一体式干蚀刻清洁设备的制作方法

本新型为涉及一种清洁设备，尤指一种一体式干蚀刻清洁设备。

背景技术：

干蚀刻通常是一种电浆蚀刻，电浆蚀刻中的蚀刻作用，可能是电浆中离子撞击芯片表面的物理作用，或者可能是电浆中活性自由基与芯片表面原子间的化学反应，甚至也可能是这两者之间的复合作用。

而随着半导体封装产业的发展，会将多种材料整合在一起使用，进而得到多种材料的特性，目前常见的材料如环氧封装材料(Epoxy Molding Compounds，简称EMC)，其组成物包含有环氧树脂、充填物、硬化剂、促进剂、触媒及其它添加剂等，将此材料导入了干蚀刻工艺中，会因蚀刻材料的选择比差异大，而于蚀刻后留下大量的充填物。

于目前的工艺中，完成蚀刻工艺后，即会进行包装而运送至下一个下游厂商进行后续工艺，但因蚀刻而产生的充填物会对其他相关工艺造成污染，而导致产品良率下降，因此，如何防止充填物污染其他工艺实为一大课题。

技术实现要素：

本新型的主要目的，在于解决充填物污染其他工艺的问题。

为达上述目的，本新型提供一种一体式干蚀刻清洁设备，是用以对一基材进行蚀刻，并清洁去除该基材进行蚀刻后产生的一充填物，该一体式干蚀刻清洁设备包含有一传输模块、一蚀刻模块以及一湿式清洁模块，该传输模块加载、载出该基材，该蚀刻模块连接于该传输模块并对该基材进行蚀刻，该湿式清洁模块连接该蚀刻模块与该传输模块并清洁去除该充填物。

所述的一体式干蚀刻清洁设备，其特征在于更包含有一与该蚀刻模块连接的压力控制单元。

所述的一体式干蚀刻清洁设备，更包含有一与该蚀刻模块连接的气体供应单元。

所述的一体式干蚀刻清洁设备，更包含有一设备前端模块，该设备前端模块连接于该传输模块、该蚀刻模块以及该湿式清洁模块，该蚀刻模块、该湿式清洁模块设置于相对该传输模块的一侧。

所述的一体式干蚀刻清洁设备，更包含有一设置于该设备前端模块以输送该基材的机械手臂。

所述的一体式干蚀刻清洁设备，该传输模块与该设备前端模块之间设有一第一闸门，该设备前端模块与该蚀刻模块之间设有一第二闸门，该蚀刻模块与该湿式清洁模块之间设有一第三闸门，该湿式清洁模块与该设备前端模块之间设有一第四闸门。

所述的一体式干蚀刻清洁设备，更包含有一连接于该湿式清洁模块的清洗液供应单元。

所述的一体式干蚀刻清洁设备，该蚀刻模块与该湿式清洁模块之间设有一第三闸门。

所述的一体式干蚀刻清洁设备，该传输模块包含有一加载该基材的加载单元以及一载出该基材的载出单元。

综上所述，本新型于该蚀刻模块对该基材蚀刻后，直接送入该湿式清洁模块中清洗，而可以直接于同一设备中完成蚀刻与清洁工艺，以防止产生的该充填物对其他相关工艺造成污染。

附图说明

图1，为本新型一较佳实施例的结构示意图。

图2A～2D，为本新型一较佳实施例的运作流程示意图。

具体实施方式

涉及本新型的详细说明及技术内容，现就配合图式说明如下：

请参阅图1及图2A至图2D所示，本新型为一种一体式干蚀刻清洁设备，是用以对一基材1进行蚀刻，并清洁去除该基材1进行蚀刻后产生的一充填物，其中，该基材1的材质可以为环氧封装材料、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物(Acrylonitrile Butadiene Styrene，简称ABF)及聚酰亚胺(Polyimide，简称PI)等，该充填物于本实施例中，是为进行该环氧封装材料等材质进行蚀刻后而产生的粉尘，而该一体式干蚀刻清洁设备包含有一传输模块10、一蚀刻模块20以及一湿式清洁模块30，该传输模块10用以加载、载出该基材1，该蚀刻模块20连接于该传输模块10并对该基材1进行蚀刻，该湿式清洁模块30连接该蚀刻模块20与该传输模块10并清洁去除该充填物。如此一来，可以直接在同一个工艺设备中，清洁去除因蚀刻工艺所产生的该充填物，而可以防止该充填物对其他工艺造成污染。

于本实施例中，更包含有一设备前端模块50(the equipment front-end module,EFFM)，该设备前端模块50连接于该传输模块10、该蚀刻模块20以及该湿式清洁模块30，且该蚀刻模块20、该湿式清洁模块30则设置于相对该传输模块10的一侧，即为分设于该设备前端模块50的相对两侧，而该设备前端模块50内还设置有一机械手臂51，以输送该基材1进出于各模块。

此实施例中，该传输模块10包含有一加载该基材1的加载单元11以及一载出该基材1的载出单元12，是为分别用以加载与载出该基材1，但亦可以利用同一单元即可进行该基材1的加载与载出。

此外，本实施例还设置有闸门，该传输模块10与该设备前端模块50之间设有一第一闸门91，该设备前端模块50与该蚀刻模块20之间设有一第二闸门92，该蚀刻模块20与该湿式清洁模块30之间设有一第三闸门93，该湿式清洁模块30与该设备前端模块50之间设有一第四闸门94，由于该传输模块10包含有该加载单元11与该载出单元12，因此，本实施例中，该加载单元11与该设备前端模块50之间设有该第一闸门91，而该载出单元12与该设备前端模块50之间设有一第五闸门95，如此一来，可以确保各个模块独立，以防止交互污染的问题。

而为了维持该蚀刻模块20的压力，还具有一与该蚀刻模块20连接的压力控制单元60，并通过一气体供应单元70提供蚀刻工艺所需的气体进入该蚀刻模块20之中，以符合工艺所需，而该湿式清洁模块30室通过一清洗液供应单元80提供一清洗液，而对该基材1进行清洁，以去除该充填物，其中，该清洗液可以为一般纯水，或者在特殊需求下使用超纯水(去离子水)。

续搭配参阅图2A至图2D所示，为其运作流程示意图，如图2A所示，该传输模块10的该加载单元11加载该基材1，而后如图2B所示，通过该机械手臂51将该基材1输送至该蚀刻模块20，该压力控制单元60与该气体供应单元70会控制该蚀刻模块20至适当的压力并提供工艺所需的气体，以进行蚀刻，当蚀刻完成，如图2C所示，再经由该第三闸门93将该基材1输送至该湿式清洁模块30之中，该清洗液供应单元80提供该清洗液，以清洗掉该充填物，最后，如图2D所示，利用该机械手臂51将该基材1输送至该载出单元12，而可将蚀刻完成并进行清洁后的该基材1输出，以防止该充填物对其他工艺造成污染。而该第一闸门91、该第二闸门92、该第三闸门93、该第四闸门94与该第五闸门95只有在输送该基材1进出时才会开启，其余时间则为关闭的状态。

综上所述，本新型具有以下特点：

一、于该蚀刻模块完成蚀刻后，直接将该基材输送至该湿式清洁模块清洗以去除该充填物，可以直接在同一个工艺设备中，清洁去除因蚀刻工艺所产生的该充填物，而可以防止该充填物对其他工艺造成污染。

二、藉由该压力控制单元与该气体供应单元的设置，可以控制该蚀刻模块至适当的压力并提供工艺所需的气体，以符合工艺所需。