技术特征：
技术总结
本申请涉及用于制造沟道迁移率增强的半导体器件的湿法化学法。本文公开了沟道迁移率增强的半导体器件及其制造方法的实施方案。在一个实施方案中，半导体器件包括这样的基底，其包括沟道区和沟道区上方的基底上的栅堆栈。栅堆栈包含碱土金属。在一个实施方案中，碱土金属为钡(Ba)。在另一个实施方案中，碱土金属为锶(Sr)。碱土金属导致半导体器件的沟道迁移率显著改进。
技术研发人员：S.达;L.程;S-H.刘;A.K.阿加瓦尔;J.W.帕尔穆尔;E.马基;J.古尔加努斯;D.J.利希滕瓦尔纳
受保护的技术使用者：科锐
技术研发日：2012.06.26
技术公布日：2017.11.10