发光装置的制作方法

技术特征：

1.一种发光装置，其特征在于，包含：

一基板；

一覆晶发光二极管晶片，位于该基板上；

一横向发光二极管晶片，位于该覆晶发光二极管晶片上，其中该横向发光二极管晶片的波长小于该覆晶发光二极管晶片的波长；

一导热胶层，位于该覆晶发光二极管晶片与该横向发光二极管晶片之间，使得该横向发光二极管晶片粘合于该覆晶发光二极管晶片；以及

一荧光粉层，覆盖该横向发光二极管晶片。

2.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，该横向发光二极管晶片具有背对覆晶发光二极管晶片的一顶面，且该顶面具有一导电接点电性连接该基板的一第一导电接点。

3.根据权利要求2所述的发光装置，其特征在于，该覆晶发光二极管晶片具有朝向该基板的一底面，且该底面具有一导电接点电性连接该基板的一第二导电接点。

4.根据权利要求3所述的发光装置，其特征在于，该第一导电接点的输入电流大于该第二导电接点的输入电流，且该第二导电接点的输入电流与该第一导电接点的输入电流的比值介于0.1至1。

5.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，该荧光粉层延伸至该基板，且围绕该横向发光二极管晶片与该覆晶发光二极管晶片。

6.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，该覆晶发光二极管晶片的宽度大致等于该横向发光二极管晶片的宽度，该发光装置还包含：

一遮光结构，位于该基板上，且围绕该横向发光二极管晶片、该覆晶发光二极管晶片与该荧光粉层。

7.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，该覆晶发光二极管晶片的宽度小于该横向发光二极管晶片的宽度，该荧光粉层的一部分位于该横向发光二极管晶片与该基板之间。

8.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，该横向发光二极管晶片为波长约460nm的蓝光二极管晶片，且该覆晶发光二极管晶片为波长约490nm的蓝光二极管晶片。

9.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，该覆晶发光二极管晶片为红光二极管晶片。

10.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，该横向发光二极管晶片具有朝向该覆晶发光二极管晶片的一底面，且包含：

一金属层，位于该底面上且覆盖该覆晶发光二极管晶片，该金属层具有一穿孔。

11.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，该横向发光二极管晶片具有朝向该覆晶发光二极管晶片的一底面，且包含：

一滤光层，位于该底面上且覆盖该覆晶发光二极管晶片。