1.一种N型硅异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
（1）对N型硅片进行清洗，接着利用氢氟酸去除氧化硅绝缘层；
（2）采用金属离子辅助化学刻蚀法在所述N型硅片的上表面制备N型硅纳米线阵列；
（3）将含有所述N型硅纳米线阵列的所述N型硅片浸入硫化钠的乙二醇溶液中，作为阳极，并在硫化钠的乙二醇溶液中放置铂电极，作为阴极，进行电镀硫化处理，以得到硫化钝化层；
（4）在所述N型硅纳米线阵列的表面旋涂铁电薄膜材料的前驱体溶液，在150-180℃下烘烤5-10分钟，然后在500-600℃下退火处理10-20分钟，以得到铁电钝化薄膜；
（5）随后于惰性气氛中在所述铁电钝化薄膜的表面旋涂2,2’,7,7’-四(N,N-二-对-甲氧基苯基-氨)-9,9’-螺二芴溶液，在空气中110-120℃下退火10-20分钟，以得到2,2’,7,7’-四(N,N-二-对-甲氧基苯基-氨)-9,9’-螺二芴薄膜，所述N型硅纳米线阵列与所述2,2’,7,7’-四(N,N-二-对-甲氧基苯基-氨)-9,9’-螺二芴薄膜形成径向异质结；
（6）在所述2,2’,7,7’-四(N,N-二-对-甲氧基苯基-氨)-9,9’-螺二芴薄膜的表面旋涂聚乙烯醇溶液，在105-110℃下退火12-15分钟，以得到聚乙烯醇隧道层；
（7）在所述聚乙烯醇隧道层的表面旋涂PEDOT:PSS溶液，在110-120℃下退火20-30分钟，以得到PEDOT:PSS透明导电层；
（8）在所述N型硅片的下表面旋涂聚乙烯亚胺溶液，在105-110℃下退火12-15分钟，以得到聚乙烯亚胺层；
（9）在所述PEDOT:PSS透明导电层的表面制备银电极，在所述聚乙烯亚胺层的表面制备铝电极。
2. 根据权利要求1所述的N型硅异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述N型硅纳米线阵列中硅纳米线的长度为500-1500 nm，相邻硅纳米线之间的间距为100-500 nm，所述硅纳米线的直径为50-300nm。
3.根据权利要求1所述的N型硅异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述铁电钝化薄膜的材质为PZT、BTO、BFO或BST，优选为PZT，所述铁电钝化薄膜的厚度为1-3纳米。
4.根据权利要求1所述的N型硅异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述2,2’,7,7’-四(N,N-二-对-甲氧基苯基-氨)-9,9’-螺二芴薄膜的厚度为35-55纳米。
5.根据权利要求1所述的N型硅异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述聚乙烯醇隧道层的厚度为1-3纳米。
6.根据权利要求1所述的N型硅异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述PEDOT:PSS透明导电层的厚度为30-50纳米。
7.根据权利要求1所述的N型硅异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述聚乙烯亚胺层的厚度为1-3纳米。
8.根据权利要求1所述的N型硅异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述银电极为银栅电极，所述铝电极的厚度为50-100纳米。
9.一种N型硅异质结太阳能电池，其特征在于，所述N型硅异质结太阳能电池为采用权利要求1-8任一项所述的方法制备形成的N型硅异质结太阳能电池。