感光元件及摄像装置的制作方法

本申请涉及半导体技术领域，特别涉及一种感光元件及摄像装置。

背景技术：

随着AR(Augmented Reality，增强现实技术)、VR(Virtual Reality，虚拟现实)、手势识别等技术的兴起，对3D TOF(Time of Flight，飞行时间)摄像装置中测距传感器的光信号接收阵列规模要求越来越高。其中，测距传感器通过计算光线发射和反射相位差，来换算与被拍摄景物之间的距离，以产生深度信息，形成3D成像。

但是，如果仅仅提高光信号接收阵列规模，比如，光信号接收阵列规模为QVGA(Quarter Video Graphics Array，四分之一的视频图形阵列)的3D TOF摄像装置，帧率会被降低，而太低的帧率不能满足对摄像对象动作的捕捉需求。

技术实现要素：

有鉴于此，本申请实施例提供一种感光元件及摄像装置，用以提高感光效率，进而提高摄像帧率。

本申请部分实施例提供了一种感光元件，包括：包括衬底以及位于所述衬底上的栅极，所述栅极包括：感光门、与所述感光门相邻的传输门、与所述传输门相邻的收集门以及与所述收集门相邻的信号读出点；其中，

所述感光门包括至少两个依次嵌套的感光区，嵌套在内层的感光区上所施加的电压大于嵌套在外层的感光区上所施加的电压；

所述传输门上所施加的电压大于所述感光门中任意感光区上所施加的电压，所述收集门上所施加的电压大于所述传输门上所施加的电压。

在本申请的一个实施例中，所述感光门可包括第一感光区与第二感光区；所述第二感光区可包括脉状部与柄部；所述脉状部嵌套于所述第一感光区内，所述脉状部向所述第一感光区外延伸形成所述柄部；所述传输门可包括第一传输门与第二传输门；所述第一传输门与所述第二传输门分别位于所述柄部两侧；

所述收集门可包括第一收集门与第二收集门；所述第一收集门与所述第一传输门相邻，所述第二收集门与所述第二传输门相邻；所述信号读出点可包括第一信号读出点与第二信号读出点；所述第一信号读出点与所述第一收集门相邻；所述第二信号读出点与所述第二收集门相邻。

在本申请的一个实施例中，所述脉状部的脉序可为羽状脉。

在本申请的一个实施例中，所述脉状部可包括主脉、侧脉与细脉；所述主脉沿所述第一感光区的纵向延伸，所述侧脉为所述主脉沿所述第一感光区的横向延伸而成，所述细脉为所述侧脉沿所述第一感光区的纵向延伸而成。

在本申请的一个实施例中，所述第一感光区、所述第二感光区、所述传输门、所述收集门可为P型掺杂，且掺杂浓度依次降低；或者，所述第一感光区、所述第二感光区、所述传输门、所述收集门可为N型掺杂，且掺杂浓度依次升高；或者，所述第一感光区、所述第二感光区、所述传输门、所述收集门可依次呈P型掺杂浓度降低、N型掺杂浓度升高的趋势。

在本申请的一个实施例中，所述感光门可包括第三感光区以及嵌套于所述第三感光区内的第四感光区；其中，所述第四感光区呈脉状；所述第四感光区可包括主脉与侧脉；所述主脉沿所述第三感光区的纵向延伸，所述侧脉为所述主脉沿所述第三感光区的横向延伸而成；所述主脉贯穿所述第三感光区，且所述主脉的第一端的边界与所述第三感光区的第一边界齐平，所述主脉的第二端的边界与所述第三感光区的第二边界齐平，其中所述第一边界与所述第二边界位置相对；所述传输门可包括第三传输门与第四传输门；所述第三传输门与所述第一端相邻，所述第四传输门与所述第二端相邻；所述收集门包括第三收集门与第四收集门；所述第三收集门与所述第三传输门相邻，所述第四收集门与所述第四传输门相邻；所述信号读出点可包括第三信号读出点与第四信号读出点；所述第三信号读出点与所述第三收集门相邻；所述第四信号读出点与所述第四收集门相邻。

在本申请的一个实施例中，所述第三感光区、所述第四感光区、所述传输门、所述收集门可为P型掺杂，且掺杂浓度依次降低；或者，所述第三感光区、所述第四感光区、所述传输门、所述收集门可为N型掺杂，且掺杂浓度依次升高；或者，所述第三感光区、所述第四感光区、所述传输门、所述收集门可依次呈P型掺杂浓度降低、N型掺杂浓度升高的趋势。

在本申请的一个实施例中，所述感光门可包括第五感光区、嵌套于所述第五感光区内的第六感光区以及第七感光区；所述第七感光区可包括引导部与端部；所述引导部嵌套于所述第六感光区内，所述引导部向所述第六感光区外延伸形成所述端部；所述传输门可包括第五传输门与第六传输门；所述第五传输门与所述第六传输门分别位于所述端部两侧；所述收集门可包括第五收集门与第六收集门；所述第五收集门与所述第五传输门相邻，所述第六收集门与所述第六传输门相邻；所述信号读出点可包括第五信号读出点与第六信号读出点；所述第五信号读出点与所述第五收集门相邻；所述第六信号读出点与所述第六收集门相邻。

在本申请的一个实施例中，所述第六感光区可呈脉状。

在本申请的一个实施例中，所述第六感光区的脉序可为羽状脉。

在本申请的一个实施例中，所述第六感光区可包括主脉、侧脉与细脉；所述主脉沿所述第五感光区的纵向延伸，所述侧脉为所述主脉沿所述第五感光区的横向延伸而成，所述细脉为所述侧脉沿所述第五感光区的纵向延伸而成。

在本申请的一个实施例中，所述第五感光区、所述第六感光区、所述第七感光区、所述传输门、所述收集门可为P型掺杂，且掺杂浓度依次降低；或者，所述第五感光区、所述第六感光区、所述第七感光区、所述传输门、所述收集门可为N型掺杂，且掺杂浓度依次升高；或者，所述第五感光区、所述第六感光区、所述第七感光区、所述传输门、所述收集门可依次呈P型掺杂浓度降低、N型掺杂浓度升高的趋势。

本申请部分实施例还提供了一种摄像装置，包括上述的感光元件。

本申请实施例所达到的主要技术效果是：在栅极上设置至少两个依次嵌套的感光区，嵌套在内层的感光区上所施加的电压大于嵌套在外层的感光区上所施加的电压，这样，当有光照射到感光区时，感光区下方的衬底中的光生信号电荷可快速地从外层感光区下方的衬底向内层感光区下方的衬底移动，又由于传输门上所施加的电压大于感光门中任意感光区上所施加的电压，收集门上所施加的电压大于传输门上所施加的电压，所以，最内层感光区下方衬底中聚集的信号电荷会快速地通过传输门下方的衬底移动至收集门下方的衬底，以供在信号读出点被读出。本申请的技术方案可以在有光照射到感光区时，使感光区下方衬底中的光生信号电荷可快速地移动至收集门下方的衬底，可提高感光效率，进而可以提高摄像帧率。

附图说明

图1是本申请实施例一示出的一种感光元件的结构示意图；

图2是本申请实施例一示例性示出的感光元件的电势分布示意图；

图3是本申请实施例二示出的感光元件的结构示意图；

图4是本申请实施例三示出的感光元件的结构示意图。

具体实施例

这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施例并不代表与本申请相一致的所有实施例。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本申请的一些方面相一致的装置和方法的例子。

在本申请使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本申请。在本申请和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。还应当理解，本文中使用的术语“和/或”是指并包含一个或多个相关联的列出项目的任何或所有可能组合。

应当理解，尽管在本申请可能采用术语第一、第二、第三等来描述各种信息，但这些信息不应限于这些术语。这些术语仅用来将同一类型的信息彼此区分开。例如，在不脱离本申请范围的情况下，第一信息也可以被称为第二信息，类似地，第二信息也可以被称为第一信息。取决于语境，如在此所使用的词语“如果”可以被解释成为“在……时”或“当……时”或“响应于确定”。

下面结合附图，对本申请的一些实施例作详细说明。在不冲突的情况下，下述的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

实施例一

本申请的实施例一提供的感光元件，包括：衬底以及位于衬底上的栅极，该栅极包括：感光门、与感光门相邻的传输门、与传输门相邻的收集门以及与收集门相邻的信号读出点；其中，感光门包括至少两个依次嵌套的感光区，嵌套在内层的感光区上所施加的电压大于嵌套在外层的感光区上所施加的电压；传输门上所施加的电压大于感光门中任意感光区上所施加的电压，收集门上所施加的电压大于传输门上所施加的电压。

当有光照射到感光区时，能量大于衬底的半导体材料带隙的光子被半导体材料吸收，在栅极下的半导体体内产生电子空穴对，多子被栅极电压排斥，通过衬底流走，少子被收集在势阱中形成信号电荷。由于本申请中的信号电荷是因半导体材料吸收光子而产生的，故而也可称之为光生信号电荷。

在栅极上设置至少两个依次嵌套的感光区，嵌套在内层的感光区上所施加的电压大于嵌套在外层的感光区上所施加的电压，这样，当有光照射到感光区时，感光区下方的衬底中的光生信号电荷可快速地从外层感光区下方的衬底向内层感光区下方的衬底移动，又由于传输门上所施加的电压大于感光门中任意感光区上所施加的电压，收集门上所施加的电压大于传输门上所施加的电压，所以，最内层感光区下方衬底中聚集的信号电荷会快速地通过传输门下方的衬底移动至收集门下方的衬底，以供在信号读出点被读出。这样，可以在有光照射到感光区时，使感光区下方衬底中的光生信号电荷可快速地移动至收集门下方的衬底，可提高感光效率，进而可以提高摄像帧率，同时，感光效率得以提高还可以使得感光元件可以适用于低压场景。

请参阅图1，在本实施例中，感光门可包括第一感光区GM1与第二感光区GM2；第二感光区包括脉状部GM21与柄部GM22；脉状部GM21嵌套于第一感光区GM1内，脉状部GM21向第一感光区GM1外延伸形成柄部GM22；传输门包括第一传输门G1与第二传输门G2；第一传输门G1与第二传输门G2分别位于柄部GM22两侧；收集门包括第一收集门IG1与第二收集门IG2；第一收集门IG1与第一传输门G1相邻，第二收集门IG2与第二传输门G2相邻；信号读出点包括第一信号读出点Read1与第二信号读出点Read2；第一信号读出点Read1与第一收集门IG1相邻；第二信号读出点Read2与第二收集门IG2相邻。

在本实施例中，脉状部GM21的脉序为羽状脉。具体地，脉状部GM21包括主脉GM211、侧脉GM212与细脉GM213；主脉GM211沿第一感光区GM1的纵向延伸，侧脉GM212为主脉沿第一感光区GM1的横向延伸而成，细脉GM213为侧脉沿第一感光区GM1的纵向延伸而成。这样，脉状部GM21与第一感光区GM1形成了广泛且深入的接触。

当有光照射到感光区时，由于脉状部GM21与第一感光区GM1接触广泛且深入，第一感光区GM1下方的衬底中的光生信号电荷可通过脉状部GM21更快地移动并聚集在第二感光区GM2下方的衬底中，同时，第二感光区GM2下方的衬底中的光生信号电荷也快速通过柄部GM22移动至传输门下方的衬底中，传输门下方的衬底中的光生信号电荷也快速移动至收集门下方的衬底中。第二感光区GM2的脉状部GM21可以使第一感光区GM1下方衬底中的光生信号电荷更快地向第二感光区GM2下方衬底中聚集，有利于进一步提高感光效率。

可选地，第一感光区GM1、第二感光区GM2、传输门、收集门可为P型掺杂，且掺杂浓度依次降低。比如，在实际应用时，第一感光区GM1、第二感光区GM2可为P++型gate(门)，第一感光区GM1的掺杂浓度大于第二感光区GM2的掺杂浓度，传输门可为P+型gate(门)、收集门的掺杂浓度可为P型gate(门)。在实际应用时，第一感光区GM1、第二感光区GM2也可为P+型gate(门)，第一感光区GM1的掺杂浓度大于第二感光区GM2的掺杂浓度，传输门可为P型gate(门)、收集门的掺杂浓度可为P-型gate(门)。这样，在第一感光区GM1与第二感光区GM2的交界处、第二感光区GM2与传输门的交界处、传输门与收集门之间的交界处可以产生能带扭曲，从而使第一感光区GM1、第二感光区GM2、传输门、收集门处的电势呈平滑渐变的趋势,具体请参阅图2，即使得信号电荷21传输路径上的电势变化呈平滑渐变的趋势，进而，可以减小噪声。

可选地，第一感光区GM1、第二感光区GM2、传输门、收集门可为N型掺杂，且掺杂浓度依次升高。比如，在实际应用时，第一感光区GM1、第二感光区GM2可为N-型gate(门)，第一感光区GM1的掺杂浓度小于第二感光区GM2的掺杂浓度，传输门可为N型gate(门)、收集门的掺杂浓度可为N+型gate(门)。比如，在实际应用时，第一感光区GM1、第二感光区GM2可为N型gate(门)，第一感光区GM1的掺杂浓度小于第二感光区GM2的掺杂浓度，传输门可为N+型gate(门)、收集门的掺杂浓度可为N++型gate(门)。这样，在第一感光区GM1与第二感光区GM2的交界处、第二感光区GM2与传输门的交界处、传输门与收集门之间的交界处可以产生能带扭曲，从而使第一感光区GM1、第二感光区GM2、传输门、收集门处的电势呈平滑渐变的趋势，具体请参阅图2，即使得信号电荷传输路径上的电势变化呈平滑渐变的趋势，进而，可以减小噪声。

可选地，第一感光区GM1、第二感光区GM2、传输门、收集门依次呈P型掺杂浓度降低、N型掺杂浓度升高的趋势。比如，在实际应用时，第一感光区GM1、第二感光区GM2可为P++型gate(门)，第一感光区GM1的掺杂浓度大于第二感光区GM2的掺杂浓度，传输门可为P+型gate(门)、收集门的掺杂浓度可为N型gate(门)。比如，在实际应用时，第一感光区GM1、第二感光区GM2还可为P+型gate(门)，第一感光区GM1的掺杂浓度大于第二感光区GM2的掺杂浓度，传输门可为N+型gate(门)、收集门的掺杂浓度可为N++型gate(门)。这样，在第一感光区GM1与第二感光区GM2的交界处、第二感光区GM2与传输门的交界处、传输门与收集门之间的交界处可以产生能带扭曲，从而使第一感光区GM1、第二感光区GM2、传输门、收集门处的电势呈平滑渐变的趋势，即使得信号电荷传输路径上的电势变化呈平滑渐变的趋势，进而，可以减小噪声。

本实施例所达到的主要技术效果是：可以在有光照射到感光区时，使感光区下方衬底中的光生信号电荷可快速地移动至收集门下方的衬底，可提高感光效率，进而可以提高摄像帧率，同时，还可以使得感光元件可以适用于低压场景。

实施例二

本申请的实施例二提供了一种感光元件。实施例二与实施例一大致相同，主要区别是：感光门的嵌套形式不同，传输门、收集门以及信号读出点的位置分布不同，丰富了本申请的实施例。

请参阅图3，感光门包括第三感光区GM3以及嵌套于第三感光区GM3内的第四感光区GM4；其中，第四感光区GM4呈脉状；第四感光区GM4包括主脉GM41与侧脉GM42；主脉GM41沿第三感光区GM3的纵向延伸，侧脉GM42为主脉GM41沿第三感光区GM3的横向延伸而成；主脉GM41贯穿第三感光区GM3，且主脉GM41的第一端的边界与第三感光区GM3的第一边界齐平，主脉GM41的第二端的边界与第三感光区GM3的第二边界齐平，其中第一边界与第二边界位置相对；传输门包括第三传输门G3与第四传输门G4；第三传输门G3与第一端相邻，第四传输门G4与第二端相邻；收集门包括第三收集门IG3与第四收集门IG4；第三收集门IG3与第三传输门G3相邻，第四收集门IG4与第四传输门G4相邻；信号读出点包括第三信号读出点Read3与第四信号读出点Read4；第三信号读出点Read3与第三收集门IG3相邻；第四信号读出点Read4与第四收集门IG4相邻。

可选地，第三感光区GM3、第四感光区GM4、传输门、收集门为P型掺杂，且掺杂浓度依次降低。比如，在实际应用时，第三感光区GM3、第四感光区GM4可为P++型gate(门)，第三感光区GM3的掺杂浓度大于第四感光区GM4的掺杂浓度，传输门可为P+型gate(门)、收集门的掺杂浓度可为P型gate(门)。在实际应用时，第三感光区GM3、第四感光区GM4也可为P+型gate(门)，第三感光区GM3的掺杂浓度大于第四感光区GM4的掺杂浓度，传输门可为P型gate(门)、收集门的掺杂浓度可为P-型gate(门)。这样，在第三感光区GM3与第四感光区GM4的交界处、第四感光区GM4与传输门的交界处、传输门与收集门之间的交界处可以产生能带扭曲，从而使第三感光区GM3、第四感光区GM4、传输门、收集门处的电势呈平滑渐变的趋势，即使得信号电荷传输路径上的电势变化呈平滑渐变的趋势，进而，可以减小噪声。

可选地，第三感光区GM3、第四感光区GM4、传输门、收集门为N型掺杂，且掺杂浓度依次升高。比如，在实际应用时，第三感光区GM3、第四感光区GM4可为N-型gate(门)，第三感光区GM3的掺杂浓度小于第四感光区GM4的掺杂浓度，传输门可为N型gate(门)、收集门的掺杂浓度可为N+型gate(门)。比如，在实际应用时，第三感光区GM3、第四感光区GM4可为N型gate(门)，第三感光区GM3的掺杂浓度小于第四感光区GM4的掺杂浓度，传输门可为N+型gate(门)、收集门的掺杂浓度可为N++型gate(门)。这样，在第三感光区GM3与第四感光区GM4的交界处、第四感光区GM4与传输门的交界处、传输门与收集门之间的交界处可以产生能带扭曲，从而使第三感光区GM3、第四感光区GM4、传输门、收集门处的电势呈平滑渐变的趋势，即使得信号电荷传输路径上的电势变化呈平滑渐变的趋势，进而，可以减小噪声。

可选地，第三感光区GM3、第四感光区GM4、传输门、收集门依次呈P型掺杂浓度降低、N型掺杂浓度升高的趋势。比如，在实际应用时，第三感光区GM3、第四感光区GM4可为P++型gate(门)，第三感光区GM3的掺杂浓度大于第四感光区GM4的掺杂浓度，传输门可为P+型gate(门)、收集门的掺杂浓度可为N型gate(门)。比如，在实际应用时，第三感光区GM3、第四感光区GM4还可为P+型gate(门)，第三感光区GM3的掺杂浓度大于第四感光区GM4的掺杂浓度，传输门可为N+型gate(门)、收集门的掺杂浓度可为N++型gate(门)。这样，在第三感光区GM3与第四感光区GM4的交界处、第四感光区GM4与传输门的交界处、传输门与收集门之间的交界处可以产生能带扭曲，从而使第三感光区GM3、第四感光区GM4、传输门、收集门处的电势呈平滑渐变的趋势，即使得信号电荷传输路径上的电势变化呈平滑渐变的趋势，进而，可以减小噪声。

本实施例所达到的主要技术效果是：可以在有光照射到感光区时，使感光区下方衬底中的光生信号电荷可快速地移动至收集门下方的衬底，可提高感光效率，进而可以提高摄像帧率，同时，还可以使得感光元件可以适用于低压场景。

实施例三

本申请的实施例三提供了一种感光元件。实施例三与实施例一大致相同，主要区别是：在实施例一中，感光门包括两个感光区；而在实施例三中，感光门包括三个感光区，丰富了本申请的实施例。

请参阅图4，感光门包括第五感光区G5、嵌套于第五感光区G5内的第六感光区G6以及第七感光区GM7；第七感光区GM7包括引导部GM71与端部GM72；引导部GM71嵌套于第六感光区G6内，引导部GM71向第六感光区G6外延伸形成端部GM72。传输门包括第五传输门G5与第六传输门G6；第五传输门G5与第六传输门G6分别位于端部GM72两侧；收集门包括第五收集门IG5与第六收集门IG6；第五收集门IG5与第五传输门G5相邻，第六收集门IG6与第六传输门G6相邻；信号读出点包括第五信号读出点Read5与第六信号读出点Read6；第五信号读出点Read5与第五收集门IG5相邻；第六信号读出点Read6与第六收集门IG6相邻。

在本实施例中，第六感光区G6呈脉状。具体地，第六感光区G6的脉序为羽状脉。第六感光区G6包括主脉GM211、侧脉GM212与细脉GM213；主脉GM211沿第五感光区G5的纵向延伸，侧脉GM212为主脉GM211沿第五感光区G5的横向延伸而成，细脉GM213为侧脉GM212沿第五感光区G5的纵向延伸而成。

可选地，第五感光区G5、第六感光区G6、第七感光区GM7、传输门、收集门为P型掺杂，且掺杂浓度依次降低。比如，在实际应用时，第五感光区G5、第六感光区G6、第七感光区GM7可为P++型gate(门)，第五感光区G5的掺杂浓度大于第六感光区G6的掺杂浓度，第六感光区G6的掺杂浓度大于第七感光区GM7的掺杂浓度，传输门可为P+型gate(门)、收集门的掺杂浓度可为P型gate(门)。这样，在第五感光区G5与第六感光区G6的交界处、第六感光区G6与第七感光区GM7的交界处、第七感光区GM7与传输门的交界处、传输门与收集门之间的交界处可以产生能带扭曲，从而使第五感光区G5、第六感光区G6、第七感光区GM7、传输门、收集门处的电势呈平滑渐变的趋势，即使得信号电荷传输路径上的电势变化呈平滑渐变的趋势，进而，可以减小噪声。

可选地，第五感光区G5、第六感光区G6、第七感光区GM7、传输门、收集门为N型掺杂，且掺杂浓度依次升高。比如，在实际应用时，第五感光区G5、第六感光区G6、第七感光区GM7可为N-型gate(门)，第五感光区G5的掺杂浓度小于第六感光区G6的掺杂浓度，第六感光区G6的掺杂浓度小于第七感光区GM7的掺杂浓度，传输门可为N型gate(门)、收集门的掺杂浓度可为N+型gate(门)。这样，在第五感光区G5与第六感光区G6的交界处、第六感光区G6与第七感光区GM7的交界处、第七感光区GM7与传输门的交界处、传输门与收集门之间的交界处可以产生能带扭曲，从而使第五感光区G5、第六感光区G6、第七感光区GM7、传输门、收集门处的电势呈平滑渐变的趋势，即使得信号电荷传输路径上的电势变化呈平滑渐变的趋势，进而，可以减小噪声。

可选地，第五感光区G5、第六感光区G6、第七感光区GM7、传输门、收集门依次呈P型掺杂浓度降低、N型掺杂浓度升高的趋势。比如，在实际应用时，第五感光区G5、第六感光区G6、第七感光区GM7可为P++型gate(门)，第五感光区G5的掺杂浓度大于第六感光区G6的掺杂浓度，第六感光区G6的掺杂浓度大于第七感光区GM7的掺杂浓度，传输门可为P+型gate(门)、收集门的掺杂浓度可为N型gate(门)。这样，在第五感光区G5与第六感光区G6的交界处、第六感光区G6与第七感光区GM7的交界处、第七感光区GM7与传输门的交界处、传输门与收集门之间的交界处可以产生能带扭曲，从而使第五感光区G5、第六感光区G6、第七感光区GM7、传输门、收集门处的电势呈平滑渐变的趋势，即使得信号电荷传输路径上的电势变化呈平滑渐变的趋势，进而，可以减小噪声。

本实施例所达到的主要技术效果是：可以在有光照射到感光区时，使感光区下方衬底中的光生信号电荷可快速地移动至收集门下方的衬底，可提高感光效率，进而可以提高摄像帧率，同时，还可以使得感光元件可以适用于低压场景。

实施例四

与前述感光元件的实施例相对应，本申请还提供了摄像装置的实施例。

本申请的实施例四提供了一种包括实施例一、二或三的感光元件。

本实施例所达到的主要技术效果是：可以在有光照射到感光区时，使感光区下方衬底中的光生信号电荷可快速地移动至收集门下方的衬底，可提高感光效率，进而可以提高摄像帧率，同时，感光效率得以提高还可以使得感光元件可以适用于低压场景。

在本申请中，以上实施例在不冲突的情况下，可以互为补充。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，其中作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部模块来实现本申请方案的目的。本领域普通技术人员在不付出创造性劳动的情况下，即可以理解并实施。

以上仅为本申请的较佳实施例而已，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请保护的范围之内。