一种DFN2510高密度框架的制作方法

文档序号:13451921阅读:来源:国知局
技术总结
本实用新型涉及半导体制造领域,具体涉及一种DFN2510高密度框架,芯片安装部包括芯片安置区和引脚焊接区,在每个芯片安装部内包括8个相互独立的引脚焊接区,其中4个引脚焊接区为一组对称布置在芯片安置区的两侧,同侧的4个引脚焊接区分为2排布置,且2排引脚焊接区以芯片安装部的中心线对称布置,远离芯片安置区的引脚焊接区上还设有引脚槽支撑筋,延伸至芯片安装部之间设置的加强连筋处,并与加强连筋相连,所述引脚支撑筋和引脚焊接区的延伸方向错位布置。该框架合理布置芯片布置区和引脚焊接区,充分利用框架空间,避免各个区域的干扰;设置引脚槽支撑筋,避免因为切割时震动,引起框架变形或分层,保证结构稳定性。

技术研发人员:罗天秀;樊增勇;崔金忠;李东;张明聪;许兵;李宁
受保护的技术使用者:成都先进功率半导体股份有限公司
文档号码:201720738467
技术研发日:2017.06.23
技术公布日:2018.01.12

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