技术特征：
技术总结
本发明涉及一种发光二极管及其制备方法。该制备方法包括：选取Si衬底；在Si衬底上生长Ge外延层；在Ge外延层上淀积保护层；利用LRC工艺对Si衬底、Ge外延层和保护层进行晶化；刻蚀保护层；在Ge外延层上生长Ge并掺杂形成P型晶化Ge层；在P型晶化Ge层上生长无掺杂的GeSn层；在无掺杂的GeSn层上生长N型Ge层；制作金属电极，形成发光二极管。本发明采用激光再晶化(Laser Re‑Crystallization，简称LRC)工艺可有效降低Ge/Si虚衬底的位错密度，进而可提高后续生长的应变GeSn合金薄膜质量。同时，激光再晶化工艺时间短、热预算低，可显著提高发光器件的性能。
技术研发人员：刘晶晶
受保护的技术使用者：厦门科锐捷半导体科技有限公司
技术研发日：2017.05.17
技术公布日：2017.09.29