技术特征：
技术总结
本发明公开了一种晶圆缺陷检测方法，其属于半导体领域的技术，包括：步骤S1，扫描所述晶圆的表面，得到所述晶圆的表面图像；步骤S2，将所述表面图像均匀划分为若干比较单元；步骤S3，将每一所述比较单元中的每一像素点与相邻所述比较单元中的对应像素点相减，若差值为负且小于预设的负数阈值则该像素点对应的所述晶圆表面处判断为缺陷，若差值为正且大于预设的正数阈值则该像素点对应的所述晶圆表面处判断为缺陷。该技术方案的有益效果是：本发明能够过滤掉对后续制程和良品率无影响的非关键缺陷，极大限度的保留了关键缺陷，使集成电路工程师能够准确的描述缺陷情况，正确地判断相关制程健康状态，为最终晶圆良品率的预测提供可靠依据。
技术研发人员：郭贤权;许向辉;陈超
受保护的技术使用者：上海华力微电子有限公司
技术研发日：2017.11.24
技术公布日：2018.04.13