背照式图像传感器的制作方法

技术总结
本公开涉及一种背照式图像传感器，包括形成于半导体晶圆中的存储器区域，每个存储器区域位于两个不透明壁之间，这两个不透明壁延伸到该晶圆中并与安排在该存储器区域的后表面处的不透明屏幕接触。

技术研发人员：D·贝努瓦;O·欣西格;E·格维斯特
受保护的技术使用者：意法半导体（克洛尔2）公司
文档号码：201720444920
技术研发日：2017.04.25
技术公布日：2018.05.04