一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置与流程

本发明涉及阵列基板技术领域，尤其涉及一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置。

背景技术：

目前，在液晶显示面板的制作中，尤其是制作tft(thinfilmtransistor，薄膜晶体管)基板的工艺中，制作工艺较为复杂，一般需进行七道光刻工艺，分别为栅极、有源层、源漏极、平坦化层、第一钝化层、过孔和像素电极；或者是，栅极、有源层&源漏极、第一钝化层、平坦化层、公共电极、过孔和像素电极。多次的掩膜曝光，不仅增加了制程时间和生产成本，而且加大了工艺的难度，容易出现由于对位精度不足引起的不良，使产品良率下降。

为了减少光刻工艺的次数，降低制程时间和生产成本，现有技术中提出了通过使电极与平坦化层共用一道光刻工艺来减少tft基板的光刻工艺，进而可以通过五道光刻工艺制作阵列基板，形成如图1a所示的结构，具体的，在衬底基板10上通过第一道光刻工艺形成栅极金属层的图案(图中并未示出)，通过第二道光刻工艺形成有源层11和源漏极层12的图案，通过第三道光刻工艺形成第一电极层13的图案和平坦化层14的图案，通过第四道光刻工艺形成栅极绝缘层15薄膜(有的通孔需要进行刻蚀，图1中的不需要)、第一绝缘层16薄膜、第二绝缘层17薄膜上的过孔，通过第五道光刻工艺形成第二电极层18的图案。

其中，第三道光刻工艺之后，容易在第一电极层13的图案和平坦化层14的图案之间形成凸出部13t，即形成如图1b所示的结构，不利于后续制作第二电极层108时电极层材料的爬坡，使产品良率下降。

另外，第四道光刻工艺刻蚀过孔时需要实现孔套孔的刻蚀，此时为了能更好的刻蚀第一绝缘层薄膜和第二绝缘层薄膜，需要将第一电极层和平坦化层上的过孔的孔径设置的很大，才能满足刻蚀要求，但平坦化层上的过孔孔径偏大，会影响开口率及后续的制程。另外，由于栅极绝缘层薄膜、第一绝缘层薄膜和第二绝缘层薄膜是通过不同的光刻工艺形成，因此，在各个膜层刻蚀过孔时，容易出现由于对位精度不足引起的不良，使产品良率下降。

综上所述，现有的tft基板制作工艺较为复杂，一般需进行七道光刻工艺，目前，亟需有效的方式在减少光刻工艺的同时又不会降低产品的良率。

技术实现要素：

本发明的目的是提供一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置，用以解决现有的tft基板制作工艺较为复杂，一般需进行七道光刻工艺，目前，亟需有效的方式在减少光刻工艺的同时又不会降低产品良率的问题。

本发明实施例提供了一种阵列基板的制作方法，包括：

在衬底基板上形成栅极金属层图案、栅极绝缘层薄膜、有源层图案和源漏极金属层图案；

在所述源漏极金属层图案上依次形成平坦化层薄膜、第一电极层图案、第一绝缘层薄膜和光刻胶图案；

以所述光刻胶图案和所述第一电极层图案中的第一遮挡电极为遮挡，依次对所述第一绝缘层薄膜和所述平坦化层薄膜进行干刻工艺，在所述第一绝缘层薄膜、所述第一遮挡电极和所述平坦化层薄膜中形成的过孔构成第一通孔；

在所述第一绝缘层薄膜上形成包括第一桥接电极的第二电极层图案，并使所述第一桥接电极至少完全覆盖所述第一通孔的区域、且与所述源漏极金属层图案连接。

本发明实施例还提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括：在衬底基板上依次设置的栅极金属层图案、栅极绝缘层、有源层图案、源漏极金属层图案、平坦化层薄膜、第一电极层图案、第一绝缘层薄膜和第二电极层图案；其中，

在所述第一绝缘层薄膜、所述第一电极层图案中的第一遮挡电极和所述平坦化层薄膜中形成的过孔构成第一通孔；

所述第二电极层图案中包括的第一桥接电极至少完全覆盖所述第一通孔的区域、且分别与所述第一遮挡电极和所述源漏极金属层图案连接。

本发明实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括如本发明实施例提供的上述阵列基板。

本发明有益效果如下：

本发明实施例提供了一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置，通过优化阵列基板的制作方法，对阵列基板中需要刻蚀过孔以构成通孔的多个膜层的制作工艺进行了改进，需要在源漏极金属层图案上形成一整层的平坦化层薄膜，再通过一道光刻工艺在平坦化层薄膜上形成包括第一遮挡电极的第一电极层图案，然后再通过一道光刻工艺形成光刻胶图案，以光刻胶图案和第一电极层图案中的第一遮挡电极为遮挡，依次对第一绝缘层薄膜和平坦化层薄膜进行干刻工艺，由于本发明是在制作完第一电极层图案和一整层的第一绝缘层薄膜之后，才形成的第一绝缘层薄膜和平坦化层薄膜上的过孔，没有采用现有技术中孔套孔的刻蚀工艺，而且由于本发明的第一电极层图案中包括在对平坦化层进行干刻工艺时用于遮挡的第一遮挡电极，因此本发明中的制作方法可以无需加大平坦化层中的过孔孔径，即可满足刻蚀要求，进而可以提高开口率及后续制程的良率。另外，本发明中的阵列基板的制作方法，仅需要五道光刻工艺即可制作出阵列基板，相比于现有技术，由于本发明中可以仅通过一道光刻工艺形成第一绝缘层薄膜和平坦化层薄膜中的过孔，因此可以减少由不同光刻工艺制作而引起的对位精度不足带来的影响，不仅可以减少光刻工艺，而且不会降低产品的良率。

附图说明

图1a为现有技术中阵列基板的结构示意图；

图1b为现有技术中在阵列基板上的第一电极层中形成凸出部分后的结构示意图；

图2为本发明实施例提供的在阵列基板上形成第一通孔的制作方法的基本步骤流程图；

图3为本发明实施例提供的第一种结构阵列基板的整体结构俯视图；

图4a为本发明实施例提供的图3中p的局部放大图；

图4b为本发明实施例提供的与图4a对应的第一电极层的结构示意图；

图4c为本发明实施例提供的与图4a对应的第二电极层的结构示意图；

图5a为本发明实施例提供的在第二种结构阵列基板上形成第一通孔后的单个像素单元的俯视图；

图5b为本发明实施例提供的与图5a对应的第一电极层的结构示意图；

图5c为本发明实施例提供的与图5a对应的第二电极层的结构示意图；

图6为本发明实施例提供的图4a中沿c-c’方向的截面结构示意图；

图7为本发明实施例提供的图5a中沿d-d’方向的截面结构示意图；

图8a-图8k分别为本发明实施例提供的在阵列基板上形成第一通孔的制作方法中各步骤执行后的结构示意图；

图9为本发明实施例提供的在各个膜层中形成第一通孔的过孔的步骤流程图；

图10为本发明实施例提供的与图6对应的且包括第二绝缘层的截面结构示意图；

图11为本发明实施例提供的采用湿刻工艺刻蚀第一电极层图案之前的结构示意图；

图12为本发明实施例提供的采用湿刻工艺刻蚀第一电极层图案之后的结构示意图；

图13为本发明实施例提供的在阵列基板上形成第一通孔的制作方法的整体步骤流程图；

图14为本发明实施例提供的在阵列基板上形成第二通孔的制作方法的基本步骤流程图；

图15为本发明实施例提供的图4a中沿e-e’方向的截面结构示意图；

图16为本发明实施例提供的图5a中沿f-f’方向的截面结构示意图；

图17为本发明实施例提供的在各个膜层中形成第二通孔的过孔的步骤流程图；

图18a-图18b分别为本发明实施例提供的在阵列基板上形成第二通孔的制作方法中步骤143执行后的结构示意图；

图19为本发明实施例提供的与图15对应的且包括第二绝缘层的截面结构示意图；

图20为本发明实施例提供的在阵列基板上形成第二通孔的制作方法的整体步骤流程图；

图21a为本发明实施例提供的在阵列基板的非显示区域中形成第一通孔的俯视图；

图21b为本发明实施例提供的图21a中沿gg’方向的截面结构示意图；

图22a为本发明实施例提供的在阵列基板的非显示区域中形成第二通孔的俯视图；

图22b为本发明实施例提供的图22a中沿hh’方向的截面结构示意图；

图23a为本发明实施例提供的在阵列基板的非显示区域中形成第二通孔的俯视图；

图23b为本发明实施例提供的图23a中沿ii’方向的截面结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，并不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

附图中各膜层的厚度和形状不反映阵列基板的真实比例，目的只是示意说明本发明内容。

本发明实施例提供的阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置，通过优化阵列基板的制作方法，对阵列基板中需要刻蚀过孔以构成通孔的多个膜层的制作工艺进行改进，不仅可以减少光刻工艺，而且不会降低产品的良率，适用于多种类型的阵列基板，主要是针对包括oled(organiclight-emittingdiode，有机发光二极管)结构的阵列基板。下面对阵列基板的制作方法、对应形成的阵列基板和显示装置分别进行详细的说明。

在具体实施时，阵列基板中电极的设置一般分为middlecom结构(公共电极设置在像素电极与衬底基板之间；后面简称第一种结构)，以及topcom结构(像素电极设置在公共电极与衬底基板之间；后面简称第二种结构)，本发明实施例提供的阵列基板的制作方法以及相应的阵列基板，会针对这两种不同的结构分别以附图为例进行详细的介绍，由于第一种结构与第二种结构的制作方法和形成的结构均比较类似，因此下面在介绍时，相同的部分不进行重复赘述。

另外，本发明实施例提供的阵列基板，除了具有上述第一种结构和第二种结构外，在每种结构的阵列基板上还可以设置两种类型的通孔(用于连接源漏极金属层的第一通孔和用于连接栅极金属层的第二通孔)，当通孔位于显示区域时，第一通孔用于连接像素电极和源漏极金属层，第二通孔用于连接公共电极和位于栅极金属层的公共电极线；当通孔位于非显示区域时，第一通孔用于连接第二电极层和源漏极金属层，第二通孔均用于连接第二电极层和栅极金属层。

其中，一般第一通孔设置在显示区域，第二通孔设置在非显示区域，但实际上第一通孔和第二通孔均可以设置在显示区域和非显示区域，例如，第一通孔可以设置在非显示区域将不同膜层进行桥接；针对大尺寸的阵列基板，如果想增大基板中间位置的公共信号，可以通过在显示区域的中间位置设置第二通孔实现公共电极与栅极金属层之间的桥接。

在具体实施时，第一通孔和第二通孔均可以设置在阵列基板的显示区域和非显示区，而且阵列基板中一般均需要设置第一通孔，而第二通孔则可以根据需要进行设置，因此本发明在介绍时，先分别介绍设置在显示区域的第一通孔和第二通孔，再介绍设置在非显示区域的第一通孔和第二通孔，由于第一通孔和第二通孔贯穿的膜层比较相近，因此在实际制作中，为了简化制作工艺，两个通孔可以同时制作。

为了清楚的说明如何在不同类型的阵列基板的显示区域上形成第一通孔和第二通孔，下面先以两个具体的实施例，分别对在阵列基板(包括第一种结构和第二种结构)上形成第一通孔的工艺流程、以及在阵列基板(包括第一种结构和第二种结构)上形成第二通孔的工艺流程进行详细介绍。

实施例一：在阵列基板上的显示区域形成第一通孔的工艺流程。

在具体实施时，阵列基板至少具有第一种结构和第二种结构两种结构，由于上述第一种结构的阵列基板和第二种结构的阵列基板，二者主要区别在于第一电极层和第二电极层到底是像素电极还是公共电极，而且在显示区域中，第一通孔是用于连接像素电极和源漏极金属层，因此第一种结构的阵列基板和第二种结构的阵列基板中，形成的第一电极层图案和第二电极层图案具有一定差别，而其它的各个膜层、以及各个膜层的制作顺序和图案等均相同，其制作的方法流程也基本相同，因此本发明实施例将一同介绍在阵列基板上形成第一通孔的工艺流程，并结合附图说明在形成第一通孔时，第一种结构的阵列基板和第二种结构的阵列基板在结构上有哪些不同。

如图2所示，为本发明实施例提供的在阵列基板上形成第一通孔的制作方法的基本步骤流程图，具体可以采用如下步骤实现：

步骤201，在衬底基板上形成栅极金属层图案、栅极绝缘层薄膜、有源层图案和源漏极金属层图案；

步骤202，在源漏极金属层图案上依次形成平坦化层薄膜、第一电极层图案、第一绝缘层薄膜和光刻胶图案；

步骤203，以光刻胶图案和第一电极层图案中的第一遮挡电极为遮挡，依次对第一绝缘层薄膜和平坦化层薄膜进行干刻工艺，在第一绝缘层薄膜、第一遮挡电极和平坦化层薄膜中形成的过孔构成第一通孔；

步骤204，在第一绝缘层薄膜上形成包括第一桥接电极的第二电极层图案，并使第一桥接电极至少完全覆盖第一通孔的区域、且与源漏极金属层图案连接。

上述方法是在阵列基板中形成第一通孔的工艺流程，适用于第一种结构的阵列基板，同时也适用于第二种结构的阵列基板，为了能够清楚的对具体工艺流程进行介绍，下面结合阵列基板的俯视图、以及相应的截面图进行介绍。

如图3所示，为本发明实施例提供的第一种结构阵列基板的整体结构俯视图，为了方便说明，本发明实施例中仅画了3×3个像素单元，实际制作中并不仅限于3×3个像素单元，图3仅是第一种结构阵列基板的简单的示意图，第二种结构的阵列基板可以参考该附图，在此不再进行详细介绍，后续会对第二种结构的阵列基板的单个像素单元的俯视图进行详细介绍。为了进一步详细说明，下面先对本发明实施例提供的第一种结构的阵列基板中形成第一通孔后的单个像素单元(即虚线矩形框中所表示的p)为例进行说明。

如图4a所示，为本发明实施例提供的图3中p的局部放大图，即在第一种结构的阵列基板上形成第一通孔后，单个像素单元的俯视图。如图4b所示，为本发明实施例提供的与图4a对应的第一电极层的结构示意图；其中，第一电极层包括公共电极；如图4c所示，为本发明实施例提供的与图4a对应的第二电极层的结构示意图，其中，第二电极层包括像素电极。

相应的，当阵列基板为第二种结构时，形成第一通孔后的单个像素单元的俯视图、以及第一电极层和第二电极层的结构示意图，会有一定变化。

其中，为了清楚的表示出第一电极层和第二电极层的相对位置关系，本发明实施例中的各个附图中均将第一电极层和第二电极层标记了一定的颜色，但只是为了方便说明，并不用于限定本发明。本领域技术人员应当知道，在阵列基板的实际制作过程中，第一电极层和第二电极层均可以采用透明的材料制作。

如图5a所示，为本发明实施例提供的在第二种结构阵列基板上形成第一通孔后的单个像素单元的俯视图，即与图4a对应的第二种结构的阵列基板的俯视图；如图5b所示，为本发明实施例提供的与图5a对应的第一电极层的结构示意图；其中，第一电极层包括像素电极；如图5c所示，为本发明实施例提供的与图5a对应的第二电极层的结构示意图，其中，第二电极层包括公共电极。

其中，为了在俯视图中能够清楚的表示出各个电极层之间的位置关系，本发明实施例中给出的各个俯视图中均未画出各个绝缘层(如栅极绝缘层、第一绝缘层等)，其具体的设置位置会在对应的截面图中进行标示。

为了清楚的说明形成第一通孔之后，各个膜层形成的图案及位置关系等，本发明实施例分别给出了两种不同类型的阵列基板在形成第一通孔之后的截面图，如图6所示，为本发明实施例提供的图4a中沿c-c’方向的截面结构示意图，用于描述在第一种结构的阵列基板上形成第一通孔的工艺流程。如图7所示，为本发明实施例提供的图5a中沿d-d’方向的截面结构示意图，用于描述在第二种结构的阵列基板上形成第一通孔的工艺流程。

下面结合图4a-图4c、5a-图5c、图6-图7、以及图8a-图8k来描述在第一种结构和第二种结构的阵列基板上形成第一通孔的工艺流程；其中，图8a-图8k分别为本发明实施例提供的在阵列基板上形成第一通孔的制作方法中各步骤执行后的结构示意图。

在具体实施时，在实现上述步骤201时，不管是第一种结构的阵列基板，还是第二种结构的阵列基板，最终形成的结构相同。如图8a所示，先在衬底基板100上采用一次构图工艺(即第一道光刻工艺)形成栅极金属层图案；再在栅极金属层101图案上形成一整层的栅极绝缘层102薄膜。然后，在栅极绝缘层102薄膜上采用一次构图工艺(即第二道光刻工艺)同时形成有源层103图案和源漏极金属层104图案，即采用半掩膜工艺形成图8a中所示的结构，除了在图4a中源极金属层和漏极金属层之间设置有有源层外，在所有源漏极金属层的下方也均保留了有源层的材料。

除了可以形成如图8a所示的结构外，也可以增加一道光刻工艺，即有源层103图案和源漏极金属层104图案分别采用不同的光刻工艺制作，此时可以仅保留源极金属层和漏极金属层之间设置的有源层部分，形成如图8b所示的结构。由于本发明实施例提供的阵列基板的制作方法，其目的主要是为了减少光刻工艺，因此本发明后续仅以图8a为例继续进行说明，图8b的结构与其类似，可以参见图8a的介绍。

在具体实施时，在实现上述步骤202时，先在图8a所示的源漏极金属层104图案上形成一整层的平坦化层105薄膜，两种结构的阵列基板都会形成如图8c所示的结构。

然后，在平坦化层105薄膜上采用一次构图工艺(即第三道光刻工艺)形成第一电极层106的图案；此时，针对不同类型的阵列基板，形成的第一电极层106的图案不同。

当阵列基板为第一种结构时，如图8d所示，为了使公共电极能够作为后续干刻平坦化层等各个膜层的遮挡，较佳的，第一电极层106图案包括公共电极ce和第一遮挡电极106a1，且第一遮挡电极106a1为与公共电极ce同层设置、且相互断开的独立结构；而结合第一通孔一般设置为圆形结构，可以将第一遮挡电极106a1设置为围绕第一通孔的环形结构，如图4b所示，当然，也可以根据需要设置为其它形状，在此不做限定。

当阵列基板为第二种结构时，如图8e所示，为了使像素电极能够作为后续干刻平坦化层等各个膜层的遮挡，较佳的，第一电极层106图案包括像素电极pe和第一遮挡电极106a1，且第一遮挡电极106a1为与像素电极pe相连的整体结构。即形成如图5b所示的结构。

之后，再在第一电极层106图案上形成一整层的第一绝缘层107薄膜和光刻胶108，并采用一次构图工艺(即第四道光刻工艺)形成光刻胶图案，当阵列基板为第一种结构时，形成如图8f所示的结构，光刻胶图案108中形成的过孔108v1位于第一遮挡电极106a1上形成的过孔106v1的上方。当阵列基板为第二种结构时，形成如图8g所示的结构，光刻胶图案108中形成的过孔108v1位于第一遮挡电极106a1上形成的过孔106v1的上方。

其中，为了清楚的说明每一个膜层中形成的过孔位置，本发明实施例提供的附图中用带有v的标号表示过孔，而图8f中的过孔108v1和过孔106v1的标号均标记在过孔的孔壁上，后续各个附图中的过孔标号与其类似。

较佳的，如图9所示，为本发明实施例提供的在各个膜层中形成第一通孔的过孔的步骤流程图，该步骤流程适用于第一种结构的阵列基板，同时也适用于第二种结构的阵列基板，只是两种结构中形成的第一电极层的图案不同。因此，此处在介绍时，并不区分第一种结构和第二种结构，仅是最后分别给出了两种结构的附图。上述步骤203具体可以采用如下步骤实现：

步骤2031，以光刻胶图案为遮挡，对第一绝缘层薄膜采用干刻工艺，在第一绝缘层薄膜形成用于构成第一通孔的过孔，且在第一绝缘层薄膜中形成的过孔能够露出部分第一遮挡电极；

步骤2032，以光刻胶图案和露出的部分第一遮挡电极为遮挡，对平坦化层薄膜采用干刻工艺，在平坦化层薄膜中形成用于构成第一通孔的过孔。

在具体实施时，在实现上述步骤2031时，先以光刻胶图案108为遮挡，形成第一绝缘层107薄膜的图案，由于一般第一绝缘层107薄膜的材料为有机材料，可以直接对第一绝缘层107薄膜采用干刻工艺，具体刻蚀采用的气体，后续会进行详细介绍，形成第一绝缘层107薄膜的图案主要包括在第一绝缘层107薄膜形成用于构成第一通孔的过孔107v1，而且为了使第一遮挡电极起到更好的遮挡作用，需要在干刻蚀时，使在第一绝缘层107薄膜中形成的过孔107v1能够露出部分第一遮挡电极。当阵列基板为第一种结构时，可以形成如图8h所示的结构；当阵列基板为第二种结构时，可以形成如图8i所示的结构。

在具体实施时，在实现上述步骤2032时，再继续以光刻胶图案108和露出的部分第一遮挡电极为遮挡，对平坦化层105薄膜采用干刻工艺，在平坦化层薄膜中形成用于构成第一通孔的过孔105v1。其中，在第一绝缘层107薄膜上形成的过孔107v1、在第一遮挡电极106a1上形成的过孔106v1、以及在平坦化层105薄膜上形成的过孔105v1一同构成了第一通孔。而后续制作的第二电极层109图案中第一桥接电极至少完全覆盖第一通孔所在的区域，为了使第一桥接电极在制作时不会出现断裂，需使构成第一通孔的孔径从上向下依次减小，即过孔107v1、过孔106v1和过孔105v1的孔径依次减小，形成阶梯状通孔。当阵列基板为第一种结构时，可以形成如图8j所示的结构；当阵列基板为第二种结构时，可以形成如图8k所示的结构。

另外，一般现有技术中是采用感光材料来制作平坦化层，因此平坦化层需要采用单独的一道光刻工艺，又或者是采用灰化工艺制作平坦化层的图案。而本发明中为了简化制作工艺，改进了用于制作平坦化层的材料，采用了可以直接通过干刻工艺刻蚀的材料，较佳的，平坦化层薄膜的材料包括有机硅树脂。因此，本发明实施例中提供的阵列基板上的平坦化层图案，可以与第一绝缘层薄膜等一样，采用干刻工艺来形成，节省了一道光刻工艺。

因此，由于本发明实施例提供的阵列基板是在制作完第一电极层图案和一整层的第一绝缘层薄膜之后，才形成的第一绝缘层薄膜和平坦化层薄膜上的过孔，没有采用现有技术中孔套孔的刻蚀工艺，而且由于本发明的第一电极层图案中包括在对平坦化层进行干刻工艺时用于遮挡的第一遮挡电极，因此本发明中的制作方法可以无需加大平坦化层中的过孔孔径，即可满足刻蚀要求，进而可以提高开口率及后续制程的良率。

在具体实施时，在实现上述步骤204时，当阵列基板为第一种结构时，可以形成如图6所示的结构，在形成第一通孔t1之后，去除光刻胶图案，在第一绝缘层107薄膜上形成一整层的第二电极层109薄膜，采用一次构图工艺(即第五道光刻工艺)形成第二电极层109图案，第二电极层109图案包括像素电极pe和第一桥接电极109a1；由于第一通孔的作用是为了使像素电极pe与源漏极金属层104连接，因此，第一桥接电极109a1为与像素电极pe相连的整体结构，即使第一桥接电极109a1至少完全覆盖第一通孔的区域、且与源漏极金属层104图案连接。

当阵列基板为第二种结构时，可以形成如图7所示的结构，在形成第一通孔t1’之后，去除光刻胶图案，继续在第一绝缘层107薄膜上方制作第二电极层109图案，其中，第二电极层109图案中包括第一桥接电极109a1，由于第一通孔的作用是为了使像素电极pe与源漏极金属层104连接，因此，第一桥接电极109a1为与公共电极ce同层设置、且相互断开的独立结构，如图5c所示。同时，桥接电极109a1(即图5c中的圆圈部分)至少完全覆盖第一通孔t1’所在的区域。

综上，本发明中的阵列基板的制作方法，仅需要五道光刻工艺(分别为栅极金属层，有源层和源漏极层，第一电极层，第一绝缘层、平坦化层和第二绝缘层，第二电极层)即可制作出阵列基板，相比于现有技术，由于本发明中可以仅通过一道光刻工艺形成第一绝缘层薄膜和平坦化层薄膜中的过孔，因此可以减少由不同光刻工艺制作而引起的对位精度不足带来的影响，不仅可以减少光刻工艺，而且不会降低产品的良率。

通过上面对在阵基板上形成第一通孔的基本工艺流程的介绍可以看出，第一种结构的阵列基板和第二种结构的阵列基板，二者只是形成的第一电极层图案和第二电极层图案具有一定差别，而其它的各个膜层、以及各个膜层的制作顺序和图案等均相同，因此，下面的介绍中均仅以第一种结构的阵列基板为例进行介绍，第二种结构的阵列基板与其类似，可以参考第一种结构的阵列基板，在此不再重复进行介绍。

在具体实施时，一般在源漏极金属层104和平坦化层105之间，还设置有一层第一绝缘层薄膜。如图10所示，为本发明实施例提供的与图5对应的且包括第二绝缘层的截面结构示意图，较佳的，在执行步骤201之后，在执行步骤202之前，该方法还包括：在源漏极金属层104图案上形成第二绝缘层110薄膜。

具体的，在形成源漏极金属层104图案之后，在其上方形成一整层的第二绝缘层110薄膜，而第二绝缘层110薄膜形成图案的过程，由于第二绝缘层110薄膜设置在平坦化层105的下方，因此可以在对平坦化层薄膜进行干刻工艺之后，对第二绝缘层110薄膜也采用干刻工艺，进而使第二电极图案可以通过形成的第一通孔与所述源漏极金属层104连接。

至此，在阵列基板上形成第一通孔的制作方法的基本步骤流程介绍完，但在具体实施过程中，对第一绝缘层薄膜和平坦化层薄膜进行干刻工艺，由于采用第一遮挡电极106a1进行遮挡，因此可能会使平坦化层105薄膜上刻蚀的孔径过大，进而使第一遮挡电极106a1上刻蚀的过孔106v1的孔径小于平坦化层105上刻蚀的过孔105v1的孔径，使过孔所在的区域处第一遮挡电极106a1凸出于平坦化层105，形成如图11所示的结构，为本发明实施例提供的采用湿刻工艺刻蚀第一电极层图案之前的结构示意图；即形成凸出部106t(图中椭圆虚线框圈起来的部分)。

由于图11所示的结构，在后续制作第二电极层109时，容易在凸出的位置发生断裂，较佳的，在步骤203之后，在步骤204之前，还包括：采用湿刻工艺，去除部分露出的第一遮挡电极106a1，以使第一遮挡电极106a1中的过孔106v1孔径大于平坦化层105薄膜中过孔105v1孔径。

现有技术中，为了将tft基板的光刻工艺减少为五道光刻工艺，将电极与平坦化层共用一道光刻工艺来完成，由于平坦化层采用干刻工艺，此时通常也会在第一电极层13的图案和平坦化层14的图案之间形成如图1b所示的凸出部13t，为了增加第一电极层13的侧刻蚀量，通常会在制作完第一电极层13图案之后，形成第二绝缘层17薄膜之前，使用氢气等离子体轰击工艺处理第一电极层13的表面，但这样会造成第一电极层13的表面被还原，穿透率下降。而本发明实施例中提供的阵列基板的制作方法中，是在第一电极层106图案之上形成一整层的第一绝缘层107薄膜之后，再刻蚀第一通孔，并在刻蚀出第一通孔之后，对第一遮挡电极106a1凸出于平坦化层105的凸出部106t采用湿刻工艺，不仅可以有效的去除凸出部106t，而且不会影响第一遮挡电极106a1和第一电极106的作用。

由于一般采用湿刻工艺之后，会形成如图12所示的结构，为本发明实施例提供的采用湿刻工艺刻蚀第一电极层图案之后的结构示意图；虽然去除了过孔所在的区域处第一遮挡电极106a1凸出于平坦化层105的部分，但是第一绝缘层107薄膜上的过孔107v1的孔径与第一遮挡电极106a1中的过孔106v1孔径相差不大，为了使最终形成的第一通孔为阶梯状通孔，较佳的，在上述采用湿刻工艺之后，在步骤204之前，还包括：对第一绝缘层107薄膜采用干刻工艺。即继续对第一绝缘层107薄膜进行干刻工艺，以加大其过孔107v1的孔径，形成如图8j所示的结构，利于后续制作第二电极层109时电极层材料的爬坡。

为了清楚的说明本发明实施例提供的在阵列基板上形成第一通孔的制作方法，如图13所示，本发明实施例提供的一种在阵列基板上形成第一通孔的制作方法的整体步骤流程图，该整体步骤流程图适用于第一种结构的阵列基板，同时也适用于第二种结构的阵列基板，该整体步骤流程图具体包括如下步骤：

步骤1301，在衬底基板上形成栅极金属层图案、栅极绝缘层薄膜、有源层图案和源漏极金属层图案；

步骤1302，在源漏极金属层图案上依次形成平坦化层薄膜、第一电极层图案、第一绝缘层薄膜和光刻胶图案；

步骤1303，以光刻胶图案为遮挡，对第一绝缘层薄膜采用干刻工艺，在第一绝缘层薄膜形成用于构成第一通孔的过孔，且在第一绝缘层薄膜中形成的过孔能够露出部分第一遮挡电极；

步骤1304，以光刻胶图案和露出的部分第一遮挡电极为遮挡，对平坦化层薄膜采用干刻工艺，在平坦化层薄膜中形成用于构成第一通孔的过孔；

步骤1305，采用湿刻工艺，去除部分露出的第一遮挡电极，以使第一遮挡电极中的过孔孔径大于平坦化层薄膜中过孔孔径；

步骤1306，对第一绝缘层薄膜采用干刻工艺；

步骤1307，在第一绝缘层薄膜上形成包括第一桥接电极的第二电极层图案，并使第一桥接电极至少完全覆盖第一通孔的区域、且与源漏极金属层图案连接。

介绍完第一通孔的工艺流程之后，再继续介绍在阵列基板上形成第二通孔的工艺流程，实际上，在制作过程中，如果阵列基板上同时存在第一通孔和第二通孔，则这两种通孔一般同时进行制作，以减少制作工艺，但是为了说明的更加清楚，本发明实施例将两种通孔的制作工艺分开进行说明。

实施例二：在阵列基板上的显示区域形成第二通孔的工艺流程。

在具体实施时，与上述实施例一相同，本实施例二中也分别对在第一种结构的阵列基板和第二种结构的阵列基板上的显示区域中形成第二通孔的结构进行介绍。由于第一种结构的阵列基板和第二种结构的阵列基板中，形成的第一电极层图案和第二电极层图案具有一定差别，而其它的各个膜层、以及各个膜层的制作顺序和图案等均相同，其制作的方法流程也基本相同，因此，在此不对形成第二通孔做过多介绍。仅主要结合附图说明在形成第二通孔时，第一种结构的阵列基板和第二种结构的阵列基板在结构上有哪些不同。

如图14所示，为本发明实施例提供的在阵列基板上形成第二通孔的制作方法的基本步骤流程图，具体可以采用如下步骤实现：

步骤141，在衬底基板上形成栅极金属层图案、栅极绝缘层薄膜、有源层图案和源漏极金属层图案；

步骤142，在源漏极金属层图案上依次形成平坦化层薄膜、第一电极层图案、第一绝缘层薄膜和光刻胶图案；

步骤143，在形成第一通孔的同时，以光刻胶图案和第一电极层图案中的第二遮挡电极为遮挡，依次对第一绝缘层薄膜、平坦化层薄膜和栅极绝缘层薄膜进行干刻工艺，在第一绝缘层薄膜、第二遮挡电极、平坦化层薄膜和栅极绝缘层薄膜中形成的过孔构成第二通孔；

步骤144，在第一绝缘层薄膜上形成包括第二桥接电极的第二电极层图案，并使第二桥接电极至少完全覆盖第二通孔的区域、且与栅极金属层图案连接。

上述方法是在阵列基板中形成第二通孔的工艺流程，适用于第一种结构的阵列基板，同时也适用于第二种结构的阵列基板，为了能够清楚的对具体工艺流程进行介绍，下面结合阵列基板的俯视图、以及相应的截面图进行介绍。

如图4a所示，位于左下角的圆圈位置即为形成的第二通孔，图中101’为位于栅极金属层的公共电极线，公共电极线与第二通孔连接处设置有同层制作、且凸出于公共电极线的圆圈部分(假设为连接部)，其目的是为了使公共电极线通过连接部与公共电极连接。当然，公共电极线在与第二通孔连接处也可以根据需要设置为其它的结构。例如，连接部的位置可以不仅位于公共电极线的一侧，也可以位于公共电极线的正上方，具体位置，可以根据实际需要进行设置；又或者，如果公共电极线101’宽度足够宽，可以无需设置连接部，而直接将公共电极线的一部分与公共电极连接。如图15所示，为本发明实施例提供的图4a中沿e-e’方向的截面结构示意图，用于描述在第一种结构的阵列基板上形成第二通孔的工艺流程。

相应的，如图5a所示，位于左下角的圆圈位置即为形成的第二通孔，公共电极线101’的设置方式与图4a相同，在此不做重复赘述。如图16所示，为本发明实施例提供的图5a中沿f-f’方向的截面结构示意图，用于描述在第二种结构的阵列基板上形成第二通孔的工艺流程。

在具体实施时，执行的步骤141和步骤142与实施例一中类似，只是形成的第一电极层106图案不同，其它的可以参见实施例一中对步骤201和步骤202的介绍。

其中，当阵列基板为第一种结构时，如图15所示，为了使公共电极能够作为后续干刻平坦化层等各个膜层的遮挡，较佳的，结合图4a和图15，第一电极层106图案包括第二遮挡电极106a2，且第二遮挡电极106a2为与公共电极ce相连的整体结构，其中图15中并未示出公共电极的位置，可以参见图4b。

当阵列基板为第二种结构时，如图16所示，为了使像素电极能够作为后续干刻平坦化层等各个膜层的遮挡，较佳的，结合图5a和图16，第一电极层106图案包括第二遮挡电极106a2，且第二遮挡电极106a2为与像素电极pe同层设置、且相互断开的独立结构，其中图16中并未示出像素电极的位置，可以参见图5b；而结合第二通孔一般设置为圆形结构，可以将第二遮挡电极106a2设置为围绕第二通孔的环形结构，如图5a-图5b所示，当然，也可以根据需要设置为其它形状，在此不做限定。

之后，再在第一电极层106图案上形成一整层的第一绝缘层107薄膜和光刻胶108，具体的可以参见实施例一的介绍，在此不做重复赘述。

在具体实施时，由于步骤143主要是用于形成第二通孔，而第二通孔与第一通孔刻蚀的各个膜层基本相同，因此，执行步骤143的过程，可以与执行步骤203同时进行，即同时刻蚀第一通孔和第二通孔，较佳的，如图17所示，为本发明实施例提供的在各个膜层中形成第二通孔的过孔的步骤流程图，与实施例一类似，上述步骤143具体可以采用如下步骤实现：

步骤1431，在形成第一通孔的同时，以光刻胶图案为遮挡，对第一绝缘层薄膜采用干刻工艺，在第一绝缘层薄膜形成用于构成第二通孔的过孔，且在第一绝缘层薄膜中形成的过孔能够露出部分第二遮挡电极；

步骤1432，以光刻胶图案和露出的部分第二遮挡电极为遮挡，对平坦化层薄膜采用干刻工艺，在平坦化层薄膜中形成用于构成第二通孔的过孔；

步骤1433，以光刻胶图案和露出的部分第二遮挡电极为遮挡，对栅极绝缘层薄膜采用干刻工艺，在栅极绝缘层薄膜中形成用于构成第二通孔的过孔。

由于步骤143具体实现过程与步骤203类似，只是相比于实施例一多执行步骤1433，需要进一步刻蚀栅极绝缘层薄膜，但实际上栅极绝缘层薄膜的材料与第一绝缘层薄膜的材料类似，可以与第一绝缘层薄膜采用相同的刻蚀气体进行刻蚀。

具体的，当阵列基板为第一种结构时，执行完步骤143之后，可以形成如图18a所示的结构，当阵列基板为第二种结构时，执行完步骤143之后，可以形成如图18b所示的结构，图18a-图18b分别为本发明实施例提供的在阵列基板上形成第二通孔的制作方法中步骤143执行后的结构示意图；其中，由在第一绝缘层107薄膜上形成的过孔107v2、在第一遮挡电极上形成的过孔106v2、在平坦化层105薄膜上形成的过孔105v2、以及在栅极绝缘层102薄膜上形成的过孔102v2一同构成了第二通孔t2(如图18a所示)或第二通孔t2’(如图18b所示)；且过孔107v2、过孔106v2、过孔和过孔102v2的孔径依次减小，形成阶梯状通孔。

另外，实施例二中的平坦化层材料的性质与实施例一相同，具体的可以参见实施例一的介绍，在此不做重复赘述。

在具体实施时，在实现上述步骤144时，其主要形成第二电极层图案，具体形成的方式与实施例一相同，可以参见实施例一的介绍，在此也不做重复赘述。下面仅简单介绍形成的第二电极层图案的差异。

当阵列基板为第一种结构时，可以形成如图15所示的结构；第二电极层图案包括第二桥接电极109a2；由于第二通孔的作用是为了使公共电极ce与位于栅极金属层的公共电极线连接，因此，第二桥接电极109a2为与像素电极pe同层设置、且相互断开的独立结构，即使第二桥接电极109a2完全覆盖第二通孔的区域、且与位于栅极金属层的公共电极线连接。

当阵列基板为第二种结构时，可以形成如图16所示的结构；第二电极层图案包括第二桥接电极109a2；由于第二通孔的作用是为了使公共电极ce与栅极金属层图案101连接，因此，第二桥接电极109a2为与公共电极ce相连的整体结构，即使第二桥接电极109a2完全覆盖第二通孔的区域、且与位于栅极金属层的公共电极线连接。

综上，本发明实施例二中的阵列基板的制作方法，也仅需要五道光刻工艺(分别为栅极金属层，有源层和源漏极层，第一电极层，第一绝缘层、平坦化层和第二绝缘层，第二电极层)即可制作出阵列基板，相比于现有技术，由于本发明中可以仅通过一道光刻工艺形成第一绝缘层薄膜和平坦化层薄膜中的过孔，因此可以减少由不同光刻工艺制作而引起的对位精度不足带来的影响，不仅可以减少光刻工艺，而且不会降低产品的良率。

与实施例一类似，下面的介绍中均仅以第一种结构的阵列基板为例进行介绍，第二种结构的阵列基板与其类似，可以参考第一种结构的阵列基板，在此不再重复进行介绍。

在具体实施时，本发明实施例二中也可以再设置一层第二绝缘层薄膜，在栅极绝缘层102和平坦化层105之间。如图19所示，为本发明实施例提供的与图15对应的且包括第二绝缘层的截面结构示意图，较佳的，在执行步骤141之后，在执行步骤142之前，该方法还包括：在栅极绝缘层102图案上形成第二绝缘层110薄膜。

而具体的形成第二绝缘层110薄膜之后制作第二通孔的过孔与实施例一类似，可以参见实施例一的介绍，在此也不做重复赘述。

至此，在阵列基板上形成第二通孔的制作方法的基本步骤流程介绍完，但在具体实施过程中，对第一绝缘层薄膜和平坦化层薄膜进行干刻工艺，由于采用第一遮挡电极106a2进行遮挡，因此可能会使平坦化层105薄膜上刻蚀的孔径过大，进而使第一遮挡电极106a2上刻蚀的过孔106v2的孔径小于平坦化层105上刻蚀的过孔105v2的孔径，会使过孔所在的区域处第一遮挡电极106a2凸出于平坦化层105，即形成凸出部。

与实施例一中一样，本发明实施例二也可以采用湿刻工艺去除凸出部。在步骤143之后，在步骤144之前，还包括：采用湿刻工艺，去除部分露出的所述第二遮挡电极，以使所述第二遮挡电极中的过孔孔径大于所述所述平坦化层薄膜中过孔孔径。具体的可以参见实施例一的介绍，在此也不做重复赘述。

为了清楚的说明本发明实施例提供的在阵列基板上形成第二通孔的制作方法，如图20所示，本发明实施例提供的一种在阵列基板上形成第二通孔的制作方法的整体步骤流程图，该整体步骤流程图适用于第一种结构的阵列基板，同时也适用于第二种结构的阵列基板，该整体步骤流程图具体包括如下步骤：

步骤2001，在衬底基板上形成栅极金属层图案、栅极绝缘层薄膜、有源层图案和源漏极金属层图案；

步骤2002，在源漏极金属层图案上依次形成平坦化层薄膜、第一电极层图案、第一绝缘层薄膜和光刻胶图案；

步骤2003，在形成第一通孔的同时，以光刻胶图案为遮挡，对第一绝缘层薄膜采用干刻工艺，在第一绝缘层薄膜形成用于构成第二通孔的过孔，且在第一绝缘层薄膜中形成的过孔能够露出部分第二遮挡电极；

步骤2004，以光刻胶图案和露出的部分第二遮挡电极为遮挡，对平坦化层薄膜采用干刻工艺，在平坦化层薄膜中形成用于构成第二通孔的过孔；

步骤2005，以光刻胶图案和露出的部分第二遮挡电极为遮挡，对栅极绝缘层薄膜采用干刻工艺，在栅极绝缘层薄膜中形成用于构成第二通孔的过孔；

步骤2006，采用湿刻工艺，去除部分露出的第二遮挡电极，以使第二遮挡电极中的过孔孔径大于平坦化层薄膜中过孔孔径；

步骤2007，对第一绝缘层薄膜和/或栅极绝缘层薄膜采用干刻工艺；

步骤2008，在第一绝缘层薄膜上形成包括第一桥接电极的第二电极层图案，并使第一桥接电极至少完全覆盖第一通孔的区域、且与源漏极金属层图案连接。

实施例三：在阵列基板上的非显示区域形成第一通孔和第二通孔的工艺流程。

在具体实施时，在阵列基板的非显示区域中，无论是第一种结构的阵列基板，还是第二种结构的阵列基板，形成的第一通孔和第二通孔的结构相同。另外，第一通孔和第二通孔可以设置在绑定区域，具体的制作工艺流程与实施例一和实施例二类似，可以参见上述两个实施例。

如图21a所示，为本发明实施例提供的在阵列基板的非显示区域中形成第一通孔的俯视图；如图21b所示，为本发明实施例提供的图21a中沿gg’方向的截面结构示意图。

如图22a所示，为本发明实施例提供的在阵列基板的非显示区域中形成第二通孔的俯视图；如图22b所示，为本发明实施例提供的图22a中沿hh’方向的截面结构示意图。

具体的，一般设置在非显示区域中的第二电极层109图案为与公共电极图案或者像素电极图案同层设置、且相互断开的单独结构。而设置在非显示区域中的第一遮挡电极106a1图案仅为围绕第一通孔的一圈遮挡结构，并与公共电极图案或者像素电极图案同层设置；同理，设置在非显示区域中的第二遮挡电极106a2图案仅为围绕第二通孔的一圈遮挡结构，并与公共电极图案或者像素电极图案同层设置。

另外，第一通孔和第二通孔也可以用于在非显示区域进行换层跨接线，如图23a所示，为本发明实施例提供的在阵列基板的非显示区域中形成第二通孔的俯视图；如图23b所示，为本发明实施例提供的图23a中沿ii’方向的截面结构示意图。

针对上述实施例一至实施例三中提到的干刻工艺，可以采用不同的刻蚀气体进行刻蚀，下面进行详细介绍。另外，以下对刻蚀气体的介绍均适用于上述三个实施例。

在形成第一通孔和第二通孔时，需要对第一绝缘层薄膜、平坦化层薄膜、第二绝缘层薄膜和栅极绝缘层薄膜中的部分或者全部膜层进行干刻工艺，进而在上述各个膜层上形成用于构成第一通孔和第二通孔的过孔。根据上述各个膜层材料的不同，需要分别采用两种类型的刻蚀气体进行干刻蚀，其中，第一绝缘层薄膜、第二绝缘层薄膜和栅极绝缘层薄膜采用同一类型的刻蚀气体(即第一刻蚀气体)，平坦化层薄膜需要采用另外一种类型的刻蚀气体(即第二刻蚀气体)。

具体的，由于第一绝缘层薄膜、第二绝缘层薄膜和栅极绝缘层薄膜一般都是采用氮化硅材料制作，较佳的，第一刻蚀气体包括四氟化碳和氧气；或，第一刻蚀气体包括六氟化硫和氧气。氮化硅材料先与氧气反应生成氧化硅材料之后，可以被四氟化碳或六氟化硫气体刻蚀。

另外，可以采用同一类型的刻蚀气体对三个膜层分开进行刻蚀，也可以同时进行刻蚀，较佳的，利用第一刻蚀气体对第一绝缘层薄膜采用一次干刻工艺，利用第一刻蚀气体同时对第二绝缘层薄膜和栅极绝缘层薄膜采用一次干刻工艺；或，利用第一刻蚀气体同时对第一绝缘层薄膜、第二绝缘层薄膜和栅极绝缘层薄膜采用一次干刻工艺。

而由于本发明实施例提供的平坦化层薄膜的采用为有机硅树脂，因此，无需通入氧气，可以直接采用四氟化碳或六氟化硫对平坦化层薄膜进行干刻工艺，较佳的，利用第二刻蚀气体对平坦化层薄膜采用干刻工艺。第二刻蚀气体包括四氟化碳或六氟化硫。

综上，本发明实施例提供的第一刻蚀气体仅比第二刻蚀气体多添加了氧气，因此，实际上相当于可以通过一次干刻工艺依次在第一绝缘层薄膜、平坦化层薄膜、第二绝缘层薄膜和栅极绝缘层薄膜上形成过孔，只是在刻蚀第一绝缘层薄膜、第二绝缘层薄膜和栅极绝缘层薄膜时需要通入四氟化碳(或六氟化硫)和氧气，而在刻蚀平坦化层薄膜时，仅需要通入四氟化碳(或六氟化硫)即可；同时，可以通过调节通入氧气的流量来调节选择刻蚀比。

本领域技术人员可以明白，在阵列基板的制作工艺中，除了本发明实施例公开的各工艺步骤之外，还包括其它的一些公知的工艺步骤(例如，具体形成阵列基板上各个膜层的工艺等)。为了不模糊本发明实施例的核心工艺步骤，在描述本实施例的阵列基板的制作方法时，略去了对这些公知的工艺步骤的描述。

基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种阵列基板，由于该阵列基板解决问题的原理与本发明实施例提供的上述阵列基板制作方法相似，因此该阵列基板的实施可以参见上述阵列基板制作方法的实施，重复之处不再赘述。

如图6或图7所示，该阵列基板包括：在衬底基板100上依次设置的栅极金属层101图案、栅极绝缘层102、有源层103图案、源漏极金属层104图案、平坦化层105薄膜、第一电极层106图案、第一绝缘层104薄膜和第二电极层108图案；其中，在第一绝缘层104薄膜、第一电极层106图案中的第一遮挡电极106a1和平坦化层105薄膜中形成的过孔构成第一通孔；第二电极层109图案中包括的第一桥接电极109a1至少完全覆盖第一通孔t1(或t1’)的区域、且分别与第一遮挡电极106a1和源漏极金属层104图案连接。

除了可以形成如图6和图7所示的第一通孔之外，还可以形成第二通孔。如图15和图16所示，较佳的，在第一绝缘层107薄膜、第一电极层106图案中的第二遮挡电极106a2、平坦化层105薄膜和栅极绝缘层102薄膜中形成的过孔构成第二通孔；第二电极层109图案中包括的第二桥接电极109a2至少完全覆盖第二通孔的区域、且分别与第二遮挡电极106a2和栅极金属层101图案连接。

在具体实施时，由于阵列基板一般具有两种结构(即上述第一种结构和第二种结构)，因此，在每种结构的阵列基板上形成第一通孔和第二通孔的结构不同。

当在第一种结构的阵列基板上形成第一通孔(如图6所示)和第二通孔(如图15所示)时，较佳的，第一电极层106图案中包括公共电极ce图案、第一遮挡电极106a1图案和第二遮挡电极106a2图案；第二电极层109图案中包括像素电极pe图案、第一桥接电极109a1图案和第二桥接电极109a2图案；公共电极ce图案具有第一开口区域kk，第一遮挡电极106a1图案设置在第一开口区域kk中，且第一开口区域的孔径大于第一遮挡电极106a1图案中的过孔106v1孔径；第二遮挡电极106a2图案为与公共电极ce图案相连的整体结构，且第二遮挡电极106a2图案中包括构成第二通孔的过孔106v2；第一桥接电极109a1图案为与像素电极pe图案相连的整体结构；第二桥接电极109a2图案与公共电极ce图案断开。

现在技术中，一般形成如图1a所示的结构，第一电极层13上没有设置遮挡电极，为了不使第一电极层13的边缘与第二电极层18搭接到一起，通常将第一电极层13上的开口设置的较大，而较大的开口不利于后续制作第二电极层18时电极材料爬坡。而本发明中第一电极层图案中包括公共电极图案、第一遮挡电极图案和第二遮挡电极图案，即如图4a-图4c所示的结构，第一电极层图案中包括圆环形的遮挡电极106a1，因为在第一遮挡电极106a1图案中设置的过孔的孔径无需设置的很大，可以更好的形成阶梯形的第一通孔。

当在第二种结构的阵列基板上形成第一通孔(如图7所示)和第二通孔(如图16所示)时，较佳的，第一电极层106图案中包括像素电极pe图案、第一遮挡电极106a1图案和第二遮挡电极106a2图案；第二电极层109图案中包括公共电极ce图案、第一桥接电极109a1图案和第二桥接电极109a2图案；第一遮挡电极106a1图案为与像素电极pe图案相连的整体结构，且第一遮挡电极106a1图案中包括构成第一通孔的过孔106v1；第二遮挡电极106a2图案与像素电极pe图案断开，且第二遮挡电极106a2图案中包括构成第二通孔的过孔106v2；第一桥接电极109a1图案与公共电极pe图案断开；第二桥接电极109a2图案为与公共电极ce图案相连的整体结构。

现有技术中，在形成的第二种结构的阵列基板中，像素电极在源漏极金属层的上方一般不设置开口，而是使像素电极与源漏极金属层直接连接。而本发明中则形成如图5a-图5c所示的结构，由于本发明中并不是直接将像素电极与源漏极金属层连接，而是使像素电极通过公共电极中包括的第一桥接电极与源漏极金属层连接，因此，需要在像素电极位于源漏极金属层的上方设置开口，以使第一桥接电极能够与源漏极金属层直接接触。

基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括本发明实施例提供的上述任一阵列基板。由于该显示装置解决问题的原理与本发明实施例提供的阵列基板相似，因此该显示装置的实施可以参见阵列基板的实施，重复之处不再赘述。

综上所述，本发明实施例的有益效果如下：

1、通过优化阵列基板的制作方法，对阵列基板中需要刻蚀过孔以构成通孔的多个膜层的制作工艺进行了改进，需要在源漏极金属层图案上形成一整层的平坦化层薄膜，再通过一道光刻工艺在平坦化层薄膜上形成包括第一遮挡电极的第一电极层图案，然后再通过一道光刻工艺形成光刻胶图案，以光刻胶图案和第一电极层图案中的第一遮挡电极为遮挡，依次对第一绝缘层薄膜和平坦化层薄膜进行干刻工艺，由于本发明是在制作完第一电极层图案和一整层的第一绝缘层薄膜之后，才形成的第一绝缘层薄膜和平坦化层薄膜上的过孔，没有采用现有技术中孔套孔的刻蚀工艺，而且由于本发明的第一电极层图案中包括在对平坦化层进行干刻工艺时用于遮挡的第一遮挡电极，因此本发明中的制作方法可以无需加大平坦化层中的过孔孔径，即可满足刻蚀要求，进而可以提高开口率及后续制程的良率。

2、本发明中的阵列基板的制作方法，仅需要五道光刻工艺(分别为栅极金属层，有源层和源漏极层，第一电极层，第一绝缘层、平坦化层和第二绝缘层，第二电极层)即可制作出阵列基板，相比于现有技术，由于本发明中可以仅通过一道光刻工艺形成第一绝缘层薄膜和平坦化层薄膜中的过孔，因此可以减少由不同光刻工艺制作而引起的对位精度不足带来的影响，不仅可以减少光刻工艺，而且不会降低产品的良率。

3、本发明实施例中提供的阵列基板的制作方法中，是在第一电极层图案之上形成一整层的第一绝缘层薄膜之后，再刻蚀第一通孔，并在刻蚀出第一通孔之后，对第一遮挡电极凸出于平坦化层的凸出部采用湿刻工艺，不仅可以有效的去除凸出部，而且不会影响第一遮挡电极和第一电极的作用。

显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。