等离子体设备及等离子体设备监测方法与流程

本公开主要涉及一种半导体设备及监测方法，特别涉及一种等离子体设备及其监测方法。

背景技术：

半导体装置已使用于多种电子上的应用，例如个人电脑、手机、数位相机、以及其他电子设备。半导体装置基本上依序经由沉积绝缘层或介电层、导电层、以及半导体层的材料至一晶片、以及使用光刻技术图案化多种材料层来形成电路组件以及元件于其上而被制造。许多集成电路一般制造于一单一晶片，且晶片上个别的晶粒于集成电路之间沿着一切割线被切割分离。举例而言，个别的晶粒基本上被分别的封装于一多芯片模块或是其他类型的封装。

现今的半导体工业通过增加晶片的尺寸来增进产能以及降低每颗芯片的售价。然而当晶片的尺寸增加时，用于处理晶片的等离子体设备的工艺腔的尺寸亦随之增加。因此当晶片于工艺腔内进行时蚀刻工艺等时，工艺腔内等离子体的分布需要更为精准的控制。

据此，虽然目前的等离子体设备符合了其使用的目的，但尚未满足许多其他方面的要求。因此，需要提供等离子体设备的改进方案。

技术实现要素：

本公开提供了一种等离子体设备，包括：一工艺腔，具有一通孔；一晶片座，设置于工艺腔内；一透光元件，设置于通孔内；以及一遮光装置，设置于透光元件上。等离子体设备还包括一光学检测器，设置于遮光装置上；以及一光谱分析装置，耦接于光学检测器。

本公开提供了一种等离子体设备监测方法，包括：激发一工艺腔内的工作气体形成等离子体，其中等离子体所产生的光线通过工艺腔的一透光元件以及设置于透光元件上的一遮光装置；以及检测光线并产生一检测信号。等离子体设备监测方法还包括依据检测信号产生一光谱信号；以及依据光谱信号调整遮光装置。

附图说明

图1为根据本公开的一些实施例的等离子体设备的示意图。

图2为根据本公开的一些实施例的光学监控系统的系统图。

图3a及图3b为根据本公开的一些实施例的遮光装置的示意图。

图4为根据本公开的一些实施例的等离子体设备监测方法的流程图。

图5为根据本公开的一些实施例的遮光装置的示意图。

图6为根据本公开的一些实施例的遮光装置的示意图。

附图标记说明：

等离子体设备1

工艺腔10

侧壁11

通孔12

透光元件13

晶片座20

气体供应装置30

气体分布盘31

沟道311

排出孔312

上表面313

气体储存槽32

气流控制器33

第一射频装置40

第一电极板41

第一射频电源42

第二射频装置50

第二电极板51

第二射频电源52

光学监控系统60

光学检测器61、62

光谱分析装置63

光学传感器631

处理装置64

遮光装置70、70a、70b

基座71

调整机构72

遮光片73

透光孔74

网状结构75

等离子体e1

晶片w1

基材w11

蚀刻停止层w12

工作层w13

未曝光区域w131

已曝光区域w132

光纤f1

具体实施方式

以下的说明提供了许多不同的实施例、或是例子，用来实施本公开的不同特征。以下特定例子所描述的元件和排列方式，仅用来精简的表达本公开实施例，其仅作为例子，而并非用以限制本公开实施例。例如，第一特征在一第二特征上或上方的结构的描述包括了第一和第二特征之间直接接触，或是以另一特征设置于第一和第二特征之间，以致于第一和第二特征并不是直接接触。

此外，本说明书于不同的例子中沿用了相同的元件标号及/或文字。前述的沿用仅为了简化以及明确，并不表示于不同的实施例以及设定之间必定有关联。

本说明书的第一以及第二等词汇，仅作为清楚解释的目的，并非用以对应于以及限制专利范围。此外，第一特征以及第二特征等词汇，并非限定是相同或是不同的特征。

于此使用的空间上相关的词汇，例如上方或下方等，仅用以简易描述附图上的一元件或一特征相对于另一元件或特征的关系。除了附图上描述的方位外，包括于不同的方位使用或是操作的装置。附图中的形状、尺寸、以及厚度可能为了清楚说明之目的而未依照比例绘制或是被简化，仅提供说明之用。

本公开提供一种用于等离子体设备的遮光装置，能将光学监控系统所检测到的等离子体光谱的强度维持于一范围之间，进而减少误判等离子体工艺或等离子体设备出现异常的机率。

图1为根据本公开的一些实施例的等离子体设备1的示意图。等离子体设备1可用以实施一等离子体工艺至晶片w1。于一些实施例中，等离子体设备1可为一蚀刻设备、一物理气相沉积(pvd)设备、一化学气相沉积(cvd)设备、或是一离子注入(ionimplantation)设备。等离子体工艺可为一蚀刻工艺、物理气相沉积工艺、化学气相沉积工艺或是离子注入工艺。

于本实施例中，等离子体设备1可为一蚀刻设备，用以实施蚀刻工艺至晶片w1。等离子体设备1可包括一工艺腔10、一晶片座20、一气体供应装置30、一第一射频装置40、一第二射频装置50、一光学监控系统60、以及一遮光装置70。

于一些实施例中，工艺腔10的压力为约10mtorr至100mtorr的范围之间。晶片座20设置于工艺腔10内，用以承载一晶片w1。于一些实施例中，晶片座20可为一静电式晶片座。于一些实施例中，晶片w1放置于晶片座20朝向气体供应装置30的一承载面上。晶片w1的直径可约为200mm至450mm的范围之间。

气体供应装置30用以于等离子体工艺中，供应工作气体进入工艺腔10内。气体供应装置30可包括一气体分布盘31、一气体储存槽32、以及一气流控制器33。气体分布盘31位于晶片座20的上方，且可为一圆盘状结构。

气体分布盘31具有一沟道311以及多个排出孔312。沟道311耦接于气流控制器33。排出孔312与沟道311连通，且朝向晶片座20。气体分布盘31用以朝向晶片座20喷出工作气体。于一些实施例中，气体分布盘31的尺寸对应于晶片w1的尺寸。气体分布盘31可由石英所制成。于一些实施例中，晶片座20的承载面、气体分布盘31、以及晶片w1相互平行。

气体储存槽32可设置于工艺腔10之外，用以储存工作气体。气体储存槽32耦接于气体分布盘31。气流控制器33耦接于气体储存槽32以及气体分布盘31。气流控制器33可设置于工艺腔10之外，用以将气体储存槽32内的工作气体输送至气体分布盘31内。输送至气体分布盘31的工作气体进入沟道311，并经由排出孔312进入工艺腔10内。于一些实施例中，气流控制器33可为泵或是阀。

于一些实施例中，工作气体包括cf4、chf3、c2f6、sf6、o2、n2、及/或ar。于本实施例中，气体储存槽32以及气流控制器33的数目为一个，但不予以限制。气体储存槽32以及气流控制器33的数目可为两个以上，藉以将不同的工作气体依据不同等离子体工艺的需求输送至工艺腔10内。

第一射频装置40位于气体分布盘31之上。第一射频装置40用以于工艺腔10内产生一电场。第一射频装置40包括一第一电极板41以及一第一射频电源42。第一电极板41位于气体分布盘31之上。于一些实施例中，第一电极板41的尺寸对应于气体分布盘31及/或晶片w1的面积。第一电极板41可平行于气体分布盘31及/或晶片w1。第一射频电源42耦接于第一电极板41，且用以提供射频能量至第一电极板41。

第二射频装置50可连接于晶片座20。第二射频装置50用以于工艺腔10内产生电场。换句话说，电场于第一射频装置40以及第二射频装置50之间产生，用以激发工作气体形成等离子体e1。

第二射频装置50可包括一第二电极板51以及一第二射频电源52。第二电极板51可位于晶片座20内。于一些实施例中，第二电极板51的尺寸对应于第一电极板41的尺寸。第二射频电源52耦接于第二电极板51，且用以提供射频能量至第二电极板51。

于蚀刻工艺中，晶片w1设置于晶片座20上。于一些实施例中，晶片w1包括一基材w11、一蚀刻停止层w12、以及一工作层w13。蚀刻停止层w12设置于基材w11上。工作层w13设置于蚀刻停止层w12上。于一些实施例中，工作层w13可为一光致抗蚀剂层。工作层w13包括多个未曝光区域w131以及已曝光区域w132。

之后，气流控制器33将气体储存槽32内的工作气体输入至气体分布盘31内。气体分布盘31内的工作气体经由排出孔312进入工艺腔10。通过启动第一射频装置40以及第二射频装置50以于晶片座20以及气体分布盘31之间产生电场。由于晶片w1位于第一电极板41以及第二w131电极板51之间，因此晶片w1位于电场内。

于蚀刻工艺中，工作气体经由电场激发后在晶片w1及气体分布盘31之间形成等离子体e1。于本实施例中，等离子体e1可用以蚀刻晶片w1的未曝光区域。于另一实施例中，等离子体e1可用以蚀刻晶片w1的已曝光区域w132。

一般而言，于蚀刻工艺中，由于不同的化学材料被带入等离子体e1中，等离子体e1会依照工作层w13的蚀刻程度产生不同的光谱。举例而言，当等离子体e1蚀刻工作层w13的部分未曝光区域w131，一些工作层w13的化学材料飘散至工艺腔10内，并带入等离子体e1中。于等离子体e1中不同的化学材料会激发出不同波长的光线，导致等离子体e1的光谱改变。

当进一步蚀刻工作层w13时，带入等离子体e1的化学材料增加，此时等离子体e1的光谱将不同于蚀刻工艺刚开始时等离子体e1的光谱。因此，工作层w13的蚀刻程度决定了等离子体e1的光谱。

此外，当蚀刻停止层w12被蚀刻时，蚀刻停止层w12的化学材料亦会被带入等离子体e1中。等离子体e1的光谱亦会被蚀刻停止层w12的化学材料改变。一般而言，蚀刻工艺的终点(endpoint)可定义为未曝光区域w131完全或大致完全被移除时或是蚀刻停止层w12被蚀刻时。因此，蚀刻工艺的终点可依据等离子体e1的光谱来决定。

光学监控系统60连接于工艺腔10。光学监控系统60用以检测等离子体e1的光谱，藉以监控蚀刻工艺以及等离子体设备1的状况。

图2为根据本公开的一些实施例的光学监控系统60的系统图。如图1及图2所示，光学监控系统60包括多个光学检测器61、一光学检测器62、一光谱分析装置63、以及一处理装置64。如图1所示，光学检测器61可设置于第一电极板41以及气体分布盘31之间。于一些实施例中，光学检测器61可设置于气体分布盘31的上表面313上。于本实施例中，光学检测器61可穿过气体分布盘31的上表面313，并可埋入气体分布盘31内。

于一些实施例中，光学检测器61以及排出孔312之间的气体分布盘31可为透明的。因此，工艺腔10内等离子体e1所产生的光线可经由气体分布盘31的排出孔312照射至光学检测器61。于一些实施例中，光学检测器61可露出于沟道311。

光学检测器61用以检测等离子体e1的光谱，并产生检测信号至光谱分析装置63。于一些实施例中，光学检测器61可为终点检测器(end-pointdetector)，用以检测工作层w13的蚀刻厚度以及蚀刻工艺的终点。

于一些实施例中，光学检测器61以阵列的方式排列于气体分布盘31。因此每一光学检测器61可对应晶片w1的不同区域。因此，光学检测器61可用以检测晶片w1不区域的蚀刻程度。

光学检测器62设置于工艺腔10的一侧壁11上，并位于工艺腔10之外。侧壁11可大致为一垂直的侧壁，且可大致垂直于气体分布盘31或晶片w1。于本实施例中，侧壁11具有一通孔12，且工艺腔10具有设置于通孔12内的一透光元件13。

于一些实施例中，透光元件13可为一片状结构。透光元件13邻近于气体分布盘31以及晶片座20之间的区域。光学检测器62可设置于透光元件13上。因此，工艺腔10内等离子体e1所产生的光线可经由透光元件13照射至光学检测器62。

光学检测器62用以检测等离子体e1的光谱，并用以产生检测信号至光谱分析装置63。于一些实施例中，光学检测器62可为光学放射光谱检测器(opticalemissionspectrumdetector,oesdetector)，用以检测蚀刻工艺的等离子体e1状态和品质。

光谱分析装置63耦接于光学检测器61以及光学检测器62。光谱分析装置63用以接收光学检测器61以及光学检测器62所产生的检测信号，并依据检测信号产生光谱信号至处理装置64。

于一些实施例中，光学检测器61以及光学检测器62经由光纤f1连接至光谱分析装置63。光谱分析装置63可包括光学传感器631，例如互补式金属氧化物半导体(complementarymetal-oxide-semiconductor,cmos)传感器或是感光耦合元件(charge-coupleddevice,ccd)传感器。于一些实施例中，光学检测器61以及光学检测器62经由无线传输的方式将检测信号传输至光谱分析装置。

于一些实施例中，等离子体e1所产生的光线进入光学检测器61以及光学检测器62，并经由光纤f1传输至光学传感器631。光谱分析装置63依据照射于光学传感器631的光线产生光谱信号。换句话说，光谱信号对应于等离子体e1的光谱。

处理装置64耦接于光谱分析装置63、气流控制器33、第一射频电源42、以及第二射频电源52。处理装置64用以接收光谱信号，并可依据光谱信号判断半导体设备1是否出现故障状况及产生警告信号。举例而言，若等离子体工艺或等离子体设备1未出现异常时，光谱信号相似于一基准光谱信号。当光谱信号与一基准光谱信号差异过大时，处理装置64可判断半导体设备1出现故障并发出警告信号。此外，处理装置64可依据光谱信号产生控制信号藉以控制蚀刻程度以及蚀刻终点。于一些实施例中，处理装置64可为一电脑。

于一些实施例中，若处理装置64分析光谱信号后认为半导体设备故障或是出现异常，则可发出警告信号，并可使得半导体设备停止运作。

于一些实施例中，气流控制器33依据控制信号而调整输出于气体分布盘31的工作气体的流量。举例而言，当等离子体e1的量不足时，气流控制器33可依据控制信号而增加输出于气体分布盘31的工作气体的流量。

于一些实施例中，第一射频电源42以及第二射频电源52依据控制信号而调整输出于第一电极板41以及第二电极板51的射频能量，藉以改变电场的强度。当工作层w13的蚀刻程度不足时，第一射频电源42以及第二射频电源52依据控制信号而增加输出于第一电极板41以及第二电极板51的射频能量。

遮光装置70设置于透光元件13上。遮光装置70可位于工艺腔10外，以避免被等离子体e1损坏。于一些实施例中，遮光装置70位于透光元件13以及光学检测器62之间。遮光装置70的一侧连接于工艺腔10的侧壁11，且朝向透光元件13。遮光元件的另一相反侧连接于光学检测器62。遮光装置70可物理性地遮挡由透光元件13射入光学检测器62的量。

图3a及图3b为根据本公开的一些实施例的遮光装置70的示意图。于本实施例中，遮光装置70可包括一基座71以及一调整机构72。基座71设置于工艺腔10的侧壁11，且对应于透光元件13。基座71可为一环状结构。于一些实施例中，基座71可拆卸地设置于工艺腔10的侧壁11，以方便置换遮光装置70。

调整机构72设置于基座71，且形成对应于该透光元件13的透光孔74。调整机构72用以物理性遮挡通过透光元件13的光线。于本实施例中，透光孔74的尺寸为可变的。处理装置64电性连接于调整机构72，且用以控制调整机构72，进而调整该透光孔74的尺寸。换句话说，调整机构72可调整通过透光元件13的光线的遮蔽率。于一些实施例中，上述遮蔽率可为0％至80％的范围之间。

于一些实施例中，透光孔74的最小面积小于透光元件13的面积。于一些实施例中，透光孔74的最小面积为透光元件13的面积的50％至80％。于一些实施例中，透光孔74的最大面积大于或等于透光元件13的面积。透光元件13的面积为透光元件13平行于透光孔74的一截面上进行测量。

于一些实施例中，调整机构72包括多个遮光片73，环状排列于基座71内侧壁11，并形成透光孔74。遮光片73用以物理性遮挡通过透光元件13的光线。处理装置64依据该光谱信号产生控制信号传送至调整机构72。于一些实施例中，调整机构72包括一驱动器。调整机构72的驱动器依据控制信号控制遮光片73移动，藉以调整透光孔74的尺寸。如图3a所示，透光孔74的尺寸较小。如图3b所示，透光孔74的尺寸较大。

于实施等离子体工艺时，等离子体e1会逐渐造成透光元件13磨损而降低透光元件13的透光率。当透光元件13的透光率下降过多时会造成光谱分析装置63所产生的光谱信号与基准光谱信号的差异过大，可能会造成处理装置64误判等离子体工艺或等离子体设备1出现异常，进而影响了晶片w1的生产效率。

因此，于本实施例中，通过遮光装置70可先将等离子体e1所产生的光线通过透光元件13以及遮光装置70的透光率降低，待透光元件13因等离子体工艺磨损而导致透光率下降时，处理装置64可依据光谱信号与基准光谱信号的差异而控制遮光装置70增加透光孔74的尺寸，进而增加光线通过透光元件13以及遮光装置70的透光率。

换句话说，通过遮光装置70可稳定光线通过透光元件13以及遮光装置70的透光率。当等离子体工艺或等离子体设备1未出现异常时，光谱分析装置63可产生稳定的强度的光谱信号。此外，由于当等离子体工艺或等离子体设备1未出现异常时，光谱信号相似于基准光谱信号，因此处理装置64分析具有稳定的强度的光谱信号，可降低误判等离子体工艺或等离子体设备1出现异常的机率。

举例而言，当工艺腔10安装一新的透光元件13，透光元件13的透光率可约为100％。通过如图3a所示的具有较小透光孔74的遮光装置70可将光线通过透光元件13以及遮光装置70的透光率降低至一预定数值，例如70％。

于完成数次(例如100次，但并不以此为限)等离子体工艺后，透光元件13的透光率因为等离子体工艺的磨损而使透光率下降，例如下降至99％。此时，处理装置64依据光谱信号的强度增加透光孔74的尺寸。通过如图3b所示的具有较大透光孔74的遮光装置70使得光线通过透光元件13以及遮光装置70的透光率维持至前述预定数值。因此，于本公开中利用遮光装置70可维持光谱分析装置63所产生的光谱信号的强度，进而使得处理装置64能更准确地分析等离子体工艺或等离子体设备1是否出现异常。

于一些实施例中，处理装置64每完成一次的等离子体工艺后即调整透光孔74的尺寸。于一些实施例中，处理装置64于一次等离子体工艺中进行一次或一次以上调整透光孔74的尺寸的动作。于一些实施例中，处理装置64于执行一预定次数的等离子体工艺后，依据预定次数的光谱信号整透光孔74的大小。上述的预定次数可为两次、三次、或四次以上。

于上述例子中，当处理装置64分析光谱信号判断光线通过透光元件13以及遮光装置70的透光率降到预定数值(例如70％)，且无法通过增加透光孔74来增加光线通过透光元件13以及遮光装置70的透光率时，处理装置64可通知维修人员进行透光元件13的更换。于一些实施例中，通过遮光装置70将光线通过透光元件13以及遮光装置70的透光率维持至n％。当处理装置64分析光谱信号判断光线通过透光元件13以及遮光装置70的透光率降到n％，且透光孔74的尺寸为最大时，处理装置64可通知维修人员进行透光元件13的更换。上述的n％可为50％至80％的范围之间。

图4为根据本公开的一些实施例的等离子体设备监测方法的流程图。于步骤101中，激发工艺腔10内的工作气体形成等离子体e1。上述等离子体e1所产生的光线通过透光元件13以及遮光装置70。于步骤103中，光学检测器62检测上述光线并产生一检测信号。

于步骤s105中，光谱分析装置63依据检测信号产生光谱信号。于步骤s107中，处理装置64依据光谱信号调整遮光装置70。于一些实施例中，处理装置64依据光谱信号调整调整机构70，藉以增加调整机构70所形成的透光孔74的尺寸。

图5为根据本公开的一些实施例的遮光装置70的示意图。于本实施例中，遮光装置70可包括一基座71以及一网状结构75。基座71设置于工艺腔10的侧壁11上，且对应于透光元件13。基座71可为一环状结构。

网状结构75连接于基座71内侧壁，且对应于透光元件13。网状结构75可由不透光材质所制成。于一些实施例中，网状结构75可由金属材质所制成，例如铁。网状结构75用以物理性遮挡通过透光元件13的光线。网状结构75遮蔽通过透光元件13的光线的遮蔽率可为10％至80％的范围之间。于本例子中，网状结构75的遮蔽率可为30％。

举例而言，当工艺腔10安装一新的透光元件13，透光元件13的透光率可约为100％。通过遮光装置70的网状结构75可将光线通过透光元件13以及遮光装置70的透光率降低至一第一预定数值，例如70％。

于完成数次(例如100次，但并不以此为限)等离子体工艺后，透光元件13的透光率会因为等离子体工艺而磨损。当处理装置64分析光谱信号判断光线通过透光元件13以及遮光装置70的透光率降低至一第二预定数值(例如50％)时，可通过置换另一遮光装置70将光线通过透光元件13以及遮光装置70的透光率提升至第一预定数值。

举例而言，另一遮光装置70的遮蔽率可为20％。当透光元件13的透光率降低至80％时可将遮蔽率为30％的遮光装置70置换为遮蔽率为10％的遮光装置70，藉以将光线通过透光元件13以及遮光装置70的透光率提升至第一预定数值。

当处理装置64分析光谱信号判断光线通过透光元件13以及遮光装置70的透光率降到第二预定数值，且透光孔74的尺寸为最大时，可进行置换透光元件13。因此，于本公开中利用遮光装置70可维持光谱信号的强度于一范围之间，进而使得处理装置64能准确地分析等离子体工艺或等离子体设备1是否出现异常。

图6为根据本公开的一些实施例的遮光装置70的示意图。于本实施例中，等离子体设备1可具有多个遮光装置70。于一些实施例中，遮光装置70可为两个或三个以上。

每一遮光装置70的网状结构75遮蔽通过透光元件13的光线的遮蔽率可为10％至70％的范围之间。于一些实施例中，每一遮光装置70的网状结构75为相同的，且可具有相同的遮蔽率，藉以降低遮光装置70的制作成本。

于本实施例中，以两个遮光装置70a、70b作为例子。每一遮光装置70的网状结构75的遮蔽率可为20％。遮光装置70a的网状结构75与遮光装置70b的网状结构75的方位不同。可通过调整遮光装置70a的网状结构75或遮光装置70b的网状结构75的方位使得光线通过透光元件13以及遮光装置70的透光率至一第一预定数值，例如70％。

于完成数次(例如100次，但并不以此为限)等离子体工艺后，透光元件13的透光率会因为等离子体工艺而磨损。当光线通过透光元件13以及遮光装置70的透光率降低至一第二预定数值(例如50％)时，可通过将第一遮光装置70a或第二遮光装置70b拆除，以将光线通过透光元件13以及遮光装置70的透光率提升至第一预定数值。

于一些实施例中，当光线通过透光元件13以及遮光装置70的透光率降低至一第二预定数值(例如50％)时，可通过将第一遮光装置70a相对于第二遮光装置70b转动，以将光线通过透光元件13以及遮光装置70的透光率提升至第一预定数值。

当处理装置64分析光谱信号判断光线通过透光元件13以及遮光装置70的透光率降到第二预定数值，且无法通过增加透光孔74来增加光线通过透光元件13以及遮光装置70的透光率时，可进行置换透光元件13。

综上所述，本公开实施例的遮光装置，可将光学检测器所检测到的光谱信号的强度维持于一范围之间，进而能准确地分析等离子体工艺或等离子体设备是否出现异常。

本公开提供了一种等离子体设备，包括：一工艺腔，具有一通孔；一晶片座，设置于工艺腔内；一透光元件，设置于通孔内；一遮光装置，设置于透光元件上；一第一光学检测器，设置于遮光装置上；以及一光谱分析装置，耦接于光学检测器。

于一些实施例中，遮光装置包括：一基座，设置于工艺腔；以及一调整机构，设置于基座，且形成对应于透光元件的一透光孔。

于一些实施例中，调整机构包括多个遮光片，环状排列于基座，并形成透光孔。

于一些实施例中，等离子体设备还包括一处理装置，电性连接于光谱分析装置以及调整机构，且用以控制调整机构，进而调整透光孔的尺寸。

于一些实施例中，光学检测器用以检测穿过透光孔的光线并产生一检测信号传送至光谱分析装置，光谱分析装置依据检测信号产生一光谱信号传送至处理装置，且处理装置依据光谱信号控制调整机构。

于一些实施例中，调整机构包括：一基座，设置于工艺腔；以及一网状结构，设置于基座，且对应于透光元件，其中网状结构由不透光材质所制成。

于一些实施例中，等离子体设备还包括：一气体分布盘，设置于工艺腔内，且位于晶片座的上方；一气体储存槽，耦接于气体分布盘；以及一第二光学检测器，设置于气体分布盘上。气体分布盘用以朝向晶片座供应一工作气体。

于一些实施例中，等离子体设备还包括：一第一射频装置，位于气体分布盘上；以及一第二射频装置，耦接于晶片座，其中第一射频装置以及第二射频装置用以于晶片座以及气体分布盘之间产生一电场，且电场用以激发工作气体形成等离子体。

本公开提供了一种等离子体设备监测方法，包括：激发一工艺腔内的工作气体形成等离子体，其中等离子体所产生的光线通过工艺腔的一透光元件以及设置于透光元件上的一遮光装置；以及检测光线并产生一检测信号。等离子体设备监测方法还包括依据检测信号产生一光谱信号；以及依据光谱信号调整遮光装置。

于一些实施例中，依据光谱信号调整遮光装置的一透光孔的尺寸。

上述已公开的特征能以任何适当方式与一或多个已公开的实施例相互组合、修饰、置换或转用，并不限定于特定的实施例。

本公开虽以各种实施例公开如上，然而其仅为范例参考而非用以限定本公开的范围，任何本领域技术人员，在不脱离本公开的精神和范围内，当可做些许的更动与润饰。因此上述实施例并非用以限定本公开的范围，本公开的保护范围当视后附的权利要求所界定者为准。