿着基板表面流动以进行热传递的方式配置成多孔或海绵状。特别地，粘附布置被有利地配置，使得提供到粘附布置中的气体可实质上到达基板的整个背侧表面。
因此，如图1和3中示例性所示，根据可与本文描述的任何其他实施方式结合的实施方式，粘附布置120可包括多个丝状体121(为了说明的目的，仅有一些丝状体由参考符号标注)，丝状体121可贴附于载体主体110，使得多个丝状体延伸远离载体主体110的第一表面111。此配置特别有利于提供本文描述的粘附布置的透气性。
如图1中示例性所示，多个丝状体121的各丝状体可以一端贴附于载体100的第一表面111。特别地，多个丝状体121的各丝状体可例如垂直于载体100的第一表面111而延伸远离载体100的第一表面111。因此，多个丝状体121的各丝状体可具有自由的第二端，例如用于本文描述的基板的贴附。特别地，多个丝状体121的各丝状体的第二端可配置为可贴附于基板101。特别地，各丝状体的第二端可被配置为通过范德瓦耳斯力附着于基板101，如本文描述的。
举例来说，丝状体可包括纳米管或碳纳米管，或可为纳米管或碳纳米管。多个丝状体的每个可实质上为纵向构件。特别地，多个丝状体的每个可具有一尺寸，此尺寸大于剩余的两个尺寸。特别地，丝状体的最长尺寸可为丝状体的长度。也就是说，丝状体可沿着长度方向延伸。
根据可与本文描述的任何其他实施方式结合的实施方式，粘附布置120可包括干粘附材料，干粘附材料被配置为用于将基板101贴附至载体主体110。举例来说，干粘附材料可为合成刚毛(syntheticsetae)材料。干粘附材料的粘附能力，特别是合成刚毛材料的粘附能力可与壁虎脚的粘附特性相关。壁虎脚的自然粘附能力让此动物在大多数情况下粘附于许多类型的表面。壁虎脚的粘附能力由壁虎的脚上称为刚毛的很多毛型延伸物提供。这里应注意的是，术语“合成刚毛材料”可理解为合成材料，该合成材料模仿壁虎脚的自然粘附能力，且包括与壁虎脚类似的粘附能力。此外，术语“合成刚毛材料”可与术语“合成壁虎刚毛材料”或术语“壁虎胶带材料”同义地使用。举例来说，具有壁虎粘附材料的载体亦可意指为g-吸座(g-chuck)。然而，本公开内容不以此为限，且可使用适合用于保持基板的其他干粘附材料。
根据可与本文描述的任何其他实施方式结合的实施方式，干粘附材料，例如合成刚毛材料，可为无机的。根据本文描述的一些实施方式，干粘附材料可以是实质上100％无机的。此外，干粘附材料的微结构可包括纳米管。根据本文描述的一些实施方式，干粘附材料的微结构包括碳纳米管。
根据可与本文描述的任何其他实施方式结合的实施方式，干粘附材料可为壁虎粘着物。举例来说，壁虎粘着物可为壁虎胶带或壁虎元件。
在本公开内容的上下文中，“壁虎粘着物”可理解为模仿壁虎脚的能力以粘附于表面的粘着物，所述表面诸如例如垂直表面。特别地，本文描述的粘附布置120的干粘附材料可被配置为因干粘附材料与基板101的表面之间的范德瓦耳斯力而粘附于基板101。然而，本公开内容不以此为限，且可使用适合用于保持基板的其他粘着物。
根据可与本文描述的任何其他实施方式结合的实施方式，由干粘附材料提供的粘附力可足以保持本文描述的基板。特别地，干粘附材料能被配置为提供约2n/cm2或更大的粘附力，特别是3n/cm2或更大的粘附力，更特别是4n/cm2或更大的粘附力，例如至少5n/cm2的粘附力。
示例性参照图1和4，根据可与本文描述的任何其他实施方式结合的实施方式，一或多个管道115被配置为从载体主体110的第二表面112延伸至载体主体110的第一表面111，其中第二表面112与第一表面111相对。举例来说，载体主体110的第一表面111可为载体的前侧，且载体主体110的第二表面112可为载体的背侧。换句话说，本文描述的管道可理解为从载体的背侧到载体的前侧的通道或通孔。因此，一或多个管道115可配置为贯穿载体主体110。特别地，一或多个管道115可配置为提供从载体的背侧到载体的前侧的流体连通，特别是到粘附布置120中的流体连通。
示例性参照图4b，根据可与本文描述的其他实施方式结合的一些实施方式，一或多个管道115可连接于气体供应管道116，气体供应管道116被配置为导引气体通过载体主体110而至一或多个管道115。举例来说，气体供应管道116可布置于载体主体110中。举例来说，气体供应管道116可实质上平行于载体主体110的第一表面111延伸，示例性绘示于图4b中。一般来说，气体供应管道116被配置而使得气体可从载体主体的至少一侧引导至气体供应管道116中。举例来说，根据如图4b中所示的示例性应用，气体供应管道116可被布置及配置而使得气体可从载体主体的顶侧表面引导至气体供应管道116中。额外地或替代地，气体供应管道116可被布置及配置而使得气体可从载体主体的底侧表面引导至气体供应管道116中(未明确绘示)。因此，额外地或替代地，气体供应管道116亦可被布置及配置而使得气体可从载体主体的左侧表面和/或右侧引导至气体供应管道116中(未明确绘示)。
根据可与本文描述的任何其他实施方式结合的实施方式，粘附布置120可被配置为具有对应于基板101的背侧表面101a的至少75％的贴附区域。特别地，粘附布置120可被配置为具有对应于基板101的背侧表面101a的至少80％的贴附区域，所述贴附区域更特别地对应于基板101的背侧表面101a的至少90％。在本公开内容中，“贴附区域”可理解为粘附布置的一区域，所述区域提供本文描述的粘附材料的连续区域。
示例性参照图5a和5b，根据可与本文描述的其他实施方式结合的一些实施方式，粘附布置120可被配置为具有两个或更多个贴附区122。因此，一或多个管道115可被配置为使得两个或更多个贴附区122的每个可提供有气体，如图5a和5b中示例性所示。特别地，一或多个管道115可布置于载体主体110中，使得可在贴附于两个或更多个贴附区122的基板的背侧之上提供气流对流。在图5a中，绘示贴附有基板101的具有六个贴附区的载体的示例性实施方式。此外，在图5a中，示出六个区域(102a至102f)，所述六个区域例如代表六个装置(例如显示器)，所述六个装置在处理基板之后，特别是在涂布基板之后从基板切开。因此，相较于其中粘附布置的粘附材料提供于实质上整个基板背面之上的配置结构(如图1和2中示例性所示)，通过提供具有两个或更多个贴附区122的载体，且所述两个或更多个贴附区122的尺寸实质上对应于稍后从基板切出的个别装置的尺寸，需要较少的粘附材料。为了说明的目的，在图5b中绘示在没有基板的情况下图5a的载体的示意图。
在一些应用中，如图5a中示例性所示，具有低至数cm2的表面积的较小尺寸基板的阵列和/或具有多种个别形状的较小尺寸基板的阵列可位于本文描述的载体100上，特别是具有两个或更多个贴附区122的载体，所述低至数cm2的表面积例如为2cmx4cm。因此，根据一些应用，载体可配置为用于支撑两个或更多个基板。一般来说，所述两个或更多个贴附区122的每个可包括本文描述的多个丝状体，丝状体被布置以从而获得本文描述的渗透性或多孔配置。因此，两个或更多个贴附区122的每个可包括本文所描述的干粘附材料。
鉴于上述内容，应理解的是，本文描述的载体的实施方式适于使用于处理系统中，处理系统例如用于在由本文描述的载体保持的基板上沉积材料的真空沉积系统。因此，根据本公开内容的一方面，提供根据本文描述的任何实施方式的载体在处理系统中的使用，特别是在用于沉积材料于基板上的真空沉积系统中的使用。
示例性参照图6描述根据本公开内容的实施方式的处理系统200。处理系统包括处理腔室210；处理装置220；和根据本文描述的任何实施方式的载体100。特别地，处理腔室210可为真空处理腔室，真空处理腔室诸如适用于真空沉积工艺的沉积腔室。举例来说，沉积工艺可为pvd或cvd工艺。一般来说，具有定位于其上的基板101的载体100被提供于处理腔室210中以用于基板处理。特别地，载体100可根据本文描述的任何实施方式配置。此外，如图6示例性所示，处理系统200可包括传送装置240，被配置为用于传送根据本文描述的实施方式的载体100。此外，处理系统200可包括气体供应单元250，被配置为用于提供气体至本文描述的载体100的一或多个管道115中，使得由载体保持的基板的温度可被控制。特别地，处理系统200的气体供应单元250有利于如本文描述的那样在基板处理期间提供冷却基板的可能性。
根据可与本文描述的其他实施方式结合的实施方式，处理装置220可为材料沉积源，其可设置于处理腔室210中而面向待处理(例如涂布)的基板101侧。如图6示例性所示，材料沉积源可提供待沉积于基板101上的沉积材料235。举例来说，沉积材料源可为具有沉积材料于其上的靶或允许材料释放而用于沉积于基板上的任何其他布置。在一些应用中，材料沉积源可为可旋转靶。根据本文描述的一些实施方式，材料沉积源可为可移动的，以定位和/或替换材料沉积源。根据本文描述的其他实施方式，沉积材料源可为平面靶。
根据可与本文描述的其他实施方式结合的本文描述的一些实施方式，可根据沉积工艺及之后的已涂布基板的应用来选择沉积材料235。举例来说，材料沉积源的沉积材料335可为选自由以下材料组成的群组的材料：金属、硅、氧化铟锡及其他透明导电氧化物，金属诸如铝、钼、钛、铜或类似物。可包括这些材料的氧化物、氮化物或碳化物层可通过提供来自材料沉积源的材料或通过反应沉积而沉积，反应沉积即来自材料沉积源的材料可与来自处理气体的元素反应，所述元素比如氧、氮、或碳。
图7绘示示出根据本文描述的实施方式的用于控制基板的温度的方法300的流程图。根据可与本文描述的任何其他实施方式结合的实施方式，方法300包括提供310根据本文描述的任何实施方式的载体；通过一或多个管道供应320气体至粘附布置中；以及提供330气体至贴附于粘附布置的基板的背侧。
根据可与本文描述的任何其他实施方式结合的实施方式，通过一或多个管道供应320气体至粘附布置中包括在粘附布置中分配气体，特别是以实质上均匀的方式分配气体。因此，可有利地提供由本文描述的载体的粘附布置保持的基板的实质上均匀或均质的热控制。
根据可与本文描述的任何其他实施方式结合的实施方式，提供330气体至贴附于粘附布置的基板的背侧包括沿着基板的背侧提供气流，即气体对流，以用于提供从基板至气体的热传递。因此，可有利地提供由本文描述的载体的粘附布置保持的基板的实质上均匀或均质的热控制。
虽然前述内容针对本公开内容的实施方式，但可在不背离本公开内容的基本范围的情况下，设计出本公开内容的其他及进一步实施方式，本公开内容的范围由后附的权利要求确定。
特别地，此书面说明使用示例来揭露本公开内容，包括最佳模式，且亦让本领域中任何技术人员能够实施所描述的主题，包括制造及使用任何装置或系统及执行任何并入的方法。虽然已于前述内容中揭露多种特定的实施方式，但上述实施方式的非互斥的特征可彼此结合。可专利的范围由权利要求限定，且如果权利要求具有非相异于权利要求的字面语言的结构元件，或如果权利要求包括等效结构元件，且等效结构元件与权利要求的字面语言具有非实质差异，则意欲使其他示例落在权利要求的范围中。