本实用新型涉及晶体管技术领域，具体涉及一种IGBT封装结构。
背景技术：
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT双极型三极管和MOS绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。IGBT是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“CPU”，作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广，但由于IGBT器件在电路中承载的电流大，功率密度高，因此需要更好的散热能力，但由于我国对IGBT研究起步晚，目前的封装结构设计中，散热性能和封装成本不能达到最佳，因此，亟待开发一种成本低，结构简单且散热性能好的IGBT封装结构。
技术实现要素：
为了克服现有技术中存在的缺点和不足，本实用新型的目的在于提供一种散热性能好的IGBT封装结构。
本实用新型的目的通过下述技术方案实现：一种IGBT封装结构，包括底板、焊接于底板上端的DCB层、焊接于DCB层上端的IGBT芯片，所述DCB层从下到上依次为铜层、陶瓷层、铝层。
进一步的，陶瓷层为氮化铝层或氮化硼层。
氮化铝层或氮化硼层具有导热性能好、无毒害、加工性能好等特点，可加快芯片的散热。
进一步的，所述底板为铜底板。
进一步的，DCB层中铜层、陶瓷层及铝层的厚度比为1：4-6：1。
进一步的，DCB层中铜层、陶瓷层及铝层的厚度比为1：5：1。
进一步的，底板的厚度与DCB层的厚度之和为10mm。
优选的，底板的厚度为5mm，DCB层的厚度为5mm。
更为优选的，DCB中铜层、陶瓷层及铝层的厚度分别为0.8mm、3.5mm、0.7mm。
本实用新型的有益效果在于：本实用新型通过设置底板及焊接于底板的DCB层，在DCB层上焊接芯片，使得IGBT器件有更高效的散热性能，且该结果简单，易于封装；另外，本实用新型通过使用铜层、陶瓷层、铝层构成DCB层，保证高效散热性能的同时，减轻了器件的重量，适应了电子期间轻量化的潮流，增加了市场竞争力。
附图说明
图1是本实用新型的剖面示意图。
附图标记为：
1-底板； 2-DCB层； 3-IGBT芯片；
21-铜层； 22-陶瓷层； 23-铝层。
具体实施方式
为了便于本领域技术人员的理解，下面结合实施例及附图1对本实用新型作进一步的说明，实施方式提及的内容并非对本实用新型的限定。
请参阅附图1，一种IGBT封装结构，包括底板1、焊接于底板1上端的DCB层2、焊接于DCB层2上端的IGBT芯片3，所述DCB层2从下到上依次为铜层21、陶瓷层22、铝层23。
本实用新型通过设置底板1及焊接于底板1的DCB层2，在DCB层2上焊接芯片，使得IGBT器件有更高效的散热性能，且该结果简单，易于封装；另外，本实用新型通过使用铜层21、陶瓷层22、铝层23构成DCB层2，保证高效散热性能的同时，减轻了器件的重量，适应了电子期间轻量化的潮流，增加了市场竞争力。
进一步的，陶瓷层22为氮化铝层或氮化硼层。
氮化铝层或氮化硼层具有导热性能好、无毒害、加工性能好等特点，可加快芯片的散热。
本实用新型通过使用氮化铝层或氮化硼层作为DCB中的陶瓷层22，大大增加了散热效能，从而增加了IGBT器件的可靠性。
进一步的，所述底板1为铜底板。
本实用新型通过使用铜底板，能有效保证器件的散热效能。
进一步的，DCB层2中铜层21、陶瓷层22及铝层23的厚度比为1：4-6：1。
通过试验可的，在保证其它调节不变的情况下，DCB层2中铜层21、陶瓷层22及铝层23的厚度比为1：4-6：1时，器件的散热性能最佳。
优选的，DCB层2中铜层21、陶瓷层22及铝层23的厚度比为1：5：1。
进一步的，底板1的厚度与DCB层2的厚度之和为10mm。
本实用新型中底板1和DCB层2的厚度和为10mm，既可保证散热效能，又可简约生产成本。
优选的，底板1的厚度为5mm，DCB层2的厚度为5mm。
更为优选的，DCB层2中铜层21、陶瓷层22及铝层23的厚度分别为0.8mm、3.5mm、0.7mm。
本实用新型通过设计底板1厚度为5mm，DCB层2中铜层21、陶瓷层22及铝层23的厚度分别为0.8mm、3.5mm、0.7mm时，IGBT封装器件导热性能最佳，且生产成本较低。
上述实施例为本实用新型较佳的实现方案，除此之外，本实用新型还可以其它方式实现，在不脱离本实用新型构思的前提下任何显而易见的替换均在本实用新型的保护范围之内。