技术特征：
技术总结
本发明提供一种用于双极工艺的深槽与PN结混合隔离结构的制造方法，包括：在基底硅片上设置掩膜；在所述掩膜上设置贯穿掩膜的蚀刻窗口，并通过对蚀刻窗口对其下层的基底硅片进行蚀刻，形成深槽；注入与体硅掺杂类型相反的杂质形成槽底隔离PN结；剥离所述掩膜，并在体硅表面以及深槽内部制备ONO复合薄膜；淀积多晶硅将所述深槽填满；去除所述深槽外ONO薄膜顶层的氧化硅，利用剩余的氮化硅‑氧化硅结构形成有源区；本发明中深槽内壁的ONO结构巧妙的平衡了槽内应力，同时氮化硅/氧化层结构在后续工艺中充当了有源区氧化的掩蔽层，避免了在有源区制作时额外的掩蔽层制作工艺步骤，有效减小了工艺的制作成本，并提升了隔离效果。
技术研发人员：张培健;陈文锁;易前宁;梁柳洪;冉明
受保护的技术使用者：中国电子科技集团公司第二十四研究所
技术研发日：2017.11.14
技术公布日：2018.02.23