1.一种TFT制程工艺的电学性能测试方法，其特征在于，该方法包括：
将TFT器件的第一极接地；
使TFT器件工作于线性区，对所述TFT器件的控制极施加第一电压，测量所述TFT器件的第二极的第一电容值；对所述控制极施加第二电压，测量所述第二极的第二电容值，所述第一电容值与所述第二电容值的差作为线性区电容变化值；
对所述第二极施加饱和电压，使TFT器件工作于饱和区，对所述控制极施加所述第一电压，测量所述第二极的第三电容值，对所述控制极施加所述第二电压，测量所述第二级的第四电容值，所述第三电容值和所述第四电容值的差值作为饱和区电容变化值；
改变所述饱和电压的大小，测量相应的饱和区电容变化值；
记录每组饱和区电容变化值与线性区电容变化值的比值，建立所述比值与对应的所述饱和电压的函数关系，获得与斜率拐点对应的所述比值；
根据斜率拐点对应的所述比值，求得所述第二极与所述控制极重叠区域的损伤比重。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述控制极为栅极；
所述第一极为源极，所述第二极为漏极；或所述第一极为漏极，所述第二极为源极。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，包括：
将斜率拐点对应的所述比值与1的差值作为所述第二极与所述控制极重叠区域的损伤比重。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述斜率拐点等于预设的斜率阈值。
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述TFT器件工作于饱和区时，还包括：
在所述饱和区内选取所述第二极上等于或大于预设饱和电压阈值的每组饱和电压间隔大于所述第二极上小于预设饱和电压阈值的每组饱和电压间隔。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，还包括：
所述的预设饱和电压阈值小于所述斜率拐点对应的饱和电压。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，包括：
所述TFT器件工作于线性区时所述控制极施加的第一电压持续时间与所述TFT器件工作于饱和区时所述控制极施加的第一电压持续时间相同；
所述TFT器件工作于线性区时所述控制极施加的第二电压持续时间与所述TFT器件工作于饱和区时所述控制极施加的第二电压持续时间相同。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，包括：
将所述饱和电压作为坐标轴的横坐标，所述比值作为坐标轴的纵坐标，建立所述比值与对应的所述饱和电压的函数关系。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，包括：
对所述第二极施加线性电压，使TFT器件工作于线性区。
10.根据权利要求1-9任一所述的方法，其特征在于，将TFT器件的第一极接地之前，还包括：
将TFT器件放置于探针台上，接入半导体参数仪。