技术特征：
技术总结
本发明提供一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成栅极结构；在所述栅极结构两侧形成第一源漏掺杂层；在所述栅极结构两侧的第一源漏掺杂层表面形成第二源漏掺杂层，所述第一源漏掺杂层与栅极结构之间的间距小于所述第二源漏掺杂层与栅极结构之间的间距。其中，由于所述第一源漏掺杂层距离所述栅极结构较近，所述第一源漏掺杂层能够为沟道提供较大的应力，从而能够增加沟道载流子的迁移速率；此外，所述第二源漏掺杂层与栅极结构之间的间距较大，从而能够减小短沟道效应。因此，所述形成方法能够改善半导体结构的性能。
技术研发人员：唐粕人
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
技术研发日：2017.07.25
技术公布日：2019.02.01