半导体器件及其形成方法与流程

技术特征：

技术总结
本发明的实施例公开了一种半导体器件以及形成半导体器件的方法。牺牲薄膜用于图案化对半导体结构的接触件，例如对晶体管的源极/漏极区的接触件。接触件可以包括沿平行于栅电极的轴线的锥形轮廓，以使在接触件远离源极/漏极区延伸时接触件的最外侧宽度减小。

技术研发人员：李东颖;叶致锴;叶震亚;邱远鸿;刘继文;杨育佳
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2017.06.16
技术公布日：2017.12.29