1.一种IGBT封装结构，其特征在于：包括底板、焊接于底板上端的DCB层、焊接于DCB层上端的IGBT芯片，所述DCB层从下到上依次为铜层、陶瓷层、铝层，所述陶瓷层为氮化铝层或氮化硼层，所述底板的厚度与DCB层的厚度之和为10mm，所述DCB层中铜层、陶瓷层及铝层的厚度比为1：5：1。
2.根据权利要求1所述的一种IGBT封装结构，其特征在于：所述底板为铜底板或铝底板。
3.根据权利要求1所述的一种IGBT封装结构，其特征在于：底板的厚度为5mm，DCB层的厚度为5mm。
4.根据权利要求1所述的一种IGBT封装结构，其特征在于：DCB中铜层、陶瓷层及铝层的厚度分别为0.8mm、3.5mm、0.7mm。