一种霍尔离子源防打火盖筒的制作方法

本实用新型涉及镀膜技术领域，尤其涉及一种霍尔离子源防打火盖筒。

背景技术：

霍尔离子源的工作原理是阴极灯丝通电后发热发光，产生热电子，热电子在阳极正电压的拉动下向阳极运动，在运动过程中遇到磁场，在磁场的洛仑兹力作用下，电子作螺旋式运动，运动过程中与导气铁芯中出来的O2或Ar分子进行碰撞产生O+或Ar+离子，O+或Ar+离子在阳极正电压的排斥推动下往上方移动，这些正离子在通过阴极灯丝边上时又遇到热电子，结果正离子被中和，但依旧保留了原先的动能继续往上方运动，一直到达离子源上方工件架的镀膜基片表面，对表面进行撞击，提高薄膜沉积时的致密度。

然而现有的霍尔离子源在使用过程中存在着一些不足之处，现有的霍尔离子源在使用的过程中，阴极丝接线处容易打火，而影响镀膜光洁度。

技术实现要素：

本实用新型的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种霍尔离子源防打火盖筒。

为了实现上述目的，本实用新型采用了如下技术方案：一种霍尔离子源防打火盖筒，包括霍尔离子源本体、接线柱和盖筒本体，所述霍尔离子源本体上表面一侧固定有接线柱，所述接线柱底端套接固定有卡片，所述接线柱表面螺纹固定有下固定螺母，且下固定螺母上方设置有上固定螺母，所述接线柱一侧连接有阴极丝，所述接线柱表面套接有盖筒本体，所述盖筒本体内部开设有卡片槽，且卡片槽上方设置有螺母槽，所述螺母槽上方设置有接线柱槽。

作为上述技术方案的进一步描述：

所述卡片为长方体结构。

作为上述技术方案的进一步描述：

所述接线柱共设置有两个，且两个接线柱对称固定在霍尔离子源本体上表面。

作为上述技术方案的进一步描述：

所述盖筒本体为氮化硼材料加工的一体化圆柱形结构。

作为上述技术方案的进一步描述：

所述阴极丝两端分别连接在两个接线柱上。

作为上述技术方案的进一步描述：

所述螺母槽一侧开设有通孔。

本实用新型中，首先，霍尔离子源阴极丝接线处容易打火，通过接线柱上套接有盖筒，使得打火的时候是在盖筒内产生，不会跑到盖筒外面而影响镀膜光洁度，其次盖筒本体为氮化硼材料加工的一体化圆柱形结构，其具有耐高温不倒电的优良性能，且为一体化结构，可一次成型，加工简单，成本较低，再有通过接线柱底端套接固定有卡片，盖筒内部设置有相应的卡片槽，因卡片为长方体结构，卡片槽也为长方形结构，使得盖筒本体套接在接线柱上，不易产生转动，从而损伤阴极丝，使得该盖筒的稳定性更高，实用性更强。

附图说明

图1为本实用新型提出的一种霍尔离子源防打火盖筒的结构示意图；

图2为本实用新型提出的一种霍尔离子源防打火盖筒盖筒的结构示意图；

图3为本实用新型提出的一种霍尔离子源防打火盖筒盖筒的剖视图。

图例说明：

1-霍尔离子源本体、2-卡片、3-下固定螺母、4-接线柱、5-盖筒本体、6-上固定螺母、7-阴极丝、8-卡片槽、9-通孔、10-螺母槽、11-接线柱槽。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。

参照图1-3，一种霍尔离子源防打火盖筒，包括霍尔离子源本体1、接线柱4和盖筒本体5，霍尔离子源本体1上表面一侧固定有接线柱4，接线柱4底端套接固定有卡片2，接线柱4表面螺纹固定有下固定螺母3，且下固定螺母3上方设置有上固定螺母6，接线柱4一侧连接有阴极丝7，接线柱4表面套接有盖筒本体5，盖筒本体5内部开设有卡片槽8，且卡片槽8上方设置有螺母槽10，螺母槽10上方设置有接线柱槽11。

卡片2为长方体结构，接线柱4共设置有两个，且两个接线柱4对称固定在霍尔离子源本体1上表面，盖筒本体5为氮化硼材料加工的一体化圆柱形结构，阴极丝7两端分别连接在两个接线柱4上，螺母槽10一侧开设有通孔9，卡片2为卡片槽8均为长方体结构，且卡片槽8的规格大于卡片2的规格。

工作原理：该霍尔离子源防打火盖筒使用时，首先将阴极丝7穿过盖筒本体5表面开设的通孔9，将阴极丝7连接到接线柱4上，然后通过旋转上固定螺母6和下固定螺母 3，辅助固定好阴极丝7，此时将盖筒本体5底部开设的卡片槽8与卡片2的位置相对应，将盖筒本体5套接在接线柱4上，变完了该防打火盖筒的安装，安装方便，使用稳定。

以上所述，仅为本实用新型较佳的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，根据本实用新型的技术方案及其实用新型构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。