技术总结
本实用新型涉及晶体管技术领域，具体涉及一种IGBT封装结构，包括底板、焊接于底板上端的DCB层、焊接于DCB层上端的IGBT芯片，所述DCB层从下到上依次为铜层、陶瓷层、铝层，本实用新型通过设置底板及焊接于底板的DCB层，在DCB层上焊接芯片，使得IGBT器件有更高效的散热性能，且该结果简单，易于封装；另外，本实用新型通过使用铜层、陶瓷层、铝层构成DCB层，保证高效散热性能的同时，减轻了器件的重量，适应了电子期间轻量化的潮流，增加了市场竞争力。
技术研发人员：龙立
受保护的技术使用者：广东瑞森半导体科技有限公司
技术研发日：2017.10.20
技术公布日：2018.08.03