本发明属于电子元器件制造领域，更具体地说，尤其涉及一种固态电容碳箔。同时，本发明还涉及一种固态电容碳箔的制备方法。
背景技术：
碳箔即为涂碳铝箔，是利用功能涂层对电池导电基材进行表面处理，是一项突破性的技术创新，覆碳铝箔或铜箔就是将分散好的纳米导电石墨和碳包覆粒，均匀、细腻地涂覆在铝箔或铜箔上，它能提供极佳的静态导电性能，收集活性物质的微电流，从而可以大幅度降低正、负极材料和集流之间的接触电阻，并能提高两者之间的附着能力，可减少粘结剂的使用量，进而使电池的整体性能产生显著的提升。传统的涂碳铝箔表面张力较差，容易损坏。为此我们需要一种强度更高的涂碳铝箔来解决上述问题。
技术实现要素：
本发明的目的在于提供一种固态电容碳箔及其制备方法，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
一种固态电容碳箔，其原料按重量份如下：铝箔30份，石墨粉1份、纳米碳管1份、有机树脂2、活性添加剂0.5份、有机溶剂2份。
一种固态电容碳箔及其制备方法，包括如下步骤：
S1、表面处理，首先通过清洗装置对铝箔进行清洗，去除铝箔表面附着的灰尘以及其它杂质，然后通过碱性脱脂剂对铝箔表面的油污进行处理，从而增加铝箔的表面附着力，为下一步处理做准备；
S2、通过酸性溶液对铝箔表面进行腐蚀，铝箔表面腐蚀层的厚度不得超过5微米，当腐蚀处理结束后，需要将铝箔表面的腐蚀溶液清理掉；
S3、按重量份称取一定量的有机树脂、活性添加剂、有机溶剂，然后将其分成两份，接着将其单独与石墨粉、纳米碳管混合，制得石墨粉涂料和纳米碳管涂料；
S4、首先通过涂布机将纳米碳管涂料涂布在经S1步骤处理过后的铝箔表面，从而生成纳米碳管涂层，然后通过烘干机对其进行定型处理，接着将石墨粉涂料涂布在纳米碳管涂层表面，形成石墨粉涂层；
S5、将带有涂层的铝箔放入烘干机中，在200-300℃的环境下进行为期0.5-1h的烘干处理；
S6、烘干完成后，在300-500℃的环境下，对铝箔进行为期0.5-2h的真空退火处理；
S7、加工完成后通过复卷机将铝箔从新收卷起来，然后通过剪切机对其进行分切，即可得到成品。
优选的，所述有机溶剂为苯乙烯、全氯乙烯、三氯乙烯中的一种或多种。
优选的，所述纳米碳管涂层与石墨粉涂层的总厚度不得超过1微米。
优选的，所述活性添加剂为过氧化二异丙苯、二叔丁基过氧化物、过氧化氢二异丙苯中的一种或多种。
优选的，所述铝箔的厚度在20-50微米之间。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明通过使用酸性溶液对铝箔表面进行腐蚀处理，大大的增加了铝箔的附着力，然后再依次将纳米碳管、石墨粉涂覆与铝箔表面，纳米碳管可有效增加铝箔的结构强度和表面张力，然后再与石墨粉相配合，可大幅提高固态铝的电解体积容量。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
一种固态电容碳箔，其原料按重量份如下：铝箔30份，石墨粉1份、纳米碳管1份、有机树脂2份、活性添加剂0.5份、有机溶剂2份。
一种固态电容碳箔及其制备方法，包括如下步骤：
S1、表面处理，首先通过清洗装置对铝箔进行清洗，去除铝箔表面附着的灰尘以及其它杂质，然后通过碱性脱脂剂对铝箔表面的油污进行处理，从而增加铝箔的表面附着力，为下一步处理做准备；
S2、通过酸性溶液对铝箔表面进行腐蚀，铝箔表面腐蚀层的厚度不得超过5微米，当腐蚀处理结束后，需要将铝箔表面的腐蚀溶液清理掉；
S3、按重量份称取一定量的有机树脂、活性添加剂、有机溶剂，然后将其分成两份，接着将其单独与石墨粉、纳米碳管混合，制得石墨粉涂料和纳米碳管涂料；
S4、首先通过涂布机将纳米碳管涂料涂布在经S1步骤处理过后的铝箔表面，从而生成纳米碳管涂层，然后通过烘干机对其进行定型处理，接着将石墨粉涂料涂布在纳米碳管涂层表面，形成石墨粉涂层；
S5、将带有涂层的铝箔放入烘干机中，在200-300℃的环境下进行为期0.5-1h的烘干处理；
S6、烘干完成后，在300-500℃的环境下，对铝箔进行为期0.5-2h的真空退火处理；
S7、加工完成后通过复卷机将铝箔从新收卷起来，然后通过剪切机对其进行分切，即可得到成品。
具体的，所述有机溶剂为苯乙烯、全氯乙烯、三氯乙烯中的一种或多种。
具体的，所述纳米碳管涂层与石墨粉涂层的总厚度不得超过1微米。
具体的，所述活性添加剂为过氧化二异丙苯、二叔丁基过氧化物、过氧化氢二异丙苯中的一种或多种。
具体的，所述铝箔的厚度在20-50微米之间。
本发明通过使用酸性溶液对铝箔表面进行腐蚀处理，大大的增加了铝箔的附着力，然后再依次将纳米碳管、石墨粉涂覆与铝箔表面，纳米碳管可有效增加铝箔的结构强度和表面张力，然后再与石墨粉相配合，可大幅提高固态铝的电解体积容量。
以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。