半导体器件及制造其的方法与流程

技术特征：

技术总结
一种半导体器件包括在衬底上垂直地一个堆叠在另一个顶部的字线、字线之间的绝缘图案、连接到衬底的垂直柱、以及字线侧面处的在衬底上的剩余牺牲图案。垂直柱穿透字线和绝缘图案。绝缘图案的每个包括字线之间的第一部分以及从第一部分延伸并在剩余牺牲图案之间的第二部分。第一部分的第一厚度小于第二部分的第二厚度。

技术研发人员：张炳铉;刘东哲;张祐赈;安宰永;梁俊圭
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：2017.10.26
技术公布日：2018.05.04