一种提高波长均匀性的SiC涂层石墨基座的制作方法

本实用新型涉及石墨基座技术领域，具体涉及一种提高波长均匀性的SiC涂层石墨基座。

背景技术：

目前，随着LED产业迅猛发展,其上游环节的LED外延片的技术和市场也发展迅速,其产能快速提升，技术水平不断进步。LED外延片是指在一块加热至适当温度的衬底基片上所生长出的特定单晶薄膜，其是半导体照明产业技术含量最高、对最终产品品质、成本控制影响最大的环节。蓝绿光LED用于氮化镓研究的衬底结构比较多，但是能用于生产的衬底结构只有三种，即蓝宝石Al₂O₃、硅衬底和碳化硅SiC衬底。承载衬底的基座需要满足以下要求：耐高温、热传导率均匀、耐腐蚀、具有较强的抗热应力能力，故该基座一般都采用石墨基座。石墨基座具有很多个POCKET(口袋)，用于放置衬底。

现有的外延片机台的衬底尺寸多从2英寸过渡到了4英寸，基本上都是使用具有14个直径为4英寸的口袋的石墨基座。4＂外延片对外延工艺的要求更高，要求片内波长均匀性较好，同时要求片间的波长均匀性也要好，故需要优化外延工艺及SiC涂层的石墨基座，提高整炉外延片的波长均匀性。而现有的石墨基座多存在其外圈POCKET距离边缘越近波长的均匀性越差的问题。

公开号为CN101775590A，名称为“一种具有保护涂层的石墨基座及其制备方法”的中国发明专利文献公开了一种具有保护涂层的石墨基座及其制备方法，其包括具有保护涂层的石墨基座，包括石墨基座基体表面外渗透有初级SiC涂层，在初级SiC涂层外沉积有一层二级SiC涂层。其同样存在其外圈POCKET距离边缘越近波长的均匀性越差的问题。

公开号为CN203760506U，名称为“一种提高整体波长均匀性的石墨基座”的中国实用新型专利文献公开了一种提高整体波长均匀性的石墨基座，包括基座体和多个口袋，口袋内有台阶；多个口袋的台阶高度不同。其虽然可以提高蓝宝石温度的均匀性，但是其却同样存在无法对蓝绿光LED实现提高外圈外延片整体的波长均匀性的问题。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于提供一种提高波长均匀性的SiC涂层石墨基座，用以解决现有的石墨基座所存在的外圈POCKET距离边缘越近波长的均匀性越差的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供一种提高波长均匀性的SiC涂层石墨基座。具体地，该石墨基座包括如下结构：

所述提高波长均匀性的SiC涂层石墨基座，包括石墨基座盘面，石墨基座盘面上设置有口袋，口袋包括外圈口袋和内圈口袋，外圈口袋位于内圈口袋的外侧；

外圈口袋包括第一外圈口袋和第二外圈口袋，第一外圈口袋的中心点位于第二外圈口袋的中心点的外侧；

内圈口袋包括第一内圈口袋和第二内圈口袋，第一内圈口袋的中心点位于第二内圈口袋的中心点的外侧。

可选地，第一外圈口袋的数量为六个，第二外圈口袋的数量为四个；六个第一外圈口袋均匀对称分布为四组：左侧两个为一组，右侧两个为一组，上侧一个为一组，下侧一个为一组；四个第二外圈口袋分别均匀对称分布在相邻的四组第一外圈口袋之间。

可选地，第一内圈口袋与第二内圈口袋均匀交错分布。

可选地，相邻的第一外圈口袋的中心点、第二外圈口袋的中心点与内圈口袋的中心点之间的连线分别构成等边三角形。

可选地，相邻的口袋之间的间隙≥1.2mm。

可选地，第一外圈口袋的边缘与石墨基座盘面的边缘之间的距离≥11mm。

可选地，第一外圈口袋的边缘与石墨基座盘面的边缘之间的距离为11.35mm。

可选地，第一外圈口袋的中心点所在的圆周与第二外圈口袋的中心点所在的圆周设置为同心结构。

可选地，第一内圈口袋的中心点所在的圆周与第二内圈口袋的中心点所在的圆周设置为同心结构。

可选地，第一外圈口袋的中心点所在的圆周和第二外圈口袋的中心点所在的圆周、第一内圈口袋的中心点所在的圆周与第二内圈口袋的中心点所在的圆周，及石墨基座盘面设置为同心结构。

本实用新型方法具有如下优点：

本实用新型的提高波长均匀性的SiC涂层石墨基座，能够解决现有的石墨基座所存在的外圈POCKET距离边缘越近波长的均匀性越差的问题，其能够提高整炉外延片的波长均匀性，提高外延片的性能及产量，适用于所有用于蓝绿光LED外延片外延生长的MOCVD反应室的石墨基座。

附图说明

图1是现有技术的SiC涂层石墨基座的口袋分布示意图。

图2是本实用新型的提高波长均匀性的SiC涂层石墨基座的口袋分布示意图。

图中，1为石墨基座盘面，2为第一外圈口袋，3为第二外圈口袋，4为第一内圈口袋，5为第二内圈口袋。

具体实施方式

以下实施例用于说明本实用新型，但不用来限制本实用新型的范围。

实施例1

一种提高波长均匀性的SiC涂层石墨基座，参见图2，包括石墨基座盘面1，石墨基座盘面1上设置有口袋，口袋包括外圈口袋和内圈口袋，外圈口袋位于内圈口袋的外侧；如图2中圆形虚线所示，外圈口袋包括第一外圈口袋2和第二外圈口袋3，第一外圈口袋2的中心点位于第二外圈口袋3的中心点的外侧；内圈口袋包括第一内圈口袋4和第二内圈口袋5，第一内圈口袋4的中心点位于第二内圈口袋5的中心点的外侧。

可见，本实施例的提高波长均匀性的SiC涂层石墨基座，基座体用于支撑和热传导的作用，从而使衬底均匀的受热。口袋起到放置衬底的作用，由于外圈的口袋的外边缘与基座外边缘之间的距离越小，外延片的波长均匀性越差，所以通过进行整体内缩的结构，提高外延片的片内波长均匀性及外延片间的整盘波长均匀性，提高了外延片的性能及产量。

实施例2

一种提高波长均匀性的SiC涂层石墨基座，与实施例1相似，所不同的是，第一外圈口袋2的数量为六个，第二外圈口袋3的数量为四个；六个第一外圈口袋2均匀对称分布为四组：左侧两个为一组，右侧两个为一组，上侧一个为一组，下侧一个为一组；四个第二外圈口袋3分别均匀对称分布在相邻的四组第一外圈口袋2之间。

优选的，第一内圈口袋4与第二内圈口袋5均匀交错分布。

实施例3

一种提高波长均匀性的SiC涂层石墨基座，与实施例2相似，所不同的是，如图2中三角形虚线所示，相邻的第一外圈口袋2的中心点、第二外圈口袋3的中心点与内圈口袋的中心点之间的连线分别构成等边三角形。

实施例4

一种提高波长均匀性的SiC涂层石墨基座，与实施例3相似，所不同的是，相邻的口袋之间的间隙≥1.2mm。

优选的，第一外圈口袋2的边缘与石墨基座盘面1的边缘之间的距离≥11mm。

优选的，第一外圈口袋2的边缘与石墨基座盘面1的边缘之间的距离为11.35mm。

实施例5

一种提高波长均匀性的SiC涂层石墨基座，与实施例4相似，所不同的是，第一外圈口袋2的中心点所在的圆周与第二外圈口袋3的中心点所在的圆周设置为同心结构。

优选的，第一内圈口袋4的中心点所在的圆周与第二内圈口袋5的中心点所在的圆周设置为同心结构。

优选的，第一外圈口袋2的中心点所在的圆周和第二外圈口袋3的中心点所在的圆周、第一内圈口袋4的中心点所在的圆周与第二内圈口袋5的中心点所在的圆周，及石墨基座盘面1设置为同心结构。

本实用新型的提高波长均匀性的SiC涂层石墨基座，第一外圈口袋2与第二外圈口袋3均匀地交错分布。内圈口袋的数量为四个。第一内圈口袋4的数量为两个，第二内圈口袋5的数量为两个。口袋设置为圆形。口袋的直径为4英寸。

虽然，上文中已经用一般性说明及具体实施例对本实用新型作了详尽的描述，但在本实用新型基础上，可以对之作一些修改或改进，这对本领域技术人员而言是显而易见的。因此，在不偏离本实用新型精神的基础上所做的这些修改或改进，均属于本实用新型要求保护的范围。