技术特征：
技术总结
本发明公开一种瞬态抑制二极管芯片结构，该瞬态抑制二极管芯片结构包括：第一导电类型衬底层；形成于第一导电类型衬底层一表面的第一导电类型注入层；形成于第一导电类型衬底层与第一导电类型注入层之间的第二导电类型外延层；以及隔离结构，隔离结构贯穿第一导电类型注入层及第二导电类型外延层，将第一导电类型注入层及第二导电类型外延层分隔成两个及以上区域。本发明技术方案设计芯片电极位于同一侧实现免封装，降低成本。
技术研发人员：喻先坤
受保护的技术使用者：东莞市阿甘半导体有限公司
技术研发日：2017.10.18
技术公布日：2018.02.23