一种Mxene包覆多孔硅的复合电极材料及其制备方法与流程

文档序号:14725473发布日期:2018-06-19 06:25阅读:来源:国知局
技术总结
本发明提供一种Mxene包覆多孔硅的复合电极材料及其制备方法,所述方法具体包括如下步骤:(1)将硅合金粉与MAX相材料混合均匀后,在惰性气体氛围中煅烧,冷却后得表面有MAX相包覆层的硅合金粉末。(2)将步骤(1)得到的硅合金的粉末加入到氢氟酸中,在0‑90℃反应0.5‑48小时,待反应无气泡生成,过滤,将固体洗涤,真空干燥,即可得到Mxene包覆的纳米多孔硅基复合物。本发明采用Mxene包覆层,克服了Si导电性差的问题,使本发明制备的多孔硅导电性,循环稳定性更好,有效提升了电池的安全性。本发明制备工艺简单、成本低,极大地提高了生产效率高,能更好地满足工业化生产的需要,实现大规模生产,极具应用前景。

技术研发人员:冯金奎;安永灵;
受保护的技术使用者:山东大学;
技术研发日:2017.12.27
技术公布日:2018.06.19

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