技术特征：
技术总结
本发明提供了一种掺杂区及IGBT器件的形成方法和结构，包括：于一半导体衬底上形成若干个注入区；接着，通过推阱工艺使若干个所述注入区中的离子扩散进而形成使其相互交叠以形成掺杂区。由于所述掺杂区是由若干个注入区通过离子扩散形成，进而可使所形成的掺杂区在不改变其面积的条状下具有较低的掺杂浓度。因此，将所述掺杂区形成于IGBT器件的过渡区中，可有效提高过渡区中镇流电阻的电阻值，使所述过渡区能够在不增加其面积的条件下，增加对空穴载流子的汇聚效应的抑制强度。
技术研发人员：刘剑
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
技术研发日：2017.05.25
技术公布日：2018.12.04