技术特征：
技术总结
一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，基底包括核心区和周边区；在基底上形成伪栅结构，包括栅氧化层以及位于栅氧化层上的伪栅电极层；在伪栅结构露出的基底上形成层间介质层，层间介质层露出伪栅结构顶部；去除核心区伪栅结构，在核心区层间介质层内形成露出基底的第一开口；在第一开口露出的基底上形成牺牲层；形成牺牲层后，去除周边区的伪栅电极层，在周边区层间介质层内形成第二开口；去除牺牲层；在第一开口底部和侧壁、第二开口侧壁以及第二开口中的栅氧化层上形成高k栅介质层。通过本发明技术方案，提高周边区栅氧化层的质量和厚度均一性，且避免去除周边区伪栅电极层的工艺对核心区基底造成损耗或损伤。
技术研发人员：李勇
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司
技术研发日：2017.07.27
技术公布日：2019.02.05