一种具有屏蔽效果的热熔胶膜及FFC线的制作方法

文档序号:14450411阅读:1432来源:国知局
一种具有屏蔽效果的热熔胶膜及FFC线的制作方法

本实用新型涉及一种数据线缆生产技术,尤其涉及一种具有屏蔽效果的热熔胶膜及FFC线。



背景技术:

目前,FFC线(Flexible Flat Cable柔性扁平电缆)是一种用PET绝缘材料和极薄的镀锡扁平铜线,通过高科技自动化设备生产线压合而成的新型数据线缆,具有柔软、随意弯曲折叠、厚度薄、体积小、连接简单、拆卸方便、易解决电磁屏蔽(EMI)等优点。FFC可以任意选择导线数目及间距,使联线更方便,大大减少电子产品的体积,减少生产成本,提高生产效率,最适合于移动部件与主板之间、PCB板对PCB板之间、小型化电器设备中作数据传输线缆之用。FFC广泛应用于各种打印机打印头与主板之间的连接,绘图仪、扫描仪、复印机、音响、液晶电器、传真机、各种影碟机等产品的信号传输及板板连接。在现代电器设备中,几乎无处不在。

但是,现有FFC线材在覆合后,需要在线材外表复合一层屏蔽膜材,生产效率低,屏蔽效果不稳定。



技术实现要素:

为了克服现有技术的不足,本实用新型的目的之一在于提供一种具有屏蔽效果的热熔胶膜。本申请具有屏蔽效果的热熔胶膜,通过设置具有屏蔽作用的金属屏蔽层,并通过热熔胶涂布在FFC线的金属箔(扁平金属导体)表面,该屏蔽效果稳定,在FFC线制备的工艺上,直接在扁平金属导体复合本申请的热熔胶膜,不需要再贴合一层屏蔽膜材,简约工序,加工成本较低。

本实用新型的目的之二在于提供一种FFC线。

本实用新型的目的之一采用如下技术方案实现:一种具有屏蔽效果的热熔胶膜,包括PET层、设置在PET层下表面的胶水层、设置在胶水层下表面的金属屏蔽层、设置在金属屏蔽层下表面的热熔胶层;所述热熔胶层复合在FFC线的扁平金属导体的上表面和下表面;所述PET层的厚度为12-50微米,所述金属屏蔽层的厚度为15-150微米;所述热熔胶层的厚度为15-150微米。

进一步地,所述PET层的厚度为16-32微米。

进一步地,所述胶水层为双组份聚氨酯胶粘剂层。

进一步地,所述金属屏蔽层为金属箔或者金属网状物。

进一步地,所述金属箔为铝箔、铜箔、镀锡铜箔、镀金铜箔、镀镍铜箔中的一种。

进一步地,所述热熔胶层为饱和聚酯树脂层、聚烯烃树脂层、聚氨酯层、EVA层、SBS层中的一种。

本实用新型的目的之二采用如下技术方案实现:一种FFC线,包括扁平金属导体、复合在扁平金属导体上表面和下表面的如上所述的具有屏蔽效果的热熔胶膜。

进一步地,所述扁平金属导体上表面或下表面的热熔胶膜为一层或两层。

相比现有技术,本实用新型的有益效果在于:

本申请具有屏蔽效果的热熔胶膜,通过设置具有屏蔽作用的金属屏蔽层,并通过热熔胶涂布在FFC线的金属箔(扁平金属导体)表面,该屏蔽效果稳定,在FFC线制备的工艺上,直接在扁平金属导体复合本申请的热熔胶膜,不需要再贴合一层屏蔽膜材,简约工序,加工成本较低。

附图说明

图1为实施例1具有屏蔽效果的热熔胶膜的结构示意图;

图2为实施例2FFC线的结构示意图。

图中:100、具有屏蔽效果的热熔胶膜;1、PET层;2、胶水层;3、金属屏蔽层;4、热熔胶层;5、扁平金属导体;A、FFC线。

具体实施方式

下面,结合附图以及具体实施方式,对本实用新型做进一步描述,需要说明的是,在不相冲突的前提下,以下描述的各实施例之间或各技术特征之间可以任意组合形成新的实施例。

实施例1

如图1所示,一种具有屏蔽效果的热熔胶膜100,包括PET层1、设置在PET层下表面的胶水层2、设置在胶水层下表面的金属屏蔽层3、设置在金属屏蔽层下表面的热熔胶层4;所述热熔胶层复合在FFC线A的扁平金属导体5的上表面和下表面;所述PET层的厚度为12-50微米,所述金属屏蔽层的厚度为15-150微米;所述热熔胶层的厚度为15-150微米。

作为优选方案,所述PET层的厚度为16-32微米。

作为优选方案,所述胶水层为双组份聚氨酯胶粘剂层。其中PET层和金属屏蔽层通过干式复合覆合在一起。

作为优选方案,所述金属屏蔽层为金属箔或者金属网状物。所述金属箔为铝箔、铜箔、镀锡铜箔、镀金铜箔、镀镍铜箔中的一种。

作为优选方案,所述热熔胶层为饱和聚酯树脂层、聚烯烃树脂层及其改性物层、聚氨酯层、EVA层、SBS层中的一种。

本申请在覆合好的金属箔表面涂布一层或两层本申请的热熔胶膜,屏蔽效果稳定,直接复合后,不需要再贴合一层屏蔽材,成本较低。

实施例2

如图2所示,一种FFC线,包括扁平金属导体、复合在扁平金属导体上表面和下表面的如上所述的具有屏蔽效果的热熔胶膜。

作为优选方案,所述扁平金属导体上表面或下表面的热熔胶膜为一层或两层。

上述实施方式仅为本实用新型的优选实施方式,不能以此来限定本实用新型保护的范围,本领域的技术人员在本实用新型的基础上所做的任何非实质性的变化及替换均属于本实用新型所要求保护的范围。

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